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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]位置检测装置-CN202010517993.5有效
发明人：蔡永福;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：位置检测装置具备产生检测对象磁场的磁铁、和磁传感器。磁传感器对检测对象磁场进行检测，从而生成与磁铁的位置对应的检测值。磁传感器包含MR元件和基板。基板包含主面。MR元件接受的检测对象磁场具有在第一平面内变化的第一方向。MR元件含有具有方向可在与主面平行的第二平面内变化的第一磁化的磁性层。第一平面和第二平面形成90°之外的二面角而交叉。检测值依存于第一磁化的方向。
位置检测装置

[发明专利]检查装置及磁传感器的检查方法-CN202211411339.1在审
发明人：渡部司也;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种检查装置，其具备：具有载置面的载置台、和第一磁场产生器及第二磁场产生器。第一磁场产生器以能够使其姿势变化，并且单独地产生第一磁场的方式构成。第二磁场产生器以能够使其姿势变化，并且单独地产生第二磁场的方式构成。第一磁场产生器和第二磁场产生器以协动地产生合成磁场的方式构成。
检查装置传感器方法

[发明专利]磁传感器-CN202010092230.0有效
发明人：高野研一;斋藤祐太;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：磁传感器(1)具有相互连接的多个MR元件(11A～14A)。多个MR元件(11A～14A)属于在各自由层(26)的磁化方向沿同一方向旋转规定角度时电阻增加的组(G1)和电阻减少的组(G2)中的任一组。一组的电阻元件的电阻的增加所引起的磁传感器(1)的输出的变动和另一组的电阻元件的电阻的减少所引起的磁传感器(1)的输出的变动相抵消。
传感器

[发明专利]位置检测信号的校正方法和位置检测装置-CN202011561766.9有效
发明人：蔡永福;平林启;一桥秀辅 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：本发明提供位置检测信号的校正方法和位置检测装置。位置检测装置是用于检测能够在规定的可动范围内移动的检测对象物的位置的装置。该位置检测装置包括：以随着上述检测对象物的移动而一体地移动的方式配置的第一磁体和第二磁体；配置在可动范围外的位置的、检测第一磁体的磁场的第一磁检测电路和检测第二磁体的磁场的第二磁检测电路；以及差分放大器，其将从第一磁检测电路和第二磁检测电路输出的磁场的检测信号之差放大，作为检测对象物的位置检测信号输出。
位置检测信号校正方法装置

[发明专利]磁阻效应元件、磁阻效应装置和磁传感器-CN202211213504.2在审
发明人：高野大地;太田宪和;平林启;渡部司也 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供磁阻效应元件、磁阻效应装置和磁传感器。MR元件包括第一磁性层、第二磁性层、和配置在第一磁性层与第二磁性层之间的非磁性层。第一磁性层的形状磁各向异性被设定在第一基准方向，且第一磁性层具有方向能够响应外部磁场而变化、并且在没有施加外部磁场的状态下朝向第一磁化方向的磁化。第二磁性层的形状磁各向异性被设定在第二基准方向，且第二磁性层具有方向能够响应外部磁场而变化、并且在没有施加外部磁场的状态下朝向第二磁化方向的磁化。
磁阻效应元件装置传感器

[发明专利]磁传感器-CN202211152548.9在审
发明人：小嶋秀和;牧野健三;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器，其具备：基板，其具有上表面；绝缘层，其配置于基板之上，且具有分别相对于基板的上表面倾斜的第一及第二倾斜面；以及MR元件。MR元件配置于第一倾斜面或第二倾斜面之上。MR元件具有包含相对于第一倾斜面或第二倾斜面所成的角度相互不同的第一部分及第二部分的第一侧面。
传感器

[发明专利]磁传感器装置-CN202211154982.0在审
发明人：太田宪和;望月慎一郎;渡部司也;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：磁传感器装置具备第一检测电路、第二检测电路以及处理器。处理器构成为执行生成第一初始检测值的第一生成处理、生成第二初始检测值的第二生成处理、第一修正处理、第二修正处理、以及确定处理。第一修正处理是修正第一初始检测值并更新第一初始检测值的处理。第二修正处理是修正第二初始检测值并更新第二初始检测值的处理。处理器在交替执行第一修正处理和第二修正处理之后执行确定处理。
传感器装置

[发明专利]磁传感器-CN202211142397.9在审
发明人：川森启太;平林启;梅原弘道 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明的磁传感器具有：绝缘层、配置在绝缘层之上的线圈要素、以及第一绝缘膜。绝缘层具有第一倾斜面和第二倾斜面。线圈要素具有第一侧面和第二侧面。第一侧面包含：第一部分、和配置于比第一部分距基板的上表面更远的位置的第二部分。第一部分以与第一及第二倾斜面交叉的方式倾斜，且以随着靠近基板的上表面而靠近第二侧面的方式倾斜。第一绝缘膜覆盖第一部分。
传感器

