“异质结激光器”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8885928个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于隐埋异质结激光器的伴生高阻层生长方法-CN89108327.8无效
发明人：胡礼中;刘式墉 -专利权人：吉林大学
申请日： 1989-11-02 - 公布日： 1994-06-22 - 主分类号： H01S3/19 文献下载
摘要：本发明为一种制作GaAlAs隐埋异质结激光器的简单实用方法。本发明利用液相外延中的伴生现象获得一伴生高阻层来有效地限制器件的侧向电流从而使器件的制作工艺简化、工作速度提高。
用于隐埋异质结激光器伴生高阻层生长方法

[发明专利]一种CsPbBr3-CN202310092163.6有效
发明人：刘勇;刘婉丽 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿光电材料领域，更具体地，涉及一种CsPbBr3@TiO2核壳异质结、其制备方法及应用，所述核壳异质结中base:Sub>2壳层的生长，有效地减轻了CsPbBr3纳米晶核表面陷阱态，实现了较高的环境稳定性和光稳定性；该壳层为纳米晶提供了强散射且异质结构的形成使电荷从核转移到壳本发明的制备方法实现TiO2壳层半包裹和全包裹精准调控，制备的核壳异质结不仅均匀单分散，而且具有优异的光电性质和稳定性，更好的应用于钙钛矿太阳能电池、发光二极管、光电探测器和激光器等领域。
一种 cspbbr base sub

[实用新型]一种GaN基异质结绿光激光器件-CN201620861190.0有效
发明人：王辉;王冰;赵洋;李新忠;王静鸽;李贺贺 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种GaN基异质结绿光激光器件，包括蓝宝石衬底、蓝宝石衬底上外延生长的n‑GaN电子注入层、n‑GaN电子注入层上外延生长的InGaN/GaN量子阱层、InGaN/GaN量子阱层上的p‑NiO外延层、设置在p‑NiO外延层上的正电极和设置在n‑GaN电子注入层上的负电极；本实用新型采用p‑NiO代替p‑GaN作为空穴注入层和光散射层，制备成p‑NiO/(InGaN/GaN)MQW/n‑GaN异质结绿光激光器件
一种 gan 基异质结绿光激光器件

[发明专利]一种可控横向光场的多结型半导体激光器及其制造方法-CN202011600172.4在审
发明人：蒋锴;李春勇;舒凯;仇伯仓;柯毛龙;徐化勇;冯欧 -专利权人：江西铭德半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控横向光场的多结型半导体激光器及其制造方法，涉及半导体激光器技术领域，可控横向光场的多结型半导体激光器包括：衬底；多个含有PN限制层、波导层、量子阱区、电流限制层的结型结构，且多个结型结构之间均通过一隧道结进行连接；其中，隧道结为高掺反偏的PN结，隧道结包括P型隧穿层和N型隧穿层。通过本发明所示的可控横向光场的多结型半导体激光器，可选择性插入一种电流限制结构，形成一种在各结位置处的电流约束通道，从而改善多结型半导体激光器的电流扩展问题，进一步改善多结型半导体激光器的横向光场分布，使得各结有源区发光的横向宽度对称或一致，提高其近场远场光强均匀性。
一种可控横向多结型半导体激光器及其制造方法

[发明专利]一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法-CN202311117696.1在审
发明人：王爱伟;于颖;曹丙强 -专利权人：济南大学;核芯光电科技（山东）有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法，所述硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器包括依次连接的上电极、钙钛矿层、单晶硅衬底和下电极；所述钙钛矿层通过脉冲激光沉积方法沉积在所述单晶硅衬底表面并形成异质PN结；本发明通过脉冲激光沉积技术在单晶硅衬底上形成钙钛矿层，能够实现结晶度高、晶格匹配、缺陷少的钙钛矿外延薄膜的大规模制备，进而得到很好晶体结构的的硅/钙钛矿异质结。
一种外延钙钛矿异质 pn 光电探测器制备方法

[发明专利]一种半导体激光器的结温测试方法-CN202310149051.X有效
发明人：刘刚;冷祥;魏明;李宁 -专利权人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器的结温测试方法，包括：获取测试载台为第一温度、半导体激光器在第一直流电流工作下，半导体激光器发出光的第一峰值波长；获取半导体激光器在第二脉冲电流工作下，测试载台在不同第二温度下半导体激光器分别对应发出光的第二峰值波长，第二脉冲电流的电流值等于第一直流电流的电流值；对不同第二温度下发出光的分别对应的第二峰值波长的数据进行拟合，获取半导体激光器在脉冲工作条件下峰值波长随半导体激光器的结温的变化曲线；获取变化曲线中峰值波长等于第一峰值波长时对应的测试结温所述方法能降低测试半导体激光器结温的复杂度和提高测试精度。
一种半导体激光器测试方法

[发明专利]异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件-CN202110808966.8在审
发明人：周肃;魏文文;符欣;龚道仁;王文静;徐晓华;李晨;程尚之;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件，属于光伏电池制备技术领域。该异质结电池处理方法包括以下步骤：对异质结电池进行切割，得到切片异质结电池；对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理，使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜通过本申请的异质结电池处理方法，能有效减小因激光切割造成的功率损失，提高切割后的异质结电池的效率。
异质结电池处理方法切片组件

[发明专利]竖直腔面发射激光器光学互连工艺-CN93102380.7无效
发明人： G·P·奥尔布赖特;J·L·耶威尔 -专利权人：班德加普技术公司
申请日： 1993-01-21 - 公布日： 1993-12-01 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：每一块OEIC组件都包括竖直腔面发射激光器(VCSEL)阵列、接收器和电子逻辑线路，它们均集成在单块半导体基片上。各OEIC组件之间的信息传递，是靠从VCSEL到相邻OEIC组件上相应接收器的激光辐射的自由空间传播来实现的。晶体管，例如异质结型双极晶体管，可用于驱动VCSEL。
竖直发射激光器光学互连工艺

