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[发明专利]一种涂布机烘箱、二氧化硅复合绝热材料及其制备方法-CN201810110049.0在审
发明人：余玉英 -专利权人：深圳前海优容科技有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： B32B7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种涂布机烘箱、二氧化硅复合绝热材料及其制备方法，所述方法包括：提供软性基底层；将预制的二氧化硅绝热层浆料涂覆在所述软性基底层上，得到二氧化硅绝热预涂层；除去所述二氧化硅绝热层浆料中多孔二氧化硅颗粒间及多孔二氧化硅孔道内的粘结剂，得到所述二氧化硅复合绝热材料；所述二氧化硅绝热层浆料包括多孔二氧化硅、粘结剂与水。
二氧化硅复合绝热材料绝热层多孔二氧化硅涂布机烘箱基底层粘结剂浆料软性制备多孔二氧化硅颗粒应用范围广浆料涂覆绝热过程绝热预涂层预制的孔道

[实用新型]一种基于石墨烯的太赫兹波段偏振不敏感光调制器-CN202123081647.6有效
发明人：王迎来;王子昂;黄旭光;周桂耀 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于石墨烯的太赫兹波段偏振不敏感光调制器，包括倒置的“U”型石墨烯层、二氧化硅包层、二氧化硅衬底层、方形GaAs芯层、倒置的“U”型多晶硅电极层和两个金属电极；方形GaAs芯层被二氧化硅包层包裹，位于二氧化硅衬底层上方；倒置的“U”型多晶硅电极层夹杂在二氧化硅包层和二氧化硅衬底层中；倒置的“U”型石墨烯层平放在二氧化硅包层和二氧化硅衬底层上方；两个金属电极分别放置于左边多晶硅电极层上方和右边的石墨烯层上方
一种基于石墨赫兹波段偏振不敏感光调制器

[发明专利]一种用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法-CN200710172267.9有效
发明人：孔蔚然;董耀旗;李容林;李栋;李寒冰 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成浅沟槽隔离结构、逻辑器件区域和闪存器件区域；依次沉积底层二氧化硅层、中层氮化硅层、顶层二氧化硅层三层电介质薄膜；刻蚀顶层二氧化硅层和中层氮化硅层形成D形侧墙结构；刻蚀停止在底层二氧化硅层；涂布掩盖逻辑器件部分，进行闪存器件的漏极离子注入；去除光刻胶，刻蚀二氧化硅，中层氮化硅层上的二氧化硅以及衬底表面剩余的底层二氧化硅层都被去除，形成L形侧墙结构；涂布光刻胶掩盖闪存器件区域
一种用于嵌入式闪存对准源漏极制造方法

[发明专利]一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管-CN201910459108.X有效
发明人：宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;王栋 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底层；漂移层，位于N+衬底层上；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽侧壁P型区侧边与沟槽第一侧壁、沟槽底部P型区侧边贴合；二氧化硅层，包括：纵向二氧化硅层和横向二氧化硅层，横向二氧化硅层设置沟槽上，与沟槽第二侧壁贴合，纵向二氧化硅层设置横向二氧化硅层上，与沟槽第二侧壁贴合；金属层，位于漂移层表面、P型区、二氧化硅层上，部分金属层与二氧化硅层、漂移层形成金属氧化物半导体；金属区域，位于金属层表面。本发明采用P型区半沟槽结构，且在二氧化硅层形成金属氧化物半导体，在正向导通电阻减小的同时，漏电流减小，击穿特性改善。
一种集成金属氧化物半导体混合 pin 肖特基二极管

[发明专利]一种实现辐射制冷的二氧化硅热超材料及其应用-CN202110070272.9有效
发明人：范春珍;殷怀远 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： F25B23/00 文献下载
摘要：本发明属于热超材料及辐射制冷技术领域，公开一种实现辐射制冷的二氧化硅热超材料及其应用。所述二氧化硅热超材料由反射层及位于其上的吸收层组成，所述吸收层由基底层和图案层组成；所述反射层由从上到下交替排列的二氧化钛层和氟化镁层组成；所述基底层由从上到下依次排列的二氧化硅层、氮化硅层和二氧化钛层组成，所述图案层由在二氧化硅层上表面上呈周期性排布的二氧化硅结构单元组成，所述二氧化硅结构单元包括两个大小相等的二氧化硅等腰直角三棱柱，这两个二氧化硅等腰直角三棱柱关于二氧化硅结构单元的几何中心对称。
一种实现辐射制冷二氧化硅材料及其应用