[发明专利]传感器-CN202211143001.2在审
发明人：高杉圭祐;牧野健三;平林启;酒井正则 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：磁传感器包含第一绝缘层、第二绝缘层及第三绝缘层、配置于第一绝缘层的与第二绝缘层相反的一侧的下部线圈要素、以及第二MR元件。第二MR元件包含磁化固定层及自由层。磁化固定层及自由层配置于第三绝缘层的与第二绝缘层相反的一侧。第一绝缘层及第三绝缘层各自包含第一绝缘材料。第二绝缘层包含第二绝缘材料。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN201911016372.2有效
发明人：高野研一;斋藤祐太;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种其输出特性对环境温度较不敏感的磁传感器。磁传感器(1)具有：自由层(24)，其磁化方向响应于外部磁场而改变；钉扎层(22)，其磁化方向相对于所述外部磁场固定；间隔层(23)，其位于所述钉扎层(22)与所述自由层(24)之间并表现出磁阻效应；以及至少一个磁性膜(25)，其设置在自由层(24)的侧边并向自由层(24)施加偏置磁场。满足关系0.7≤TC_HM/TC_FL≤1.05，其中TC_HM是所述磁性膜的居里温度并且TC_FL是所述自由层的居里温度。
传感器

[发明专利]磁传感器装置和磁传感器系统-CN202210801122.5在审
发明人：太田宪和;平林启;山胁和真;宫崎州平;渡部司也 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明的磁传感器装置具备至少1个磁传感器和支承体。至少1个磁传感器的元件配置区域的重心从支承体的基准平面的重心偏离。至少1个磁传感器包含由多个磁阻效应元件构成的4个电阻部。2个电阻部各自的自由层的磁化包含第三磁化方向的分量。另外2个电阻部各自的自由层的磁化包含与第三磁化方向为相反的第四磁化方向的分量。
传感器装置系统

[发明专利]磁传感器、磁编码器和透镜位置检测装置-CN202210388867.3在审
发明人：梅原刚;平林启;蔡永福 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本发明提供磁传感器、磁编码器和透镜位置检测装置。磁传感器包括第一～第四电阻体、电源端口、接地端口、第一输出端口和第二输出端口。第一电阻体和第二电阻体配置于第一区域内，且经由与第一输出端口连接的第一连接点串联连接。第三电阻体和第四电阻体配置于第二区域内，且经由与第二输出端口连接的第二连接点串联连接，其中，该第二区域在与X方向平行的方向上至少一部分位于与第一区域不同的位置。第一及第二电阻体在与Y方向平行的方向上配置于第三电阻体与第四电阻体之间。
传感器编码器透镜位置检测装置

[发明专利]磁传感器装置、变换器装置和电池装置-CN202210227333.2在审
发明人：斋藤祐太;平林启 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及磁传感器装置、变换器装置和电池装置。磁传感器装置包括：第1检测电路，生成第1检测信号；线圈，通过流过反馈电流而产生消除磁场；第2检测电路，生成与反馈电流的值具有对应关系的第2检测信号；和控制电路，控制反馈电流。在闭环动作中，控制电路控制反馈电流，以使第1检测信号成为一定值。在开环动作中，控制电路将反馈电流维持为一定值。
传感器装置变换器电池

[发明专利]磁传感器装置-CN201911273832.X有效
发明人：渡部司也;平林启;奥津吉隆;吉田将规 -专利权人： TDK株式会社;旭化成微电子株式会社
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明的磁传感器装置具备复合芯片部件和安装于复合芯片部件上的传感器芯片。传感器芯片包含：第1磁传感器，检测外部磁场的平行于X方向的方向的分量；第2磁传感器，检测外部磁场的平行于Y方向的方向的分量；以及第3磁传感器，检测外部磁场的平行于Z方向的方向的分量。复合芯片部件包含：第1磁场发生器，产生平行于X方向的方向的附加磁场分量；第2磁场发生器，产生平行于Y方向的方向的附加磁场分量；以及第3磁场发生器，产生平行于Z方向的方向的附加磁场分量。
传感器装置

[发明专利]磁检测装置-CN201910480815.7有效
发明人：高野研一;平林启;斋藤祐太 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明的磁检测装置具备：第一磁检测元件，具有第一电阻值，第一电阻值因施加第一方向的第一磁场而增大且因施加第二方向的第二磁场而减小；以及第二磁检测元件，具有第二电阻值，第二电阻值因施加第一磁场而减小且因施加第二磁场而增大。第一磁检测元件和第二磁检测元件均包括第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜，第一磁阻效应膜具有第一长轴方向，第一长轴方向相对于第一方向以第一倾斜角度倾斜；第二磁阻效应膜与第一磁阻效应膜串联且具有第二长轴方向，第二长轴方向相对于第一方向以第二倾斜角度倾斜。而且，该磁检测装置满足条件表达式(1)和条件表达式(2)。
检测装置

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