[发明专利]一种光电热电式激光能量收集器及其制备方法-CN202210418831.5在审
发明人：刘桂芝;马丙乾;王冬峰;何云 -专利权人：无锡麟聚半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L35/10 文献下载
摘要：本发明提供一种光电热电式激光能量收集器及其制备方法，该光电热电式激光能量收集器包括激光电池、隔离层及热电式发电机，其中，激光电池包括衬底、位于衬底下方的外延结构、位于外延结构中的凹槽、位于凹槽底端的第一电极层及位于外延结构下方的第二电极层，外延结构包括向下依次堆叠设置的缓冲层、第一导电类型异质结层及第二导电类型异质结层；隔离层位于激光电池的下方；热电式发电机包括多个呈立柱式结构且依次间隔设置的热电偶、热端导电互连层及冷端导电互连层。本发明通过由第一导电类型异质结层与第二导电类型异质结层组成的光电转换层，将激光转换成电能，并利用热电式发电机收集激光电池传递的热量，提升了激光能量的转换效率。
一种光电热电激光能量收集及其制备方法

[发明专利]一种多结分布反馈半导体激光器及其制备方法-CN202110636880.1在审
发明人：罗毅;王健 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本申请提出一种多结分布反馈半导体激光器，包含衬底及在衬底表面上生长的激光器DFB‑LD功能层；所述DFB‑LD功能层中包含多个半导体PN结和光栅；所述多个半导体PN结之间上下分布并且相互电连接，且每个PN结的结区均有发光区；所述光栅位于所述任意一个半导体PN结或半导体PN结之间的连接层。该DFB‑LD可以增加激光器的有效发光面积，改善波导截面横向光场分布的对称性，降低激光器的寄生电容参数，从而兼具高功率、高调制速率、高光纤耦合效率的优点。
一种分布反馈半导体激光器及其制备方法

[实用新型]一种多结分布反馈半导体激光器-CN202121278399.1有效
发明人：罗毅;王健 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本实用新型提出一种多结分布反馈半导体激光器，包含衬底及在衬底表面上生长的激光器DFB‑LD功能层；所述DFB‑LD功能层中包含多个半导体PN结和光栅；所述多个半导体PN结之间上下分布并且相互电连接，且每个PN结的结区均有发光区；所述光栅位于所述任意一个半导体PN结或半导体PN结之间的连接层。该DFB‑LD可以增加激光器的有效发光面积，改善波导截面横向光场分布的对称性，降低激光器的寄生电容参数，从而兼具高功率、高调制速率、高光纤耦合效率的优点。
一种分布反馈半导体激光器

[发明专利]一种应用于VCSEL中的DBR生长方法、分布式布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器-CN201811153652.3在审
发明人：张杨;崔利杰 -专利权人：中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于VCSEL中的DBR生长方法、分布式布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器，通过周期性调节DBR反射镜界面处的掺杂浓度，即通过delta重掺杂以增大隧道效应形成的隧道电流，可以减小相应的串联电阻随着掺杂浓度的增加，周期性掺杂反射镜的总串联电阻显著降低，并且减小了同型异质结表面耗尽层的厚度。这些异质结表面对应着DBR中光驻波的结点(node)，由于这些重掺杂区域的光密度低，所以自由载流子吸收不大。因此，周期掺杂反射镜拥有低电阻和高反射率。
垂直腔面发射激光器分布式布拉格反射镜掺杂串联电阻反射镜异质结减小重掺杂区域周期性调节自由载流子表面耗尽高反射率隧道电流隧道效应周期掺杂生长低电阻光驻波界面处重掺杂结点应用吸收

[实用新型]一种DFB激光器外延结构-CN202223127896.9有效
发明人：丁杰;马鹏程;卢伟;叶伟民 -专利权人：厦门银科启瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种DFB激光器外延结构，从下至上依次包括InP衬底、InP缓冲层、N型InGaAsP分别限制异质结、MQW、P型InGaAsP分别限制异质结、P型InP腐蚀阻挡层、P型InGaAsP光栅层、P型InP
一种 dfb 激光器外延结构

[发明专利]半导体激光器装置-CN200910139065.3无效
发明人：高山彻;永井洋希;佐藤仁;佐藤智也;木户口勋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种可进行红色和红外发光的半导体激光器装置，能够避免输出和特性的恶化，缩小元件幅度。半导体激光器装置(50)在基板(10)上具有红色激光器元件(1)和红外激光器元件(2)。红色激光器元件(1)具备双异质结构，InGaP类或AlGaInP类的活性层(13)被第(1)导电型包覆层(12)和有脊(14a)的第2导电型包覆层(14)夹持；红外激光器元件(2)具备双异质结构，GaAs当第1电极(31)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W1，第2电极(32)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W2时，满足W1＞W2以及80μm≥W2≥60μm的关系。
半导体激光器装置

[发明专利]一种BH激光器及其制作方法-CN202211070956.X在审
发明人：蔡阳光;刘应军;王权兵;易美军;徐帅 -专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种BH激光器及其制作方法，所属激光器制造技术领域，BH激光器包括：第一外延结构、第二外延结构、第三外延结构、P面电极层和N面电极层；在外延结构上增加了AlGaInAs SCH层代替现有的非对称波导结构掩埋采用MESA结构，MESA通过反ICP及湿法非选择腐蚀制作MESA，再通过PNP异质结掩埋工艺，实现电流和光场限制，限制了电流的横向扩散，输出光斑呈现近圆形，提高了芯片的光束质量，提了高光输出功率和器件耦合效率
一种 bh 激光器及其制作方法