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[实用新型]一种可对裸露端进行屏蔽功能的场效应管-CN202221104905.X有效
发明人：张西刚;李杲宇 -专利权人：深圳市深鸿盛电子有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可对裸露端进行屏蔽功能的场效应管，包括：场效应管主体、引脚和定位孔，所述场效应管主体的底部连接有引脚，所述引脚在场效应管主体的底部设置有三组；所述场效应管主体的表面开设有定位孔，所述引脚的表面套接有屏蔽套，靠近场效应管主体的所述屏蔽套的一侧连接有第一密封圈，靠近引脚的所述屏蔽套的表面开设有通孔，所述通孔的内壁连接有第二密封圈，所述屏蔽套的表面开设有固定孔，靠近固定孔的所述场效应管主体的表面连接有卡勾。该可对裸露端进行屏蔽功能的场效应管，通过屏蔽套、第一密封圈与第二密封圈的设置，可以将屏蔽套固定在引脚与场效应管主体的连接处，方便增加场效应管主体(1)裸露端的屏蔽功能。
一种裸露进行屏蔽功能场效应

[发明专利]磁阻效应再现头-CN200510091913.X无效
发明人：秋元秀行 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种磁阻效应再现头，包括由下屏蔽层和上屏蔽层构成的屏蔽部分，并且防止由磁屏蔽层的磁畴结构造成的头输出中的波动，因此具有更加稳定的头输出。在包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分的磁阻效应再现头中，该屏蔽部分被形成为具有在高度方向上不对称的多边形平面形状。
磁阻效应再现

[发明专利]磁传感器和存储装置-CN200710096498.6无效
发明人：北岛政充 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及磁传感器和存储装置，提供了一种隧道效应型磁阻头，该磁阻头可在不降低屏蔽效应的情况下，防止由于与磁记录介质进行接触而引起的隧道效应型磁阻效应元件的劣化。为了以上目的，在该隧道效应型磁阻头中，减小了从气垫面观看的屏蔽电极层的暴露表面积，并且在该屏蔽电极层外侧还设置有屏蔽层。
传感器存储装置

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管-CN202211653461.X在审
发明人：钱振华;张艳旺;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，屏蔽栅场效应晶体管包括一定数目的电极结构，一定数目的电极结构中存在第一电极结构，第一电极结构包括：栅极、氧化层和P型辅助耗尽层；栅极设置于P型辅助耗尽层的上方；栅极被氧化层包围本发明提出的屏蔽栅场效应晶体管中将部分屏蔽栅去除，并在深槽间区域引入了P型辅助耗尽层进行电荷平衡效应的补偿，实现了缓变的耗尽效果，从而使屏蔽栅场效应晶体管具备缓变的输出电容，改善了屏蔽栅场效应晶体管输出电容的非线性程度，降低了屏蔽栅场效应晶体管在实际应用中产生的电压震荡和电磁干扰，提高了屏蔽栅场效应晶体管的性能。
屏蔽场效应晶体管

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法-CN201810351436.3在审
发明人：黄昕;张帅 -专利权人：张帅;黄昕
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。由于该屏蔽栅场效应晶体管的制造方法中首先在沟槽底部形成底部氧化层，再于沟槽表面形成屏蔽栅氧化层，因此利用该方法形成的屏蔽栅场效应晶体管的屏蔽栅底部的氧化层厚度较其它位置更厚，可以达到减弱屏蔽栅底部电场的目的，从而避免屏蔽栅底部击穿，提升器件耐用性，且本发明的屏蔽栅场效应晶体管的结构简单，其制造方法工艺简便，成本也相当低廉。
屏蔽栅场效应晶体管屏蔽栅制造半导体技术领域屏蔽栅氧化层制造方法工艺底部氧化层沟槽表面提升器件电场耐用性氧化层击穿

