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[发明专利]一种基于欧拉路径的异质图元表示方法及系统-CN202111612657.X在审
发明人：刘士军;梅广旭;叶思远;潘丽 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F16/90 文献下载
摘要：本发明属于异质信息网络技术领域，提供了一种基于欧拉路径的异质图元表示方法及系统。其中，该方法包括获取异质信息网络，估计异质图元的分布；从所有类别的异质图元中选择若干个最大不相关程度的异质图元将选择出的异质图元转换为相应的欧拉路径；利用异质图元内的注意力机制，学习节点与异质图元对应的欧拉路径上的邻居之间的权重，进而得到异质图元内的节点表示；利用异质图元间的注意力机制，学习不同异质图元之间的权重，进而得到异质图元间的节点表示。
一种基于路径异质图元表示方法系统

[发明专利]一种异质网络社团结构以及基于该结构的社团发现方法-CN201610815759.4在审
发明人：翟学萌;艾小翔;马万伦;胡光岷 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-09-12 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明公开一种异质网络社团结构以及基于该结构的社团发现方法，首先提出了异质网络的零模型，为研究复杂网络中异质网络结构提供了基础的随机化网络模型；并在其基础上提出了适用于异质网络的功能函数异质网络的模块度，为异质网络社团评价提供了新方法；然后在异质网络模块度的基础上，定义了异质网络的社团结构，基于该社团结构提出了基于异质网络模块度最大化的异质网络社团发现方法，有效地发现了异质网络中的社团结构本申请采用同质、异质邻接矩阵全面、有效地描述异质网络连接关系。
一种网络社团结构以及基于发现方法

[发明专利]异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件-CN202110808966.8在审
发明人：周肃;魏文文;符欣;龚道仁;王文静;徐晓华;李晨;程尚之;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件，属于光伏电池制备技术领域。该异质结电池处理方法包括以下步骤：对异质结电池进行切割，得到切片异质结电池；对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理，使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜通过本申请的异质结电池处理方法，能有效减小因激光切割造成的功率损失，提高切割后的异质结电池的效率。
异质结电池处理方法切片组件

[发明专利]异质结电池的制备方法以及异质结电池-CN202210087135.0在审
发明人：张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池的制备方法以及异质结电池，异质结电池的制备方法包括以下步骤：制作出异质结电池；采用UV光照射所述异质结电池的表面，得到表面能值大于40mN/m的异质结电池。UV光可以更好地将异质结电池表面的有机物脏污去除，从而可以提升异质结电池的表面能，得到表面能值大于40mN/m的异质结电池，而且这样可以有效地改善异质结电池与封装胶膜之间的剥离能，提升封装胶膜与异质结电池的连接可靠性
异质结电池制备方法以及

[发明专利]异质人脸识别模型训练方法、人脸识别方法及相关装置-CN202010319293.5有效
发明人：马骏 -专利权人：浙江大华技术股份有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本申请提供异质人脸识别模型训练方法、人脸识别方法及相关装置。异质人脸识别模型训练方法包括：将可见光人脸图像和异质人脸图像联合生成可见光‑异质联合图像；通过可见光‑异质联合图像、可见光人脸图像样本集和异质人脸图像样本集对异质人脸识别模型进行训练。通过本申请的训练方法训练的异质人脸识别模型可以利用可见光照片底库对异质人脸图像进行识别，可以无需使用异质图片底库进行对比，提高异质人脸识别方法的实用性。
异质人脸识别模型训练方法相关装置

[实用新型]一种用于异质性土壤盆栽实验装置-CN202021141581.8有效
发明人：刘骏;杨清培;宋庆妮;郭源 -专利权人：江西农业大学
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于异质性土壤盆栽实验装置，属于盆栽技术领域。该土壤盆栽实验装置包括核心种植隔离圈、一层异质性隔离圈、二层异质性隔离圈、三层异质性隔离圈和底座。所述的核心种植隔离圈设置有若干根系通过孔，根系通过孔与一层异质性隔离圈相通；所述一层异质性隔离圈设置有4个异质隔离室，异质隔离室之间有隔板隔离；所述二层异质性隔离圈设置8个异质隔离室，异质隔离室之间有隔板隔离；所述三层异质性隔离圈设置16个异质隔离室，异质隔离室之间有隔板隔离。该土壤盆栽实验装置解决了水分、养分隔离与根系通过之间的矛盾，可用于研究根系对不同距离上异质性斑块的探索能力，同时可方便研究不同异质性土壤斑块中根系的形态可塑性。
一种用于异质性土壤盆栽实验装置

[发明专利]一种数据处理方法、装置、设备及存储介质-CN202110213201.X有效
发明人：邓颖;蔡政;李成龙;任宇堃;朱志华;蔡越;李池洋;林晓健 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06Q30/0242 文献下载
摘要：本申请公开了一种数据处理方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括获取目标对照实验的第一结果数据集和异质性分析需求信息；基于所述异质性分析需求信息配置原始异质性分析模型的待分析特征，得到目标异质性分析模型；将所述第一结果数据集输入所述目标异质性分析模型，对所述待分析特征进行结果异质性分析，得到所述目标对照实验的异质性分析结果树，所述异质性分析结果树表征所述目标对照实验在所述待分析特征的多个特征取值上的异质性信息利用本申请提供的技术方案能够结合异质性分析模型快速准确的进行结果异质性分析，提升结果异质性分析的效率和可靠性。
一种数据处理方法装置设备存储介质