[发明专利]一种具有疏水自清洁功能的装饰性复合涂层及其制备方法-CN201210169644.4无效
发明人：朱元义 -专利权人：广州市番禺双石钛金厂
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有疏水自清洁功能的装饰性复合涂层及其制备方法，其制备时先在基底表面上沉积一层颜色打底层，然后在颜色打底层表面沉积二氧化硅，最后通过硅烷偶联剂对二氧化硅进行表面改性，得到改性二氧化硅层，制得的产品依次包括基底、颜色打底层和改性二氧化硅层。
一种具有疏水清洁功能装饰性复合涂层及其制备方法

[发明专利]亲水性构件及使用其的透镜、车载用相机、树脂膜和窗户-CN201980090434.6有效
发明人：佐佐木洋;森俊介 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：一种亲水性构件，包括基材、基底层和最外表面层，基底层配置在基材与最外表面层之间，最外表面层含有二氧化硅粒子、二氧化钛粒子和二氧化硅粘合剂，基底层含有二氧化硅。
亲水性构件使用透镜车载相机树脂窗户

[实用新型]一种应用于镜片背面的抗紫外减反射膜及其镜片-CN201621040285.2有效
发明人：林振兴;黄志峰;李剑波 -专利权人：东莞粤恒光学有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本实用新型涉及镜片技术领域，具体涉及一种应用于镜片背面的抗紫外减反射膜及其镜片，包括设置于镜片背面的一氧化硅层，设置于一氧化硅层背面的底层二氧化硅层、设置于底层二氧化硅层背面的底层五氧化三钛层、设置于底层五氧化三钛层背面的中层二氧化硅层、设置于中层二氧化硅层背面的表层五氧化三钛层和设置于表层五氧化三钛层背面的表层二氧化硅层。
一种应用于镜片背面紫外减反射膜及其

[发明专利]一种复合单晶压电基板及其制备方法-CN202010555085.5在审
发明人：李真宇;张秀全;李洋洋;张涛;王金翠 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L41/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合单晶压电基板及其制备方法，所述复合单晶压电基板包括依次叠加的衬底层、损伤层、二氧化硅层和单晶压电层，其中，所述损伤层包覆于所述衬底层内部，并且，损伤层‑二氧化硅层的界面与衬底层‑二氧化硅层的界面共面，所述结构损伤由激光刻蚀形成，能够捕获载流子，从而削弱甚至消除信号损耗，本申请提供的方法首先在衬底层上利用热氧化的方法制备二氧化硅层，再通过激光刻蚀的方法在衬底层‑二氧化硅层界面处制备损伤层，并使所述损伤层完全位于衬底层中，将热氧化步骤设置于制备损伤层之前，能够有效避免热氧化工艺对损伤层中损伤的恢复，从而保证损伤层具有较高的捕获载流子的能力。
一种复合压电及其制备方法

[发明专利]用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法-CN200410035089.1无效
发明人：李俊峰;杨荣;李力南;扈焕章;蒋浩杰;白国斌;钱鹤 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：淀积二氧化硅/氮化硅/二氧化硅三层复合介质；步骤2：光刻胶保护螺旋电感区域，暴露螺旋电感平面以外的区域；步骤3：湿法腐蚀顶层二氧化硅，干法刻蚀氮化硅及底层二氧化硅；步骤4：去胶清洗。
用于提高集成电感品质因数局部介质方法