[发明专利]阴极保护屏蔽效应测试装置以及方法-CN202011280837.8在审
发明人：钟婷;陈振华;毕武喜;李莉;田磊;祁惠爽;刘猛;张立新;温玉芬;徐承伟 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C23F13/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种阴极保护屏蔽效应测试装置以及方法，属于管道腐蚀防护领域。该阴极保护屏蔽效应测试装置包括测量组件、电源组件以及位于电解质溶液中的管道模拟组件，所述管道模拟组件包括基板、在所述基板上阵列排布的多个电极以及铺设在所述多个电极上的防腐层。通过该装置可以测试获得管道的防腐层剥离参数与阴极保护电流的屏蔽效应的关系，进而便于根据该关系来评估和解决管道的阴极保护屏蔽问题。且通过该装置可以对管道阴极保护屏蔽效应进行测量与分析，解决了相关技术中无法在现场进行阴极保护屏蔽效应测试和分析的难题。从而为管道防腐层剥离区的阴极保护屏蔽效应提供有效的解决方案。
阴极保护屏蔽效应测试装置以及方法

[发明专利]一种平面状周期开孔屏蔽体的屏蔽效能确定方法及系统-CN202010841437.3有效
发明人：文卫兵;刘杰;杨勇;郭铭群;石岩;李明;杨志栋;潘励哲;冯迎春;王加龙;李琦;魏争;白婉欣;焦重庆;王肃;雷鸣 -专利权人：国网经济技术研究院有限公司;华北电力大学;国网山东省电力公司检修公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面状周期开孔屏蔽体的屏蔽效能确定方法及系统。本发明采用屏蔽效能测试系统测量的方式确定边缘效应的临界尺寸，并利用发射天线轴线上场点的屏蔽效能计算方法计算有效作用区域的屏蔽效能，实现了平面状周期开孔屏蔽体的边缘效应产生的边界的确定及边缘效应产生的边界的范围内的屏蔽效能的准确地计算
一种平面周期屏蔽效能确定方法系统

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法(柱形)-CN201810351439.7有效
发明人：张帅;黄昕 -专利权人：济南安海半导体有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。由于该屏蔽栅场效应晶体管的制造方法中，在完成沟槽底部的第一次屏蔽栅掺杂多晶硅淀积后，刻蚀减薄了屏蔽栅侧壁氧化层，再进行第二次屏蔽栅掺杂多晶硅淀积，因此利用该方法形成的屏蔽栅场效应晶体管的屏蔽栅底部的氧化层厚度较其它位置更厚，可以达到减弱屏蔽栅底部电场的目的，从而避免屏蔽栅底部击穿，提升器件耐用性，且本发明的屏蔽栅场效应晶体管的结构简单，其制造方法工艺简便，成本也相当低廉。
屏蔽场效应晶体管及其制造方法柱形

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法-CN201810351456.0有效
发明人：黄昕;张帅 -专利权人：济南安海半导体有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。由于该屏蔽栅场效应晶体管的制造方法中首先形成台阶式沟槽，进而在沟槽底部形成底部氧化层，再于沟槽表面形成屏蔽栅氧化层，因此利用该方法形成的屏蔽栅场效应晶体管的屏蔽栅底部的氧化层厚度较其它位置更厚，可以达到减弱屏蔽栅底部电场的目的，从而避免屏蔽栅底部击穿，同时改变了栅结构的形貌，优化了电流导通路径，提升器件耐用性，且本发明的屏蔽栅场效应晶体管的结构简单，其制造方法工艺简便，成本也相当低廉。
屏蔽场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]SOT差分读取器及其制造方法-CN202180006727.9在审
发明人：乐广;刘晓勇;白志刚;李占杰;何国新;高野公史 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：该SOT差分读取器是多端子设备，该多端子设备包括第一屏蔽件、第一自旋霍尔效应层、第一自由层、间隙层、第二自旋霍尔效应层、第二自由层和第二屏蔽件。该间隙层设置在该第一自旋霍尔效应层与该第二自旋霍尔效应层之间。电引线连接位于该第一自旋霍尔效应层、该第二自旋霍尔效应层、该间隙层、该第一屏蔽件和/或该第二屏蔽件周围。这些电引线连接的定位和这些SOT差分层的定位提高了读取器分辨率，而不会减小屏蔽件‑屏蔽件间距(即，读取间隙)。
sot 读取器及其制造方法