[发明专利]树脂与异质材料的复合体的制造方法-CN201310493062.6在审
发明人：刘咸柱;韩家伟;刘沙沙 -专利权人：富泰华工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种树脂与异质材料的复合体的制造方法，包括：首先，提供由异质材料制成的异质材料件，对该异质材料件进行脱脂除油清洗。然后，利用纳米压印在异质材料件表面形成具有多个定位孔的光致抗蚀剂层，再利用电浆蚀刻于异质材料件表面蚀刻出多个微孔，同时对该光致抗蚀剂层进行蚀刻并将其移除。接着，将异质材料件置于一成型模具中加热，再将树脂加热并加压注塑与异质材料件的表面接触，树脂侵入到异质材料件表面的微孔中以与异质材料件结合。该树脂与异质材料的复合体的制造方法既环保又适合量产。
树脂材料复合体制造方法

[发明专利]一种异质结电池制备方法-CN202010293089.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池制备方法，异质结电池包括分别设置于所述异质结电池正面和/或背面的导电薄膜层，所述制备方法包括在所述异质结电池正面和/或背面的设定区域内通过喷墨工艺方法去除所述设定区域内的导电薄膜层该异质结电池制备方法通过在激光切割位置或异质结电池的边缘位置通过喷墨工艺方法去除该激光切割位置和边缘位置的导电薄膜层，可避免在激光切割过程中导电薄膜层掺杂到异质结电池内部，降低异质结电池的钝化性能，并影响异质结电池的效率；同时通过该喷墨工艺方法可达到对异质结电池边绝缘的目的，可降低边绝缘区域0.25~0.5mm，达到提升异质结电池效率的目的。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]异质结太阳能电池片的制造方法及异质结太阳能电池片-CN202110169676.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池片的制造方法和异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池片的制造方法包括以下步骤：形成初始异质结太阳能电池片；分割初始异质结太阳能电池片，使得初始异质结太阳能电池片形成若干异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片具有分割面；分割初始异质结太阳能电池片的步骤包括本发明提供的异质结太阳能电池片的制造方法可提高异质结太阳能电池片的光电转化效率。
异质结太阳能电池制造方法

[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法-CN202111237278.7在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法，硅异质结电池组包括多个串联的硅异质结电池，硅异质结电池包括硅异质结主体、设置于硅异质结主体上表面和设置于硅异质结主体下表面的导电图形，硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形与相邻的硅异质结电池下表面的栅线相连。本方发明实施例的硅异质结电池组可提高组件良率，还最大限度地提高了焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
具有电极贯穿硅异质结电池组及其制备方法

[发明专利]一种异质结电池的处理方法-CN202210250868.1在审
发明人：程尚之;周肃;龚道仁;符欣 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池的处理方法。所述的异质结电池的处理方法包括：提供异质结电池，所述异质结电池包括单晶半导体层和非晶半导体层；将所述异质结电池置于暗态环境中，在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。所述异质结电池的处理方法实现了对非晶半导体层内的缺陷以及潜在缺陷的钝化修复，避免了异质结电池因非晶半导体层内的缺陷和潜在缺陷的存在发生效率衰减。
一种异质结电池处理方法

[发明专利]基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器-CN202210320603.4在审
发明人：刘美萍;唐勇;刘文富;白柳杨 -专利权人：黄淮学院
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器，本发明属于光电探测器技术领域。本发明的电极探测器，包括隔离硅体，所述隔离硅体采用二维材料InSe/GaAs异质结材料，所述二维材料InSe/GaAs异质结为直接带隙的II型异质结构，所述II型异质结构包括Ga端接触的异质结构和As端接触的异质结构；所述Ga端接触的异质结构的带隙为0.62‑1.32eV，所述As端接触的异质结构的带隙为1.84‑1.95eV。二维材料InSe/GaAs异质结相对比单层InSe载流子迁移率大大提升，异质结构扩宽了光吸收范围，增加了对可见光和红外线区域的吸收增强。
基于二维材料 inse gaas 异质结三维沟槽电极探测器

[发明专利]一种异质结构及其制备方法-CN202310639707.6在审
发明人：欧欣;徐文慧;伊艾伦;游天桂;瞿振宇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结构制备方法，包括提供单晶功能材料基板和异质衬底基板；对单晶功能材料基板进行第一离子注入，以形成第一缺陷层，形成第一缺陷层的单晶功能材料基板呈现翘曲状态；对异质衬底基板进行翘曲调控处理，以形成翘曲调控层，形成翘曲调控层的异质衬底基板呈现翘曲状态；键合形成第一缺陷层的单晶功能材料基板和形成翘曲调控层的异质衬底基板，得到异质键合体；对异质键合体进行剥离，得到目标异质结构。本申请的异质结构制备方法通过使异质衬底基板与单晶功能材料基板均形成翘曲，以减小异质衬底基板与单晶功能材料基板间的键合间隙，进而增强键合波的扩散能力，进而增强键合强度。
一种结构及其制备方法

[发明专利]一种头带式异质体监测设备及头部异质体监测方法、系统-CN202010938733.5在审
发明人：王慧泉;吴念;高飞;赵喆 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种头带式异质体监测设备及头部异质体监测方法、系统。所述方法及系统以历史脑部MRI图像为引导，通过建立三维非均匀颅脑模型并进行光学仿真的方式得到样本数据，利用所述样本数据得到训练好的深度学习网络模型，结合头带式异质体监测设备实时测得的异质体光强数据完成对异质体图像的重建所述头带式异质体监测设备能够实时、准确的监测异质体信息，并能够将重建完成的异质体图像实时显示，实现了快速、无创、实时、准确的异质体监测。
一种头带式异质体监测设备头部方法系统

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