专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示装置-CN200710104864.8无效
  • 李白云 - 三星电子株式会社
  • 2007-05-23 - 2007-11-28 - G02F1/1362
  • 本发明提供了一种显示装置,该显示装置包括:多条栅极线,传输栅极信号,其中,每个栅极信号具有栅极导通电压和栅极截止电压;多条数据线,与栅极线交叉并传输数据电压;多条存储电压线,平行于栅极线延伸并传输存储信号;多个像素,以矩阵布置,其中,每个像素包括连接到栅极线和数据线的开关元件、连接到开关元件和共电压的液晶电容器、连接到开关元件和存储电极线存储电容器;多个存储信号发生器,基于栅极信号产生存储信号。施加到各像素的存储信号具有在完成将数据电压充入液晶电容器和所述存储电容器之后立即改变的电压电平。
  • 显示装置
  • [发明专利]存储器单元编程-CN202111010452.4在审
  • C·H·萧;M·皮卡尔迪;Q·V·阮 - 美光科技公司
  • 2021-08-31 - 2022-03-01 - G11C16/04
  • 本公开涉及存储器单元编程。具有存储器单元阵列和各自连接到所述存储器单元阵列中的相应多个存储器单元的多个存取线存储器可包含控制器,所述控制器经配置以使所述存储器进行以下操作:将具有第一目标电压电平和第一脉冲宽度的相应编程脉冲施加到所述多个存取线的第一存取线子集中的每一存取线;和将具有所述第一目标电压电平和比所述第一脉冲宽度长的第二脉冲宽度的相应编程脉冲施加到所述多个存取线的第二存取线子集中的每一存取线,其中所述第一存取线子集中的每一存取线比所述第二存取线子集中的每一存取线更接近串联连接的存储器单元串的特定端
  • 存储器单元编程
  • [发明专利]存储器设备和操作该存储器设备的方法-CN202110856395.5在审
  • 李东旭;梁海昌;李宪昱 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-07-28 - 2022-06-17 - G11C16/26
  • 本公开涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法。本技术涉及电子设备。存储器设备在感测操作期间控制施加到每个线的电压,以防止或减轻通道负升压现象,该存储器设备包括:连接到多个线存储器块;被配置为对被选择的存储器单元执行感测操作的外围电路,该被选择的存储器单元连接到多个线之中的被选择的字线;以及控制逻辑,控制逻辑被配置为在感测操作期间和在感测操作之后执行的均衡操作期间,控制施加到多个线之中的漏极选择线、源极选择线以及在漏极选择线与源极选择线之间的字线的电压。在感测操作期间,控制逻辑根据是否与漏极选择线之中的被选择的漏极选择线共享单元串,来控制施加到未被选择的漏极选择线的电压。
  • 存储器设备操作方法
  • [发明专利]LDPC译码器-CN201710312234.3有效
  • 张文军;文凛;寇亚军;戴永清 - 上海数字电视国家工程研究中心有限公司
  • 2017-05-05 - 2022-01-28 - H03M13/11
  • 本发明提供了一种LDPC译码器,其特征在于,包括:主控模块;校验矩阵存储单元;子矩阵控制字模块;以及多对角线信息存储单元,其中,主控模块利用校验矩阵进行校验更新,对变量信息更新得到中间变量结果,多对角线信息存储单元用于存储中间变量结果,基于校验矩阵的并列度、多对角线线数以及多对角线最大个数来设计该多对角线信息存储单元的大小,子矩阵控制字模块对以一定并行度对校验矩阵进行层处理时当前的子矩阵为准循环矩阵或多对角线矩阵进行判定,当判定为多对角线矩阵结构时,主控模块利用多对角线信息存储单元进行存储,其中,多对角线最大个数表示以一定并行度对校验矩阵进行层处理时子矩阵为多对角线结构的最大个数。
  • ldpc译码器
  • [发明专利]LDPC译码器-CN201710312676.8有效
  • 张文军;文凛;寇亚军;戴永清 - 上海数字电视国家工程研究中心有限公司
  • 2017-05-05 - 2022-01-28 - H03M13/11
