“存储层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果3918870个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存储单元、存储装置和磁头-CN201380049226.4有效
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：提供一种TMR特性能得到改进的存储单元、配备有存储单元的存储装置、以及磁头。存储单元具有层状结构，该层状结构包括存储层，其中磁化方向与信息对应地改变；磁化固定层，具有与膜表面垂直、作为存储层中存储的信息的基准的磁化；以及中间层，设置在存储层与磁化固定层之间并由非磁性材料制成。碳被插入中间层，并且沿着层状结构的堆叠方向提供电流使得改变存储层中的磁化方向以将信息记录在存储层。
存储单元装置磁头

[发明专利]存储元件及存储器-CN200880024446.0有效
发明人：细见政功;大森广之;五十岚实;山元哲也;肥后豊;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供了一种不需要增大写入电流就能提高热稳定性的存储元件和存储器。该存储器的构造包括：存储元件(3)，具有根据磁性物质的磁化状态保持信息的存储层(17)，其中，在存储层(17)上设置磁化固定层(31)，其间插入有中间层(16)，中间层(16)由绝缘体形成，并且存储层(17)的磁化方向M1通过在层压方向上注入自旋极化的电子而发生改变，从而将信息记录到存储层(17)，并将变形从存在于存储层(17)周围且热膨胀系数小于存储层(17)的绝缘层施加到存储层(17)上；以及配线，用于提供在存储元件(3)的层压方向上流动的电流。
存储元件存储器

[发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN202310036887.9在审
发明人：刘沙沙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：公开了一种3D存储器件及其制造方法，3D存储器件包括：衬底；位于衬底上方的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个栅极导体；以及贯穿栅叠层结构的多个沟道柱，沟道柱包括位于沟道柱侧壁的功能层、位于沟道柱底部的氧化层以及位于功能层和氧化层上的沟道层；沟道层位于外延层上方，并与外延层接触；其中，功能层包括栅氧化层、位于栅氧化层上的电荷存储层以及位于电荷存储层上的隧穿氧化层；电荷存储层在功能层的拐角处与沟道层隔离本发明实施例中电荷存储层在功能层的拐角处与沟道层隔离，避免电荷存储层上的电荷泄漏到沟道层中，从而提高3D存储器的底部选择栅极的阈值电压的稳定性。
存储器件及其制造方法

[发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN201911421883.2有效
发明人：刘沙沙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：公开了一种3D存储器件及其制造方法，3D存储器件包括：衬底；位于衬底上方的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个栅极导体；以及贯穿栅叠层结构的多个沟道柱，沟道柱包括位于沟道柱侧壁的功能层、位于沟道柱底部的氧化层以及位于功能层和氧化层上的沟道层；沟道层位于外延层上方，并与外延层接触；其中，功能层包括栅氧化层、位于栅氧化层上的电荷存储层以及位于电荷存储层上的隧穿氧化层；电荷存储层在功能层的拐角处与沟道层隔离本发明实施例中电荷存储层在功能层的拐角处与沟道层隔离，避免电荷存储层上的电荷泄漏到沟道层中，从而提高3D存储器的底部选择栅极的阈值电压的稳定性。
存储器件及其制造方法

[发明专利]存储部件故障处理方法、装置、设备和存储介质-CN202210204443.7在审
发明人：朱宗鹏;黎安宇;文芳志 -专利权人：阿里巴巴（中国）有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本申请提供一种存储部件故障处理方法、装置、设备和存储介质，该方法包括：获取目标存储部件对应的软件层日志和第一硬件层日志；根据软件层日志确定目标存储部件对应的软件层故障风险评估信息，以及根据第一硬件层日志确定目标存储部件对应的硬件层故障风险评估信息；根据软件层故障风险评估信息和硬件层故障风险评估信息确定目标存储部件的健康度评估信息；若目标存储部件的健康度评估信息符合设定的检测条件，则获取目标存储部件的第二硬件层日志；根据第二硬件层日志确定目标存储部件的故障诊断结果本方案提供了一种智能、全面的存储部件运维方案。
存储部件故障处理方法装置设备介质

[发明专利]电阻存储器的存储单元及其制作方法-CN200810105904.5有效
发明人：鲍震雷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-05-05 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电阻存储器的存储单元及其制作方法，所述存储单元的制作方法包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的介质层；在所述介质层内形成底电极；在所述底电极上形成第一存储介质层；在所述第一存储介质层上沉积反应金属层，所述反应金属是氧化后具有二元电阻特性的金属；形成覆盖所述反应金属层的顶电极；使所述第一存储介质层氧化所述反应金属层，形成第二存储介质层。本发明提供的电阻存储器的存储单元及其制作方法可以减少并可控制调节第一存储介质中的氧含量，提高存储介质的电阻转换性能。
电阻存储器存储单元及其制作方法

[实用新型]一种生物标本存储装置-CN202020294651.7有效
发明人：冉辉;禹真;胡邦红 -专利权人：铜仁学院
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： B65D25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生物标本存储装置，包括存储箱、箱盖、制冷层、试管支架、试管槽、固定板、旋转块、防撞层、保温层和耐磨层，所述存储箱的顶端设有所述箱盖，所述存储箱的底端设有所述制冷层，所述制冷层一侧的顶端设有所述固定板，所述存储箱靠近所述制冷层的一端设有所述旋转块，所述存储箱内部设有所述试管支架，所述试管支架上设有若干所述试管槽，所述存储箱由内而外分别为所述防撞层、保温层和所述耐磨层。本实用新型中，制冷层内部设有干冰，降低存储箱内部温度防止高温造成生物样本受损，防撞层用于减少试管支架与存储箱的撞击力度，试管支架和试管槽将试管固定，防止试管相互碰撞造成损失，保温层用于保持存储箱内部温度
一种生物标本存储装置

