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- [实用新型]一种钨钢冲针精抛装置-CN202122901507.2有效
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戴林峰;马云飞
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无锡市普高精密机械科技有限公司
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2021-11-24
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2022-06-10
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B24B29/02
- 本实用新型公开了一种钨钢冲针精抛装置，包括精抛磨柱、挡液体、底布液板和侧布液板；精抛磨柱呈水平姿态可旋转设置；挡液体整体呈倒等腰三角体结构状，其设置于精抛磨柱的右上侧；底布液板顶面设置有沿精抛磨柱的轴向方向排布的上喷液口，且其设置于精抛磨柱的右下侧并位于挡液体正下方；侧布液板设置于精抛磨柱的正上方，侧布液板正对挡液体的侧面设置有一排侧喷液口，从侧喷液口喷出的防护液朝向挡液体的斜侧面；还包括测量工位和弹性辅助精抛连接件，弹性辅助精抛连接件连接在挡液体的前端部位，钨钢冲针安装在辅助精抛连接件上进行精抛打磨。本实用新型提供的一种钨钢冲针精抛装置，有效提高抛光打磨质量与精度，适于规模化推广。
- 一种钨钢冲针精抛装置
- [发明专利]一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片-CN202210244203.X在审
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杨红英
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北京爱瑞思光学仪器有限公司
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2022-03-11
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2022-09-20
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B24B1/00
- 本申请公开了一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片，用于同时对锗晶片进行双面抛光，其中，包括：第一粗抛工序采用第一粗抛光液和第一抛光布；第二粗抛工序采用第二粗抛光液和第一抛光布；第一精抛工序采用第一细抛光液和第二抛光布；第二精抛工序采用第二细抛光液和第二抛光布；各工序中转速的关系为：第一粗抛工序＜第二粗抛工序＜第一精抛工序＜第二精抛工序；第一抛光布的硬度大于第二抛光布的硬度；各工序中抛光温度为35℃～40℃。本申请实施例提供的锗晶片的双抛工艺，采用两次粗抛和两次精抛的组合方式，通过匹配不同的参数，实现化学抛光和机械抛光之间的匹配，实现锗晶片的快速抛光，并取得较好的精抛表面质量。
- 一种晶片工艺装置
- [发明专利]抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法-CN201210444934.5无效
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李晖;徐永宽;程红娟
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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2012-11-09
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2013-03-06
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C09G1/02
- 本发明公开了一种用于化学机械抛光的抛光液，包括用于粗抛的抛光液和用于精抛的抛光液；其中：所述粗抛的抛光液包括：纳米磨料5~10wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，pH调节剂，余量为去离子水，粒度为60~100nm，PH值为9.5；所述精抛的抛光液包括：纳米磨料1~5wt%，氧化剂为0.5~1.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为15~30nm，pH值为9.5；应用上述的抛光液对CdS晶片进行化学机械抛光的方法，抛光方法包括：对待抛光的CdS晶片利用粗抛抛光液进行粗抛，以及对粗抛后的CdS晶片利用精抛抛光液进行精抛；其中，进行粗抛抛光和精抛抛光时，抛光压力为60~120g/cm2，转速60~100转/分钟，对应抛光液的流量50~200ml/min。本发明的抛光工艺简单，容易操作，使用的抛光液损伤小。
- 抛光应用cds晶片方法
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