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[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法-CN202111237278.7在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法，硅异质结电池组包括多个串联的硅异质结电池，硅异质结电池包括硅异质结主体、设置于硅异质结主体上表面和设置于硅异质结主体下表面的导电图形，硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形与相邻的硅异质结电池下表面的栅线相连。本方发明实施例的硅异质结电池组可提高组件良率，还最大限度地提高了焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
具有电极贯穿硅异质结电池组及其制备方法

[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法-CN201710457372.0在审
发明人：王伟;田宏波;赵晓霞;王恩宇;宗军;李洋;杨瑞鹏;周永谋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该硅异质结太阳电池包括：n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；第一透明导电氧化物层；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂n型氢化非晶硅背场层；第二透明导电氧化物层；以及多个金属栅线电极层。该硅异质结太阳电池采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。
硅异质结太阳电池氢化非晶硅轻掺杂透明导电氧化物层氢化非晶硅层重掺杂制备金属栅线电极本征非晶硅串联电阻电池性能发射极层界面钝化背场层钝化层衬底晶硅替代保证

[发明专利]硅基异质结太阳电池及其制备方法-CN202010852298.4有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基异质结太阳电池及其制备方法，其中，硅基异质结太阳电池，包括依次叠层设置的基底、钝化层、电子传输层及透明导电氧化物层，所述电子传输层为纳米硅氧层，所述纳米硅氧层与钝化层之间设置有本征纳米硅层上述方案可以改善电子传输层的电学性能。
硅基异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]硅异质结太阳能电池以及制造方法-CN201780078069.8有效
发明人： P·劳佩;A·因杰尼托;C·巴利夫;G·诺加伊 -专利权人：洛桑联邦理工学院
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结太阳能电池以及制造方法，异质结太阳能电池包括第一电极层、具有第二电极层、光吸收硅层和钝化导电叠层，钝化导电叠层设置在光吸收硅层与第一电极层和第二电极层中的至少一方之间，钝化导电叠层包括至少一个掺杂硅基层和电子带隙大于1.4eV的宽带隙材料层，在光吸收硅层与掺杂硅基层之间的表面上施敷宽带隙材料层，以形成耐热异质结，耐热异质结被设置成在600℃以上的热处理之后至少保持钝化和导电特性，钝化导电叠层与光吸收硅层之间的界面具有非常陡峭的掺杂分布，光吸收硅层中的掺杂物的强度在离界面小于5nm的距离内衰减至少一个数量级，钝化导电叠层和热处理被配置成防止掺杂物从钝化导电叠层扩散到光吸收硅层。
硅异质结太阳能电池以及制造方法

[发明专利]一种硅异质结电池及其制备方法-CN202211551737.3在审
发明人：来霸;倪志春;连维飞;杨飞 -专利权人：江苏爱康科技股份有限公司;江苏爱康能源研究院有限公司;浙江爱康未来科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种硅异质结电池及其制备方法，采用非绒面硅片将光管理需求转移至后续制备的绒面掺硼氧化锌薄膜层中，制得高效且成本低硅异质结电池。该种制备方法在保证硅异质结电池性能的前提下，省略了硅片绒面的制作过程，既简化了硅异质结电池的制备过程，降低了成本，又避免了硅片绒面对生产钝化层、掺杂层工艺的影响。另外，采用绒面掺硼氧化锌薄膜层替代以氧化铟系掺杂氧化物(ITO，InO2：H，IWO等)为主的透明导电氧化物(TCO)膜层，又降低了成本。
一种硅异质结电池及其制备方法

[发明专利]垂直异质结隧道-FET的制造-CN201180024970.X有效
发明人： I·劳尔;P·M·索罗门;S·J·克斯特;A·马宗达 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：示范性实施例包括一种用于制造异质结隧道场效应晶体管（FET）的方法，该方法包括在绝缘体上硅（SOI）衬底的硅层上形成栅极区域，在硅层上邻近栅极区域形成漏极区域并且邻近栅极区域形成垂直异质结源极区域，其中垂直异质结源极区域产生符合与栅极区域相关的栅极场的隧道路径
垂直异质结隧道 fet 制造

[发明专利]一种硅薄膜异质结太阳电池及其制作方法-CN201110390864.5无效
发明人：沈辉;刘超;梁齐兵;艾斌 -专利权人：中山大学
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，具体公开一种新型的硅薄膜异质结太阳电池及其制作方法。该硅薄膜异质结太阳电池包括具有导电薄膜的衬底，所述衬底的导电薄膜上设有第一晶体硅薄膜层，所述该第一晶体硅薄膜层上依次设有本征非晶体硅薄膜层、第二晶体硅薄膜层和透明导电薄膜层，所述透明导电薄膜层上设有金属电极该硅薄膜异质结太阳电池具有较高的效率和较好的稳定性，同时薄膜厚度远远小于目前的晶体硅薄膜太阳电池，减少材料消耗，降低生产成本。
一种薄膜异质结太阳电池及其制作方法

[发明专利]一种选择性掺杂异质结太阳能电池-CN201310110554.2无效
发明人：花国然;王强;孙树叶;朱海峰 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性掺杂异质结太阳能电池，包括P型晶硅层、N型晶硅层、顶电极、底电极，N型晶硅层的上表面依次淀积有非晶硅层、氮化硅抗反射层，非晶硅层内含有从N型晶硅层扩散入的磷元素，非晶硅层与N型晶硅层之间形成同型异质结，非晶硅层具有容顶电极穿过的槽，氮化硅抗反射层嵌入槽内，非晶硅层与顶电极之间通过所述氮化硅抗反射层绝缘，N型晶硅层的顶电极区为重掺杂区。本结构电池的非晶硅薄膜与电池上表面的结合更紧密，提高了异质结的质量，同时选择性掺杂顶电极区的存在可以进一步减小电池的串联电阻，提高电池的性能。电池中的异质结和选择性顶电极区同步形成，减少了电池的制备工艺步骤，电池中杂质浓度的分布更均匀。
一种选择性掺杂异质结太阳能电池

