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[发明专利]微电子装置及相关存储器装置、电子系统及方法-CN202110966680.2有效
发明人：翁贝托·M·梅奥托;E·卡梅尔伦吉;P·泰萨里欧;L·罗伦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：本专利申请案涉及微电子装置及相关存储器装置、电子系统及方法。一种形成微电子装置的方法包括形成存储器阵列区域，所述存储器阵列区域包括垂直位于基底结构之上的存储器单元，所述基底结构包括半导电材料及垂直延伸到所述半导电材料中的对准标记结构。形成延伸穿过所述存储器阵列区域且到所述对准标记结构中的第一接触结构。在所述存储器阵列区域之上形成支撑结构。移除所述基底结构的一部分以暴露所述对准标记结构。形成垂直邻近所述基底结构的剩余部分的控制逻辑区域。所述控制逻辑区域包括通过部分延伸穿过所述对准标记结构且接触所述第一接触结构的第二接触结构与所述第一接触结构电连通的控制逻辑装置。
微电子装置相关存储器电子系统方法

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202180051705.4在审
发明人：福住嘉晃;P·泰萨里欧;D·H·韦尔斯;L·P·海内克;R·J·希尔;徐丽芳;I·V·恰雷;E·卡梅尔伦吉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：一些实施例包含一种集成组合件，其具有一对相邻存储器块区，且具有在所述相邻存储器块区之间的隔离件结构。所述存储器块区包含交替的导电层级及第一绝缘层级的第一堆叠。所述隔离件结构包含交替的第二及第三绝缘层级的第二堆叠。所述第二绝缘层级与所述导电层级大体上水平对准，且所述第三绝缘层级与所述第一绝缘层级大体上水平对准。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]擦除存储器-CN202080059560.8在审
发明人： G·M·鲍路西;P·泰萨里欧;E·卡梅尔伦吉;G·卡尔内瓦莱;A·毕维努提 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：操作存储器的方法和被配置为执行类似方法的存储器可包含：将正第一电压电平施加到选择性地连接到串联连接的存储器单元串的第一节点，同时将负第二电压电平施加到连接在所述第一节点与所述串联连接的存储器单元串之间的晶体管的控制栅极；以及将施加到所述第一节点的所述电压电平增加到第三电压电平，同时将施加到所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平增加到低于所述第三电压电平且高于所述第一电压电平的第四电压电平。
擦除存储器

[发明专利]存储器阵列及用以形成存储器阵列的方法-CN201980072813.2在审
发明人：福济义明;M·J·巴克利;E·卡梅尔伦吉;P·泰萨里欧 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种用以形成存储器阵列的方法包括在衬底上方形成包括导体材料的层。包括蚀刻停止材料的牺牲岛直接形成于包括所述导体材料的所述层的所述导体材料上方。包括垂直交替的绝缘层及字线层的堆叠形成于所述牺牲岛及包括所述导体材料的所述层上方。进行蚀刻穿过所述绝缘层及所述字线层而到所述牺牲岛的个别牺牲岛的所述蚀刻停止材料以形成具有包括所述蚀刻停止材料的个别基底的通道开口。通过所述通道开口的个别通道开口移除所述牺牲岛以使所述个别通道开口延伸到包括所述导体材料的所述层。通道材料形成于到包括所述导体材料的所述层的所述延伸通道开口中。所述通道材料与包括所述导体材料的所述层的所述导体材料电耦合。本发明揭示与方法无关的结构。
存储器阵列用以形成方法

[发明专利]用于确定存储器单元的数据状态的设备和方法-CN201911370849.7在审
发明人： V·莫斯基亚诺;T·吉拉尔迪;T·瓦利;E·卡梅尔伦吉;W·C·菲利皮亚克;A·德亚历山德罗 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请涉及用于确定存储器单元的数据状态的设备和方法。本文提供操作存储器的方法和经配置以执行类似方法的存储器，所述方法可包含：在增加施加到共同连接到多个串联存储器单元串的多个存取线中的每一存取线的电压电平的同时感测多个数据线中的每一数据线的状态；响应于所述多个数据线中的每一数据线的所述状态具有特定条件，停止增加施加到所述多个存取线中的每一存取线的所述电压电平；将施加到所述多个存取线中的特定存取线的电压电平变为特定电压电平；以及在将所述特定电压电平施加到所述特定存取线的同时感测所述多个数据线的子集中的每一数据线的状态。
用于确定存储器单元数据状态设备方法