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[发明专利]存储器装置及应用其的集成电路的制造方法-CN201910336270.2有效
发明人：龙翔澜;赖二琨;叶巧雯 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及应用其的集成电路的制造方法，该三维存储器包括多个第一存取线阶层、多个第二存取线阶层及多个存储单元阶层。存储单元阶层配置于对应的第一存取线阶层及第二存取线阶层之间。第一存取线阶层包括沿第一方向延伸的多个第一存取线以及配置于第一存取线之间的第一牺牲材料的多个剩余部分。第二存取线阶层包括沿第二方向延伸的多个第二存取线以及配置于第二存取线之间的第二牺牲材料的多个剩余部分。存储单元阶层包括在相邻的第一存取线阶层与第二存取线阶层中配置于第一存取线与第二存取线之间的交叉点中的存储柱的阵列。
存储器装置应用集成电路制造方法

[发明专利]用于防止干扰的半导体存储装置-CN201811564717.3有效
发明人：朴镇寿 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：一种半导体存储装置包括存取线控制电路。存取线控制电路向与目标存储单元耦接的所选存取线施加所选偏置电压，并且向邻近于所选存取线的未选存取线施加第一未选偏置电压。向不邻近于所选存取线的未选存取线施加第二未选偏置电压。
用于防止干扰半导体存储装置

[发明专利]存储器单元阵列及形成存储器单元阵列的方法-CN201480007700.1有效
发明人：刘峻;库诺·R·派瑞克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种存储器单元阵列，其包含具有导电掺杂半导体材料的埋入式存取线。支柱在高度上从所述埋入式存取线向外延伸且沿着所述埋入式存取线间隔开。所述支柱个别地包含存储器单元。外部存取线在高度上从所述支柱及所述埋入式存取线向外。所述外部存取线相比于所述埋入式存取线具有更高导电性。多个导电通孔沿着所述埋入式及外部存取线中的个别者的线对间隔开且电耦合所述线对。多个所述支柱沿着所述线对在所述通孔中的紧邻近者之间。导电金属材料直接抵靠所述埋入式存取线的顶部且沿着所述个别埋入式存取线在所述支柱之间延伸。本发明揭示包含方法的其它实施例。
存储器单元阵列形成方法

[发明专利]存储器单元编程-CN202111010452.4在审
发明人： C·H·萧;M·皮卡尔迪;Q·V·阮 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：具有存储器单元阵列和各自连接到所述存储器单元阵列中的相应多个存储器单元的多个存取线的存储器可包含控制器，所述控制器经配置以使所述存储器进行以下操作：将具有第一目标电压电平和第一脉冲宽度的相应编程脉冲施加到所述多个存取线的第一存取线子集中的每一存取线；和将具有所述第一目标电压电平和比所述第一脉冲宽度长的第二脉冲宽度的相应编程脉冲施加到所述多个存取线的第二存取线子集中的每一存取线，其中所述第一存取线子集中的每一存取线比所述第二存取线子集中的每一存取线更接近串联连接的存储器单元串的特定端
存储器单元编程

[发明专利]存储器电路以及用于操作三维交叉点存储器阵列的方法-CN201811181229.4有效
发明人：何信义;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器电路以及用于操作三维交叉点存储器阵列的方法，存储器电路包括三维交叉点存储器阵列，此三维交叉点存储器阵列具有设置在N个第一存取线层和P个第二存取线层的交叉点处的M层的存储单元。此存储器电路还包括第一和第二组的第一存取线驱动器。第一组第一存取线驱动器可操作地耦接以将共第一操作电压施加到奇数的第一存取线层中所选择的第一存取线。第二组第一存取线驱动器可操作地耦合以将共第一操作电压施加到偶数的第一存取线层中所选择的第一存取线。多组的第二存取线驱动器可操作地配置来将第二操作电压施加到所选择的第二存取线层中所选择的第二存取线。
存储器电路以及用于操作三维交叉点阵列方法