[发明专利]一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管-CN201711481000.8有效
发明人：陈文锁;廖瑞金;李晓玲;蒋玉宇 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区；所述SOI衬底包括衬底层、介质层和顶层硅；所述衬底层为P型或者N型掺杂的硅材料；所述介质层覆盖于衬底层之上，所述介质层为二氧化硅材料；所述顶层硅覆盖于介质层之上，所述顶层硅为P型或者N型掺杂的硅材料；一种异质结电势控制绝缘栅双极晶体管的导电功能区在顶层硅中形成；所述漂移区贴附于介质层的上方，所述漂移区由N基区构成；所述阳极区和阴极区分别位于N基区的两侧；所述阳极区包括硅/锗硅异质结。所述阳极区还包括电势控制结构；所述阴极区包括硅/锗硅异质结；所述栅极区贴附于阴极区上方。
一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]异质结太阳能电池的制备方法及镀膜设备-CN202111579306.3在审
发明人：张达奇;陈曦;吴坚 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池的制备方法及镀膜设备，所述异质结太阳能电池的制备方法包括如下步骤：在硅基的一侧沉积本征非晶硅层；其特征在于，所述异质结太阳能电池的制备方法还包括退火，所述退火在沉积部分所述本征非晶硅层后和/或沉积所述本征非晶硅后。本发明通过对部分本征层或全部本征层进行退火，提高了本征层的钝化效果。
异质结太阳能电池制备方法镀膜设备

[发明专利]一种硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池及其制备方法-CN201711249126.2有效
发明人：张军 -专利权人：徐州佳利泰新型材料科技有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅—Spiro‑OMeTAD异质结光伏电池及其制备方法。该硅—Spiro‑OMeTAD异质结光伏电池的制备方法包括：n型硅基底的清洗；n型硅基底的表面甲基化处理；Spiro‑OMeTAD层的制备；Spiro‑OMeTAD/PEDOT:PSS复合层的制备；PEDOT:PSS层的制备；正面电极的制备；背面电极的制备，其中所述Spiro‑OMeTAD层和所述Spiro‑OMeTAD/PEDOT:PSS复合层中均含有二硒化锆纳米片和二硒化钽纳米片。该硅—Spiro‑OMeTAD异质结光伏电池中各层之间的协同作用使得其具有优异的光电转换效率。
一种 spiro ometad 异质结光伏电池及其制备方法

[发明专利]异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法-CN202010903144.3在审
发明人：张美荣;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池和制备异质结电池的方法，该异质结电池包括衬底层，在所述衬底层的受光面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，其中，所述第一掺杂层包括叠层设置的至少三层掺杂子层。本发明的异质结电池和制备异质结电池的方法，在制程中工艺温度低，更节能，可以增强非晶硅掺杂层的场钝化性能，能有效改善界面间的载流子传输行为，从而保证电荷有效传输，提高异质结电池的光电转换效率。
异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法-CN202110887924.8在审
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;田宏波;宗军;王雪松;李洋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法，包括：a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积；b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积；c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1/铜种子层/TCO2结构，并且采用真空退火处理，沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行，有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量，从而提高了电池性能
硅异质结太阳电池 tco 薄膜 cu 种子制备方法

[发明专利]带有具有整合的掺杂分布的吸收体的异质结太阳能电池-CN200980125790.3无效
发明人：尼尔斯-彼得·哈德尔 -专利权人：太阳能研究所股份有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结太阳能电池(1)及其制备方法。异质结太阳能电池具有硅制成的吸收体层(3)以及掺杂半导体材料制成的至少一个异质结层(5，7)，吸收体层(3)具有基区掺杂，掺杂半导体材料的带隙不同于吸收体层的硅的带隙。吸收体层(3)在朝异质结层(5，7)方向的界面(13，15)处具有掺杂层，所述掺杂层的掺杂浓度高于吸收体层的基区掺杂浓度。作为该掺杂分布的结果，产生了场效应，该场效应防止吸收体层内产生的电荷载流子对朝向吸收体层和异质结层之间的界面扩散，以及防止在那里复合。
带有具有整合掺杂分布吸收体异质结太阳能电池

[发明专利]异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法-CN202211621931.4在审
发明人：宿世超;王伟;刘刚 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明涉及异质结太阳能电池技术领域，具体公开了一种异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法，其中，异质结太阳能电池包括N型晶体硅片；N型晶体硅片的受光面依次叠设氧化硅层、本征非晶硅层、磷掺杂非晶硅层、TCO导电薄膜层、副栅线、隔离薄膜层及主栅线；背光面依次叠设氧化硅层、本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层、TCO导电薄膜层、副栅线、隔离薄膜层及主栅线；隔离薄膜层完全覆盖所述副栅线，所述隔离薄膜层包括第一隔离薄膜子层、第二隔离薄膜子层及第三隔离薄膜子层；该方法控制生产成本前提下提高电池的转化效率，同时解决副栅线使用银包铜浆料氧化失效问题。
异质结太阳能电池制备方法