“钟承谕”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[外观设计]洗片机-CN202130427880.1有效
发明人： 钟承谕;赵安文 -专利权人： 钟承谕
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：洗片机。2.本外观设计产品的用途：用于医疗洗片。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
洗片机

[实用新型]一种医学化验用试管摇匀装置-CN202121394556.5有效
发明人：赵安文;钟承谕;圣昊珉 -专利权人：赵安文
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B01F11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种医学化验用试管摇匀装置，属于化学仪器技术领域，其技术方案要点包括试管本体，所述试管本体的底部活动连接有转动盘，所述转动盘的内壁开设有安装槽，所述转动盘的底部活动连接有固定块，所述固定块的底部固定连接有第一齿轮盘，所述第一齿轮盘的表面啮合有第二齿轮盘，所述第二齿轮盘的前侧固定连接有连接杆，解决了现有的摇匀方式是通过使用者将试管放在手中进行晃动，化学药品一般具有腐蚀性，在使用者手动摇匀时可能造成药品的洒落，导致使用者的皮肤或者衣服被化学药品腐蚀，且不能均匀的将化学药品进行充分的反应，给实验的结果造成误差，给使用者的实验带来了危险和不便。
一种医学化验试管摇匀装置

[发明专利]低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法-CN201811037917.3有效
发明人：林信章;钟承谕;黄文谦 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法，此低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列包含多组位线、多条字线、多条共源线与多个子内存阵列，每一子内存阵列包含第一记忆晶胞与第二记忆晶胞，第一记忆晶胞连接第一组位线的一位线、第一共源线与第一字线，第二记忆晶胞连接第一组位线的另一位线、第一共源线与第二字线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并分别位于第一共源线的相异两侧。本发明的操作方法利用特殊的偏压设定来达到低电流、低电压且低成本，又具有字节写入、抹除的功能。
电流电子复写只读存储器阵列操作方法

[发明专利]带电可擦除可编程只读存储器的操作方法-CN201911415784.3在审
发明人：吴政颖;钟承谕;黄文谦 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种带电可擦除可编程只读存储器的操作方法，此带电可擦除可编程只读存储器在半导体基板上设置有晶体管结构，且晶体管结构具有第一导电闸极，同时，于第一导电闸极与源极和汲极交界处的半导体基板内或源极和汲极的离子掺杂区内更植入有同型离子，以增加该区域内的离子浓度，以降低写入及抹除的电压差，藉由本发明对应元件提出的操作方法，包括将汲极或源极设定为浮接的条件，进而可达到大量记忆晶胞的快速写入及抹除。本发明除了可以应用于单闸极晶体管结构之外，更适用于具有浮接闸极结构的带电可擦除可编程只读存储器。
带电擦除可编程只读存储器操作方法

[发明专利]低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法-CN201911214012.3在审
发明人：吴政颖;钟承谕;黄文谦 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法，此低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列包含多组位线、多条字线、多条共源线与多个子内存阵列，于每一子内存阵列中，第一记忆晶胞连接第一组位线的一位线、第一共源线与第一字线，第二记忆晶胞连接第一组位线的另一位线、第一共源线与第二字线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并分别位于第一共源线的相异两侧。藉由本发明对应元件提出特殊的操作条件及偏压设定，不仅可实现低电流、低电压及低成本的设计功效，更能达到字节操作的快速写入及快速抹除的功能。
电流电子复写只读存储器阵列操作方法

[发明专利]低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列的快速擦除方法-CN201910228696.6在审
发明人：林信章;钟承谕;黄文谦 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列的快速擦除方法，此低电流电子可擦除可重写只读存储器阵列包含多组位元线、多个字线、多个共源线与多个子存储器阵列，于每一子存储器阵列中，第一存储单元连接第一组位元线的一位元线、第一共源线与第一字线，第二存储单元连接第一组位元线的另一位元线、第一共源线与第二字线，第一、第二存储单元互相对称配置，并分别位于第一共源线之相异两侧。藉由本发明对应元件提出之擦除条件，包括将源极或漏极设定为浮接，来实现低电流、低电压及低成本，且能达到位元组操作之快速擦除的功能。
电流电子擦除重写只读存储器阵列快速方法

[发明专利]电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法-CN201910229435.6在审
发明人：林信章;钟承谕;黄文谦 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法，此电子写入可擦除可重写只读存储器在半导体基板上设置有晶体管结构，且晶体管结构具有第一导电栅极，同时，于第一导电栅极与源极和漏极交界处之半导体基板内或源极和漏极之离子掺杂区内更植入有同型离子，以增加该区域内的离子浓度，以降低擦除之电压差，同时，藉由本发明对应元件提出之擦除方法，包括将漏极或源极设定为浮接之条件，进而可达到大量存储单元之快速擦除。本发明除了可以应用于单栅极晶体管结构之外，更适用于具有浮接栅极结构之电子写入可擦除可重写只读存储器。
电子写入擦除重写只读存储器低压快速方法

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top