[发明专利]用于存储器装置的基于电距离波整形-CN202180036635.5在审
发明人： J·C·桑肯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：所述存储器装置使用布置成网格的多条存取线来存取所述存储器装置。存储器单元定位于所述网格中的所述存取线的相交点处。驱动器用于每一存取线且经配置以经由对应存取线将对应信号传输到多个存储器单元的相应存储器单元。所述存储器装置还包含经配置以确定驱动所述多个存储器单元的目标存储器单元的哪些驱动存取线在所述目标存储器单元与相应驱动器之间具有最大距离的补偿电路系统。所述多条存取线包括所述驱动存取线。所述补偿电路系统还经配置以输出补偿值以基于较长驱动存取线的电压的极性而调整所述驱动存取线的电压。
用于存储器装置基于距离整形

[发明专利]用于多层存储器阵列的改善架构-CN202080097969.9在审
发明人： R·穆泽托;F·贝代斯基;U·迪温琴佐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器装置，其包括：以多层配置而布置的存储器单元阵列，其包括多个叠置层；多个存取线，其至少包括以第一层级而布置的第一多个存取线、以第二层级而布置的第二多个存取线，及在所述第一多个存取线与所述第二多个存取线之间以第三层级而布置的第三多个存取线，所述第三多个存取线布置于所述多个层中的两个层之间；多个驱动器，其经配置以将信号驱动到所述存取线；及连接元件，其经配置以将所述存取线电连接到所述相应驱动器。所述连接元件及所述存取线经布置使得所述多个驱动器中的单一驱动器经配置以驱动所述至少三个层级中的每一层级的至少一个存取线。还公开相关存储器系统及方法。
用于多层存储器阵列改善架构

[发明专利]当存取存储器中的储存单元时控制施加于存取装置的电压电平-CN201010559149.5有效
发明人： S·S·伊德冈吉;H·U·加朱尔;G·杨 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明涉及当存取储存单元时控制施加于存取装置的电压电平。公开了半导体存储器储存装置，其具有：储存数据的多个储存单元；允许对相应多个储存单元存取的多个存取装置，存取装置布置为至少两个群组，该至少两个群组中的每个由存取控制线控制；存取控制电路，用于在对储存单元存取期间控制提供给至少两个存取控制线中的选定一个的电压电平，存取控制电路包含电容器及切换电路；和控制电路，响应于对存取选定储存单元的数据存取请求以：将存取控制线中的选定一个连接至电压电平以允许经由存取装置之一对选定储存单元存取；并且控制存取控制电路的切换电路以将存取控制电路的电容器连接至选定存取控制线，从而改变提供给选定存取控制线的电压电平。
存取存储器中的储存单元控制施加装置电压电平

[发明专利]用于确定存取线的电阻特性的存储器阵列结构及方法-CN202080090291.1在审
发明人：许丹;徐峻;E·E·于;P·泰萨里欧;T·O·伊瓦萨基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C8/14 文献下载
摘要：提供存取线的电阻特性的确定的存储器阵列结构可包含：存储器单元的第一块；存储器单元的第二块；第一电流路径，其在存储器单元的所述第一块的特定存取线与存储器单元的所述第二块的特定存取线之间；及任选第二电流路径，其在存储器单元的所述第二块的所述特定存取线与存储器单元的所述第一块的不同存取线之间。用于确定存取线的电阻特性的方法可包含将存储器单元的所述第一块的所述特定存取线连接到驱动器及响应于通过所述存取线的电流电平及所述存取线的电压电平而确定所述电阻特性。
用于确定存取电阻特性存储器阵列结构方法

[发明专利]电路装置和用于操作电路装置的方法-CN201410407188.1在审
发明人： T·尼尔施尔;P·霍弗特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：一种电路装置，包括：多个电子部件；多个第一存取线和第二存取线，其中，每个电子部件都与至少一个第一存取线和第二存取线耦合，第二存取线包括至少两个位线；经由至少一个第一存取线和第二存取线对多个电子部件中的至少一个电子部件的存取进行控制的存取控制器第一组开关中的每个开关都经由其控制端子被连接至至少两个位线中的一个，并且经由其被控端子被连接在一个第一存取线与读出放大器之间的路径中，并且相邻的开关经由它们的控制端子被连接至至少两个位线中的不同位线。
电路装置用于操作方法