[发明专利]一种含增益辅助的硅双线系统-CN201910221469.0有效
发明人：史丽娜;陈生琼;谢常青;牛洁斌;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明提供一种含增益辅助的硅双线系统，所述系统包括：二氧化硅衬底层；在所述二氧化硅衬底层上端面按照预设排布周期设置有硅双线组；在所述二氧化硅和所述硅双线组的表面覆盖有嵌入了增益材料的二氧化硅增益层。本发明能够使单晶硅线和外层二氧化硅层中所含有的增益材料产生耦合，并且两根单晶硅线之间也会产生近场耦合，从而极大的增强近场，发射谱和反射谱的谱线宽度也会极大减小，峰值极大增加。
一种增益辅助双线系统

[实用新型]具有防粘连功能的双向拉伸聚丙烯薄膜-CN201420706139.3有效
发明人：陈利红;李洪文;任通;余序安;陈华;袁学明;何权;茹晓;孙幼琴;高建峰;曹栋梁 -专利权人：浙江凯利新材料股份有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有防粘连功能的双向拉伸聚丙烯薄膜，属于双向拉伸聚丙烯薄膜的技术领域，包括依次复合的表层、芯层、底层，所述的表层和底层上均设置有二氧化硅颗粒，二氧化硅颗粒的外表面均复合有有机化合物层，且位于表层上的二氧化硅颗粒的局部凸出于表层外，位于底层上的二氧化硅颗粒的局部凸出于底层外。
具有粘连功能双向拉伸聚丙烯薄膜

[发明专利]AR膜的制备方法及应用-CN202110454159.0在审
发明人：胡良云;何云富;赵克;何春荣;古海裕;王士敏;朱泽力 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本申请涉及镀膜技术领域，提供了一种AR膜的制备方法，包括如下步骤：提供柔性衬底，在所述柔性衬底的表面进行镀膜处理，得到与所述柔性衬底层叠设置的打底二氧化硅膜层；沿背离所述打底二氧化硅膜层的表面的方向，在所述打底二氧化硅膜层背离柔性衬底的表面制备交替层叠的五氧化二铌膜层或二氧化硅膜层，得到AR膜；其中，所述五氧化二铌膜层与所述打底二氧化硅膜层层叠结合。通过设置打底二氧化硅膜层，使打底二氧化硅膜层与柔性衬底结合的膜层应力较低，保证打底二氧化硅膜层与柔性衬底能够更好地结合，不会出现龟裂的情况；再通过交替制备二氧化硅膜层和五氧化二铌膜层，使得到的AR膜硬度高
ar 制备方法应用

[发明专利]硅‑二氧化硅界面原子结构模型的建立方法-CN201410063874.1有效
发明人：荣丽梅;杜龙欢;周龙;肖聪;杜江峰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅‑二氧化硅界面原子结构模型的建立方法，包括以下步骤（1）建立硅、二氧化硅的晶胞结构模型；（2）分别建立硅、二氧化硅的超晶胞结构；（3）分别建立硅表面结构与二氧化硅表面结构；（4）利用所建立的表面结构构建层结构；（5）在层结构中添加真空层，使之成为叠层超晶胞结构；（6）在叠层超晶胞结构中添加原子结构，形成界面过渡区结构；（7）将底层和顶层原子与氢原子连接成键，使底层和顶层的原子的成键饱和；（8）结构优化，得到硅‑二氧化硅界面的原子结构模型。本发明能够建立包括衬底硅晶体结构、界面过渡区结构和二氧化硅结构在内的完整的硅‑二氧化硅界面结构，并优化了建模过程中的关键参数。
二氧化硅界面原子结构模型建立方法

[发明专利]一种疏水性铝合金复合材料-CN201811549297.1有效
发明人：何录菊;马李;盘茂森;葛雅莉 -专利权人：广东石油化工学院
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种疏水性铝合金复合材料，包括为铝合金基底层，铝合金基底层上涂覆有环氧树脂保护层，环氧树脂保护层上依次沉积有第一二硫化钼层、第一二氧化硅层、第二二硫化钼层、第二二氧化硅层、第三二硫化钼层和第三二氧化硅层，第一二硫化钼层、第一二氧化硅层、第二二硫化钼层、第二二氧化硅层、第三二硫化钼层、第三二氧化硅层依次沉积叠加在在环氧树脂保护层上，第一二氧化硅层、第二二氧化硅层、第三二氧化硅层的粒径依次梯度递增。
一种疏水铝合金复合材料

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