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[发明专利]一种硅异质结电池及其制作方法-CN202010827798.2有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种硅异质结电池及其制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以降低P型掺杂硅层与透明导电层之间的肖特基势垒，减小P型掺杂硅层耗尽层宽度，从而增加空穴收集能力，提高电池性能。所述该硅异质结电池包括硅基底、界面反型层和第一透明导电层。硅基底包括掺杂硅衬底、P型掺杂硅层以及形成在掺杂硅衬底和P型掺杂硅层之间的第一本征硅层。界面反型层形成在P型掺杂硅层上。所述硅异质结电池的制作方法用于制作硅异质结电池。本发明提供的硅异质结电池用于光伏发电。
一种硅异质结电池及其制作方法

[发明专利]一种高效异质结微晶电池的制作方法-CN202210613341.0在审
发明人：张津燕;曾清华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效异质结微晶电池的制作方法，在经钝化后的半导体基板上进行微晶硅膜层分阶段沉积，采用逐个阶段提高反应气体中氢气和硅烷之间的比值进行沉积控制。本发明的目的在于提供一种高效异质结微晶电池的制作方法，通过控制氢硅比条件形成满足异质结电池需要的微晶硅膜层，能够同时提升电池的短路电流、开路电压和填充因子，使得电池转换效率得以大幅提升。
一种高效异质结微晶电池制作方法

[发明专利]一种石墨烯/AlGaAs/GaAs/GaInAs多异质结太阳能电池及其制备方法-CN201811454930.9有效
发明人：林时胜;姚天易 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：>xGa1‑xAs/GaAs/GayIn1‑yAs多异质结太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池自下而上依次为：背面电极、PET衬底、石墨烯/GayIn1‑yAs、石墨烯/GaAs、石墨烯/AlAs、石墨烯/GaAs、石墨烯/AlxGa1‑xAs的帯隙不同，可针对不同频率的太阳光分别吸收，显著提高太阳能电池的光电转换效率；且制备时不需要考虑晶格匹配问题，解除了多结太阳能电池选材的限制，多结太阳能电池中的各个异质结可以“搭积木”一样累叠在一起，实现异质结与异质结之间的自由叠加；此外，异质结的加入可以形成更高的开路电压。本发明的多异质结太阳能电池具有转化效率高、工艺简单、便于推广的特点。
一种石墨 algaas gaas gainas 多异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法-CN202111450032.8在审
发明人：陈伟;职森森;章明;徐建华;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 -专利权人：南京日托光伏新能源有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种适于异质结MWT可焊接双面电池的制备方法，在印刷绝缘胶前增加丝网双面印刷工艺，首先使用叠印方案印刷负极点，印刷一层薄的堵孔浆料，使打孔堵住，不能透光；然后使用低温银浆印刷背面电极，印在堵孔上面及背面电极长条栅线；再在堵孔电极引出焊盘位置印刷绝缘胶，使负极与正极绝缘，在200℃以下烘干，最后使正负极点连接，正负极通过绝缘胶相隔，得到正面回字形背面焊带设计MWT异质结组件。本发明利用异质结低温工艺，只需要丝网印刷增加一道印刷，同步印刷绝缘胶，同步烘干，可以减少工序，与异质结工艺完美结合。
适于异质结 mwt 焊接双面电池制备方法

[发明专利]异质结电池制绒清洗设备及其方法-CN202310611381.6在审
发明人：褚一凡;李森 -专利权人：山东泉为新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种异质结电池制绒清洗设备及其方法，用以解决目前硅片制绒效果差和清洗质量差的问题。一种异质结电池制绒清洗设备，包括吊轨，吊轨上滑动设有夹持组件，吊轨的下方沿吊轨的输送方向上依次设有切割装置、打磨装置和制绒箱，所述制绒箱内依次设有清洗槽、预制绒槽和二次制绒槽，所述预制绒槽的上方设有可升降的压板，压板的下端设有预制绒组件。本发明硅片绒面质量高，提高了电池的性能。
异质结电池清洗设备及其方法

[发明专利]一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池-CN201710616077.5有效
发明人：刘辉;刘聪贤;朱眉清 -专利权人：南通鸿图健康科技有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池。所述PIN异质结太阳能电池由下至上依次包括背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、本征非晶锗层、P型黑磷烯层、透明导电层和上电极，其中N型硅纳米线阵列、本征非晶锗层和P型黑磷烯层形成的PIN异质结为径向异质结本发明的电池结构简单，硅纳米线阵列的设置提高了该太阳能电池对太阳光的吸收效率，黑磷烯作为新型二维半导体材料，与N型硅纳米线阵列以及本征非晶锗层形成PIN异质结，可以有效的进行光电转换，且径向结构的设置，便于电子空穴对的分离与传输，进一步提高了该太阳能电池的光电转换效率。
一种黑磷 pin 异质结太阳能电池

[发明专利]一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法-CN201310122729.1无效
发明人：贾锐;乔秀梅;丁武昌;陈晨;崔冬萌;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括：单晶硅衬底及形成于该单晶硅衬底上的p型或n型硅纳米柱；在该单晶硅衬底及该p型或n型硅纳米柱上依次形成的钝化膜、与硅纳米柱反型的非晶硅薄膜本发明综合了径向结电池和异质结电池的优点，利用异质结电池的高效率和低温工艺，间接降低了生产成本，同时径向结有效提高了光的吸收利用，提高光生载流子的收集效率，从而有效地提高电池的效率，同时利用异质结的低温工艺
一种石墨径向异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种具有无功功率补偿系统的光伏发电系统-CN201710265870.5有效
发明人：徐晨;陈帅梁;陈琳;顾运莉 -专利权人：江苏天雄电气自动化有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有无功功率补偿系统的光伏发电系统，所述光伏发电系统包括：多个用于产生直流电的光伏组件；多个用于将所述直流电转换为交流电的功率转换器；多个无功功率补偿系统；所述光伏组件包括多个呈阵列排布的太阳能电池片，所述太阳能电池片为硅基异质结太阳能电池。本发明的光伏发电系统具有无功功率补偿系统，降低电能损耗，同时采用硅基异质结太阳能电池，制造成本低且光电转换效率优异。
一种具有无功功率补偿系统发电