[发明专利]静态随机存取存储器-CN201510890908.9有效
发明人：陈杰生;刘杰尧 -专利权人：上海兆芯集成电路有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储器，包括：第一双稳态存储单元、第一位线、第一补充位线、第一字线以及第二字线。第一双稳态存储单元具有：第一存取端、第二存取端、第一存取开关以及第二存取开关。该第一存取开关经该第一字线控制，该第一存取开关耦接该第一存取端至该第一位线，该第二存取开关经该第二字线控制，该第二存取开关耦接该第二存取端至该第一补充位线。本发明能够使用更少的晶体管来实现同时有多个读操作和写操作，且使得静态随机存取存储器节省更多的空间，并且更有效率。
存取静态随机存取存储器补充位线存储单元字线控制双稳态位线字线耦接读操作晶体管写操作

[发明专利]具有存取线控制的存储器阵列-CN202011239763.3在审
发明人：李继云 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G11C11/4067 文献下载
摘要：本申请针对具有存取线控制的存储器阵列。一种示范性设备包含存储器单元阵列。每个存储器单元包含存取装置。每个存取装置包含第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域以及与连接所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域的沟道相对的栅极。每个存取装置还包含存储节点。所述示范性设备还包含多条感测线，所述多条感测线耦合到所述存储器单元阵列中的不同相应的存储器单元的所述第一源极/漏极区域。所述示范性设备还包含多条存取线，其中每条存取线包含至少一个导电通路，所述至少一个导电通路形成于所述存取线与耦合到所述存取线的存取装置的源极/漏极区域之间。所述示范性设备还包含分路感测线，所述分路感测线耦合到形成有所述导电通路的附加存取装置。
具有存取控制存储器阵列

[发明专利]具有单晶体管驱动器的存储器装置及操作所述存储器装置的方法-CN202080098696.X在审
发明人： R·穆泽托;E·博兰里那;U·迪温琴佐;F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：在一些实施例中，所述存储器装置可包括：存储器单元，其位于存储器阵列的存取线的交叉点处；第一偶数单晶体管驱动器，其经配置以：在空闲阶段期间将第一偶数存取线驱动到放电电压，在作用阶段期间将所述第一偶数存取线驱动到浮动电压，且在脉冲阶段期间将所述第一偶数存取线驱动到读取/编程电压；及第一奇数单晶体管驱动器，其经配置以：在所述空闲阶段期间将第一奇数存取线驱动到所述放电电压，所述第一奇数存取线物理地邻近于所述第一偶数存取线，在所述作用阶段期间将所述第一奇数存取线驱动到所述浮动电压，及在所述脉冲阶段期间将所述第一奇数存取线驱动到屏蔽电压。
具有晶体管驱动器存储器装置操作方法

[发明专利]用于确定存储器单元的数据状态的设备和方法-CN201911370849.7在审
发明人： V·莫斯基亚诺;T·吉拉尔迪;T·瓦利;E·卡梅尔伦吉;W·C·菲利皮亚克;A·德亚历山德罗 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本文提供操作存储器的方法和经配置以执行类似方法的存储器，所述方法可包含：在增加施加到共同连接到多个串联存储器单元串的多个存取线中的每一存取线的电压电平的同时感测多个数据线中的每一数据线的状态；响应于所述多个数据线中的每一数据线的所述状态具有特定条件，停止增加施加到所述多个存取线中的每一存取线的所述电压电平；将施加到所述多个存取线中的特定存取线的电压电平变为特定电压电平；以及在将所述特定电压电平施加到所述特定存取线的同时感测所述多个数据线的子集中的每一数据线的状态
用于确定存储器单元数据状态设备方法

[发明专利]存取线相依偏置方案-CN201180005756.X有效
发明人：德隆·H·恩古耶 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明包括用于存取线偏置的方法、装置及系统。一个实施例包括使用在存储器装置外部的控制器来选择特定存取线相依偏置方案及对应偏置条件以供在对所述存储器装置的存储器单元阵列执行存取操作中使用，并使用所述选定特定存取线相依偏置方案及对应偏置条件来执行所述存取操作在一个或一个以上实施例中，所述选定特定存取线相依偏置方案及对应偏置条件是由在所述存储器装置外部的所述控制器至少部分地基于所述阵列的目标存取线而选择。
存取相依偏置方案

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