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- [发明专利]一种基于工艺要素的工艺设计方法-CN202111351696.9在审
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孙连胜;谭益梅;冯锦丹
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北京卫星制造厂有限公司
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2021-11-16
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2022-03-22
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G06Q10/06
- 本发明涉及一种基于工艺要素的工艺设计方法,其特征在于，包括：S1.首先通过工艺识别模块建立产品类型与工艺类型的映射关系；S2.再通过工艺类型定义模块识别产品类型，从工艺类型数据库中调取与之相匹配的工艺类型；S3.在确定工艺类型后，通过工艺路线模块建立初步的工艺路线图；S4.再根据初步的工艺路线图中的加工过程，从工艺数据库中调取相关工艺和工序对象；S5.通过结构性工艺管理模块对工艺中所涉及的工序和工序要素对象进行组织管理；S6.建立工艺要素与工艺类型之间的映射关系，并根据所述工艺和工序对象从工艺要素数据库中调取相关的工艺要素；S7.将上述工艺要素与所述工艺路线图结合，并输出最终的工艺路线‑工艺要素‑完整工艺的结构化关系图
- 一种基于工艺要素设计方法
- [发明专利]一种板件分拣方法、存储介质及服务器-CN202210012429.7在审
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徐新天
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广东联邦家私集团有限公司
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2022-01-06
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2022-05-13
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B07C5/34
- 本发明公开了一种板件分拣方法、存储介质及服务器，所述板件分拣方法包括步骤：获取订单信息，所述订单信息对应一套产品；根据订单信息确认需求的板件种类、每种板件对应的数量以及工艺图纸；根据工艺图纸生成与任一板件对应的二维码信息和工艺类型特征码，所述二维码信息包括与工艺类型特征码对应的工艺类型信息；本申请公开的板件分拣方法，可根据订单信息和工艺图纸生成工艺类型特征码，在分拣过程中，工作人员可根据工艺类型特征码快速确认板件的加工工艺，并进行分类码垛，减少不必要的流转搬运时间，大大提高加工效率和分拣效率；此外工作人员可扫描二维码获取与工艺类型特征码对应的工艺类型信息，方便工作人员确认加工类型和加工流程。
- 一种分拣方法存储介质服务器
- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN202011643726.9在审
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黄康荣;宁润涛;周正良;庞宏民
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2020-12-31
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2021-05-14
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H01L21/336
- 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底上形成有第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层中形成有沟槽，所述第一导电类型外延层上形成有硬掩模层；进行第一离子注入工艺，在所述沟槽下方的第一导电类型外延层内形成第二导电类型离子注入层；进行热退火工艺，以激活所述第一离子注入工艺中注入的离子。本发明在沟槽底部的第一导电类型外延层中形成第二导电类型离子注入层并进行退火工艺，降低了沟槽底部的电场强度，提高了沟槽底部的击穿电压，以便在此基础上通过提高所述第一导电类型外延层的掺杂浓度或减薄所述第一导电类型外延层的厚度来减小所述半导体器件的导通电阻
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]掺杂方法-CN201410706160.8在审
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沈培俊;金光耀;王懿喆;陈炯;洪俊华
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上海晶玺电子科技有限公司
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2014-11-27
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2016-06-22
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H01L31/18
- 本发明公开了一种掺杂方法，包括：在第一导电类型衬底的背面注入第一导电类型离子以形成第一导电类型注入层；通过热扩散工艺在该第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺杂层，并且扩散过程中在该第一导电类型掺杂层和该第一导电类型注入层上分别形成氧化层，并且在热扩散过程中修复离子注入的损伤、激活掺杂离子和热推进；蚀刻背面的预定区域直至暴露出该第一导电类型衬底；在与该预定区域相对应的衬底中形成第二导电类型掺杂区域。本发明充分利用了离子注入和扩散掺杂的工艺特点，先采用离子注入形成背场再通过扩散法形成前场，两道工艺即能实现四种效果，具有极高的工艺连贯性。
- 掺杂方法
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