[发明专利]基于异类叠层存储层的电荷存储器件的制备方法-CN202310756097.8在审
发明人：汤振杰;李荣;张希威 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异类叠层存储层的电荷存储器件的制备方法，借助脉冲激光沉积系统，在隧穿层表面依次沉积三层HfxZr1‑x3/HfxZr1‑xO2异类叠层电荷存储层，通过调节x和y的值，调控基于异类叠层存储层的电荷存储器件的能带结构，提高电荷存储器件的存储特性。
基于异类存储电荷器件制备方法

[发明专利]磁性元件和存储装置-CN201611035933.X有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁性元件和存储装置，其中，该磁性元件包括：自由磁化层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在自由磁化层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
磁性元件存储装置

[发明专利]具有预留空间的三维掩膜编程只读存储器-CN201510077216.2在审
发明人：张国飙 -专利权人：杭州海存信息技术有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：本发明提出一种具有预留存储层的三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM_RL）。原始3D-MPROM_RL只含有原始存储层；更新3D-MPROM_RL还在原始存储层上方形成新的存储层（称为预留存储层）。在同一3D-MPROM_RL家族中，除了预留存储层以外，不同版本的3D-MPROM_RL都是相同的。对所有3D-MPROM_RL版本来说，不管它是否形成了预留存储层，其衬底电路均含有所有存储层（包括预留存储层）的周边电路。
具有预留空间三维编程只读存储器

[发明专利]具有预留空间的三维掩膜编程只读存储器-CN201510068485.2在审
发明人：张国飙 -专利权人：成都海存艾匹科技有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提出一种具有预留存储层的三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM_RL）。原始3D-MPROM_RL只含有原始存储层；更新3D-MPROM_RL还在原始存储层上方形成新的存储层（称为预留存储层）。在同一3D-MPROM_RL家族中，除了预留存储层以外，不同版本的3D-MPROM_RL都是相同的。对所有3D-MPROM_RL版本来说，不管它是否形成了预留存储层，其衬底电路均含有所有存储层（包括预留存储层）的周边电路。
具有预留空间三维编程只读存储器

[发明专利]半导体器件及其制造方法以及数据存储系统-CN202211324701.1在审
发明人：李奉镕;李昇原 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件及其制造方法以及数据存储系统。一种半导体器件包括：基板；堆叠结构，包括第一栅极层、第一层间绝缘层和第二栅极层；以及穿透堆叠结构并与基板接触的沟道结构，沟道结构包括沟道层、围绕沟道层的垂直隧穿层、在垂直隧穿层的外表面上的电荷存储图案以及在电荷存储图案的外表面上的阻挡图案，电荷存储图案包括垂直地间隔开并分别与第一栅极层和第二栅极层相邻的第一电荷存储材料层和第二电荷存储材料层，阻挡图案包括在电荷存储材料层和栅极层之间的垂直间隔开的阻挡材料层，并且阻挡图案接触电荷存储图案的外表面并包括相对于电荷存储图案的外表面进一步延伸的垂直突出部
半导体器件及其制造方法以及数据存储系统

[发明专利]相变存储器及其制作方法-CN202110350652.8有效
发明人：彭文林;刘峻;杨海波;付志成;刘广宇 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：相变存储单元，包括：层叠设置的相变存储层和选通层；阻挡结构，覆盖所述相变存储层的侧壁和所述选通层的侧壁，用于阻挡氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层。
相变存储器及其制作方法

[发明专利]非易失性存储器单元-CN201980053717.3在审
发明人：简·泽曼;邹斌;安德烈·米哈伊 -专利权人： IP2IPO创新有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：所公开的非易失性存储器单元包括电绝缘的可极化材料的存储层，数据可作为电极化方向记录在该存储层中，该存储层优选为铁电材料，该存储层布置在磁阻挫层和导电电极之间，磁阻挫层优选为锰基反钙钛矿压磁材料。响应于存储层的电极化的变化，磁阻挫层相对于导电电极具有不同的态密度的变化，使得存储层上的电子或自旋隧穿电阻取决于电极化方向。
非易失性存储器单元

[发明专利]一种多接口多通道在线离线网络协议解析系统及方法-CN202211605065.X在审
发明人：刘浩;王玖玖;汪直诚;吴思远;胡俏 -专利权人：湖南智领通信科技有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H04L69/22 文献下载
摘要：系统包括：接入层、处理层、存储层以及应用层；所述接入层与所述处理层之间、所述处理层与所述存储层之间、所述存储层与所述应用层之间均采用网络连接，以使所述接入层完成数据载入后输入所述处理层、所述处理层完成数据规整后输入所述存储层、所述存储层完成数据入库后输入所述应用层、所述应用层完成数据检索后输出并进行数据展示；所述存储层包括数据库单元，所述处理层输入所述存储层的数据存入所述数据库单元中。
一种接口通道在线离线网络协议解析系统方法

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top