[发明专利]磁头、头悬架组件和磁性再现装置-CN200510092661.2无效
发明人：船山知己 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种磁头，具有磁阻效应元件(1)，该磁阻效应元件叠置了多个磁性膜，并且该磁头在磁阻效应元件的膜厚度方向上传导读出电流，该磁头的特征在于包括：第一屏蔽层(2)，叠加在磁阻效应元件的一个表面上，并且其面积大于这个表面的面积；第一引线层(4)，形成在从第一屏蔽层叠加在磁阻效应元件上的部分到第一屏蔽层上的另一个部分的范围内，并且该第一引线层向磁阻效应元件施加读出电流；第二屏蔽层(3)，叠加在磁阻效应元件上的与所述一个表面相对的另一个表面上，并且其面积大于该另一个表面的面积；第二引线层(5)，形成在从第二屏蔽层叠加在磁阻效应元件上的部分到第二屏蔽层上的另一个部分的范围内，并且该第二引线层向磁阻效应元件施加读出电流。
磁头悬架组件磁性再现装置

[发明专利]复合屏蔽栅场效应晶体管-CN202310024068.2有效
发明人：钱振华;康子楠;张艳旺;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种复合屏蔽栅场效应晶体管，该复合屏蔽栅场效应晶体管包括：一定数目的电极结构，各电极结构均包括：栅极、屏蔽栅和第一源极接触层；屏蔽栅通过凹槽分段设置；栅极设置在屏蔽栅上方；第一源极接触层设置在各段屏蔽栅上方，栅极包括设置在凹槽内的凹槽端以及凹槽外的第一侧端和第二侧端，其中，第一侧端与第二侧端均与凹槽端连接，且第一侧端和第二侧端交错设置于屏蔽栅两侧。本发明通过第一源极接触层设置在各段屏蔽栅上方，并将栅极凹槽外的第一侧端和第二侧端设置在屏蔽栅两侧，避免了传统屏蔽栅场效应晶体管由于寄生电阻效应和耦合电容效应引起栅极电压变化所导致栅极误开启的现象。
复合屏蔽场效应晶体管

[发明专利]复合薄膜磁头、磁头组件和磁盘驱动装置-CN200610080345.8有效
发明人：加加美健朗;清野浩;平林启;小俣英一;矢里晴司;坂本孝光 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合薄膜磁头包括：基板；形成在所述基板上的底层；形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件，其中，读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层；层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层；形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件，其中，第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对；以及，形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。
复合薄膜磁头组件磁盘驱动装置

[发明专利]磁记录头及磁记录再现装置-CN03178645.6无效
发明人：中本一广;星屋裕之;石川千明 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2003-07-18 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：所述磁头具有上部屏蔽层31、下部屏蔽层32、配置在其间的磁电阻效应膜10、电耦合在磁电阻效应膜10上的一对电极31、32。在磁电阻效应膜10的两侧面，形成由上部屏蔽层31的一部分构成的一对侧面屏蔽层，并使侧面屏蔽层与磁电阻效应膜10之间的间隔形成为比上部屏蔽层31与下部屏蔽层32之间的间隔的2倍窄。由此，可使侧面读取量小于由上下屏蔽间隔和磁头－媒体间的磁隙决定的现有值。
记录再现装置

[发明专利]一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管-CN202111487225.0有效
发明人：杨国江;于世珩;白宗纬;张胜凯 -专利权人：江苏长晶浦联功率半导体有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管，在制作屏蔽导体的过程中，沟槽侧壁以及外延上表面一直留存氧化层来保护外延层，当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后，再次沉积氧化层进行补充，补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于消耗之后的厚度，然后再继续制作屏蔽导体，据此消耗则补充的原则，结合场效应管电压需求进行仿真调试，得到对应电压需求的具有非渐变宽度屏蔽导体及非渐变厚度氧化层的场效应管。本发明提出的屏蔽栅沟槽场效应管结构能够实现较好的外延利用率，在与传统SGT具有相同崩溃电压的条件下，本发明同比可以实现更小的特征电阻，且本发明的结构能够在上下电极之间实现较小的Cgs电容。
一种屏蔽沟槽场效应制造方法

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