[发明专利]基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法-CN201110217023.4有效
发明人：谢丹;冯婷婷;任天令;宋睿;田禾;李虓;吴德海;朱宏伟 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法，在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)作为隔离层，在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼阵列，在衬底背面蒸发金属作为背电极，在隔离层表面制备金属前电极，在阵列上填充半导体材料形成异质结，制得的半导体异质结太阳能电池结构简单，易于制备，不仅能有效地减少入射光的反射，而且可以增大异质结的接触面积，从而达到提高太阳能电池能量转换效率的目的。
基于仿生半导体异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种二维异质结光伏电池-CN201910312554.8有效
发明人：刘江涛;杨琴;范孟慧;黄金保;罗姣莲;罗胜耘;王声权 -专利权人：贵州民族大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维异质结光伏电池，属于光伏电池领域，包括固定层、二维材料异质结和光学微腔，所述二维材料异质结设置在所述光学微腔内，所述光学微腔的两端固定连接在固定层上。本发明的有益效果是通过将太阳光照射到光学微腔中，光学微腔对内部的太阳光折射使得二维材料异质结对光线吸收增强，同时降低光伏电池自发辐射的立体角，使得光伏电池的自发辐射损耗减小，光伏电池的效率增加。
一种二维异质结光伏电池

[发明专利]一种异质结太阳能电池的制作方法-CN201410681480.2有效
发明人：谷士斌;何延如;张林;赵冠超;杨荣;王琪;李立伟;孟原;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池的制作方法，用以通过添加保护层，再采用刻蚀溶液对电池侧面的导电特性的材料进行刻蚀，不仅去除了该导电特性的材料，减少电池漏电现象的产生，提高了电池转换的效率，也保留了该电池的钝化材料，避免了对该电池结构的破坏。所述方法包括：在所述异质结太阳能电池的正面和背面添加保护层，该保护层至少覆盖所述正面的边缘处和所述背面的边缘处；将所述异质结太阳能电池留有导电特性材料的侧面置于刻蚀溶液中，且该刻蚀溶液不超出所述保护层，对所述异质结太阳能电池侧面的导电特性材料进行刻蚀，其中，所述刻蚀溶液为与所述导电特性材料反应，且与所述保护层不反应的溶液。
一种异质结太阳能电池制作方法

[发明专利]中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结及其应用-CN202210492727.0有效
发明人：余东波;王杰;董文昊;姚佳;王菲;崔接武;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结，将中空多壳层含Sn金属@碳结构与硒粉进行混合后，在氩气气氛保护下退火得到产物中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结。中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结应用于高性能钠离子电池负极材料。该中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结可以将中空多壳层结构与过渡金属硒化物相结合应并在钠离子电池负极材料中进行应用。
中空多壳层含 sn 金属硒化物碳异质结及其应用

[实用新型]异质结太阳能电池串-CN202022498312.3有效
发明人：许涛;邓士锋 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池串，其中所涉及的异质结太阳能电池包括电池片本体、设置于电池片本体受光面一侧的第一透明导电膜层、以及设置于电池片本体背光面一侧的第二透明导电膜层，异质结太阳能电池还包括设置于第一透明导电膜层和/或第二透明导电膜层表面且延伸方向与第一方向垂直的复合副栅，复合副栅包括第一栅线层以及设置于第一栅线层背离电池片本体一侧表面的第二栅线层，第二栅线层与第一栅线层材质不同且覆盖第一栅线层于宽度方向上相对的两侧表面；本实用新型所涉及异质结太阳能电池中，提供了一种不同于传统低温浆料所印制副栅结构的复合副栅，为异质结太阳能电池的集电极制作提供更多选择。
异质结太阳能电池

[发明专利]光敏固态异质结装置-CN201180020597.0无效
发明人：亨利·史耐德;帕布鲁·多刚波 -专利权人：牛津大学技术转移公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种固态p-n异质结，所述固态p-n异质结包括与n型材料接触的有机p型材料，其中，所述异质结通过至少一种敏化剂敏化，其特征在于，所述装置含有通过至少一种绝缘材料的多孔阻挡层与所述n型材料分离的阴极本发明还提供了含有这种p-n异质结的光电装置，比如太阳能电池或者光传感器，以及用于制造这种异质结或装置的方法。
光敏固态异质结装置

[发明专利]一种n型背结双面太阳电池的制备方法-CN201610552013.9有效
发明人：严辉;张悦;张永哲;宋雪梅;张林睿;郁操;杨苗;张津燕;徐希翔 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：一种n型背结双面太阳电池的制备方法，属于太阳电池领域。相比传统硅异质结太阳电池，本发明采用背结结构，即将pn结置于电池背面，并采用n型非晶硅氧代替n型非晶硅，大大提高了电池的短路电流。通过以上几点对传统硅异质结电池结构进行优化，电池转换效率得到了明显的提升，同时整个工艺过程与传统异质结电池相比并未发生变化，其制备时间段、工艺简单，无需特别工艺，在成本方面也有显著优势。
一种型背结双面太阳电池制备方法