  • 本发明提供了一种LDPC译码器,其特征在于,包括:主控模块;校验矩阵存储单元;子矩阵控制字模块;以及多对角线信息存储单元,主控模块利用校验矩阵进行校验更新,对变量信息更新得到中间变量结果,多对角线信息存储单元用于存储中间变量结果,基于校验矩阵的并列度、多对角线线数以及多对角线最大个数来设计该多对角线信息存储单元的大小,子矩阵控制字模块对以一定并行度对校验矩阵进行层处理时子矩阵为准循环矩阵或多对角线矩阵进行判定,当为多对角线矩阵结构时,主控模块利用多对角线信息存储单元进行存储,其中,多对角线最大个数表示以一定并行度对校验矩阵进行层处理时子矩阵为多对角线结构的最大个数。
  • ldpc译码器
  • [发明专利]只读存储器的分页模式编程电路-CN97104252.7无效
  • 吴少义;王复中 - 合泰半导体股份有限公司
  • 1997-05-08 - 1998-11-18 - G11C16/02
  • 一种只读存储器的分页模式编程电路,包括有一存储器EEPROM晶元栅极电位控制电路以及一位元线的控制电路,它们分别包括一高压产生电路。栅极电位控制电路连接至存储器晶元的栅极端,用以控制存储器晶元栅极的信号。而位元线的电位控制电路连接至存储器晶元的位元线,用以控制送入存储器位元线的信号。存储器的位元线由一位元线控制信号决定后,再由一控制栅极的控制信号决定高压产生电路是否送出高电压给存储器晶元的控制栅极。
  • 只读存储器分页模式编程电路
  • [发明专利]存储器装置及应用其的集成电路的制造方法-CN201910336270.2有效
  • 龙翔澜;赖二琨;叶巧雯 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2019-04-24 - 2022-02-11 - H01L27/06
  • 本发明公开了一种存储器装置及应用其的集成电路的制造方法,该三维存储器包括多个第一存取线阶层、多个第二存取线阶层及多个存储单元阶层。存储单元阶层配置于对应的第一存取线阶层及第二存取线阶层之间。第一存取线阶层包括沿第一方向延伸的多个第一存取线以及配置于第一存取线之间的第一牺牲材料的多个剩余部分。第二存取线阶层包括沿第二方向延伸的多个第二存取线以及配置于第二存取线之间的第二牺牲材料的多个剩余部分。存储单元阶层包括在相邻的第一存取线阶层与第二存取线阶层中配置于第一存取线与第二存取线之间的交叉点中的存储柱的阵列。
  • 存储器装置应用集成电路制造方法
  • [发明专利]物理存储器压缩-CN202180026711.4在审
  • B·凯西布 - 微软技术许可有限责任公司
  • 2021-02-10 - 2022-11-18 - G06F12/02
  • 一种存储器管理系统包括与计算设备相关联的物理存储器(108)和存储器管理器(102)。存储器管理器被配置为:管理共享存储器高速缓存(106)作为使用高速缓存压缩算法压缩物理存储器的部分,其中用于压缩的压缩块大小是单个高速缓存线大小。物理存储器包括扇区转换表(STT)区域和扇区存储器区域。存储器管理器使用由具有高速缓存线映射和多个扇区指针的STT条目定义的存储器描述符来将高速缓存从物理存储器加载到3级高速缓存。高速缓存线映射包含高速缓存线元数据,高速缓存线元数据包括每个高速缓存线的大小、高速缓存线在由STT条目指向的扇区之一中的位置以及多个标志。
  • 物理存储器压缩
  • [发明专利]非易失性存储器及其数据读取方法-CN201010612649.0有效
  • 權彛振;杨家奇;葛本龙;赖宇维 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2010-12-29 - 2012-07-11 - G11C16/26
  • 本发明提供了一种非易失性存储器及其数据读取方法,所述存储器包括:第一位线、第二位线;与所述第一位线以及第二位线电连接的预充电单元,用于向第一位线以及第二位线预充电;与所述第一位线电连接的存储单元,与所述第二位线电连接的参考单元;与所述存储单元以及参考单元电连接的字线,用于选中存储单元以及参考单元;与所述第一位线以及第二位线电连接的比较单元,用于比较第一位线以及第二位线的电位高低,并根据比较结果输出存储器数据;所述存储单元包括存储器件,所述参考单元包括多个串联的参考器件,所述参考器件与存储器件的器件参数以及规格尺寸相同。
  • 非易失性存储器及其数据读取方法

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