“存储层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3918870个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]非易失性存储元件和包括该非易失性存储元件的存储装置-CN201110130691.3无效
发明人：李昌范;金昌桢;金英培;李明宰;许智贤;李东洙;张晚;李承烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储元件和一种包括该非易失性存储元件的存储装置。非易失性存储元件可以包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可以包括第一材料层和第二材料层，并且可以因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层，第二材料层可以是氧交换层。非易失性存储元件还可以包括位于存储层和第一电极之间的缓冲层。
非易失性存储元件包括装置

[发明专利]一种基于单向自旋霍尔磁阻的磁存储器及存储器膜层-CN202310100123.1在审
发明人：张婕;聂天晓;李竞;王航天;谢魏然;孙芸;王梓力;高凡 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于单向自旋霍尔磁阻的磁存储器及存储器膜层，所述磁存储器包括层叠结构和两个电极，所述层叠结构包括从下到上依次设置的衬底、存储器膜层和保护层；所述存储器膜层包括非铁磁层和铁磁层；两个所述电极分别位于所述层叠结构的两侧，并与所述非铁磁层和所述铁磁层接触。本发明提供一种单向基于自旋霍尔磁阻的磁存储器，该磁存储器的存储器膜层仅需两层(非铁磁层和铁磁层)，结构简单，便于大规模生产，并且可以通过增加存储器膜层的层数实现多态数据读写，有利于存储量的提高。
一种基于单向自旋霍尔磁阻磁存储器存储器

[发明专利]存储元件和存储设备-CN201210487182.0有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山彻哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了存储元件和存储设备。存储元件包括分层结构以及负热膨胀材料层。分层结构包括存储层、磁化固定层和中间层。存储层具有磁化方向随着信息而改变的、与膜面垂直的磁化性，并包括具有正磁致伸缩常数的磁性层。通过沿着分层结构的层叠方向施加电流来改变磁化方向，以在存储层中记录信息。磁化固定层具有与膜面垂直的磁化性，并成为存储层中存储的信息的基础。中间层由非磁性材料形成，并设置在存储层与磁化固定层之间。
存储元件设备

[发明专利]存储元件和存储器装置-CN201210018100.8有效
发明人：内田裕行;细见政功;别所和宏;大森广之;肥后丰;浅山彻哉;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-01-11 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储器装置，该存储元件包括：存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，并且所述存储层的磁化方向变化；磁化固定层，其具有与所述膜表面垂直的磁化，用作为信息的基准；以及绝缘层；通过沿着层结构的层叠方向注入自旋极化电子来改变所述存储层的磁化方向，以执行信息的记录，所述存储层接收到的有效退磁场的大小配置为小于所述存储层的饱和磁化量，并且构成所述存储层的铁磁性层材料具有作为基材的CoFeB，并且耐腐蚀元素被加到所述基材中。
存储元件存储器装置

[发明专利]存储装置-CN201110185434.X有效
发明人：肥后丰;内田裕行;大森广之;别所和宏;细见政功;山根一阳 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储装置，所述存储装置含有包括以形成阵列的方式布置的存储器件的单元阵列。各所述存储器件具有：用于基于磁体的磁化状态存储信息的存储层；具有固定的磁化方向的磁化固定层；位于所述存储层与所述磁化固定层之间的隧道绝缘层，在将信息写入到所述存储层的操作中，产生在所述存储层和所述磁化固定层的层叠方向上流动的写入电流，以改变所述存储层的磁化方向，所述单元阵列被分为多个单元块，任意一个特定的所述存储器件的所述存储层的热稳定性的值是含有所述特定的存储器件的所述单元块所特有的。本发明的存储装置能够增大存储器件中能够进行的写入操作的次数并且能够增加存储在存储器件中的信息的保持时间的长度。
存储装置

[发明专利]相变存储器及相变存储器的制作方法-CN202110614419.6在审
发明人：彭文林;刘峻;杨海波;刘广宇;付志成 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：相变存储单元；所述相变存储单元，包括：由上至下依次层叠设置的第一电极层、相变存储层和第二电极层；其中，所述第一电极层和所述相变存储层之间形成的第一接触界面，用于抑制所述第一电极层的组成粒子与所述相变存储层的组成粒子之间的迁移；所述第二电极层和所述相变存储层之间形成的第二接触界面，用于抑制所述第二电极层的组成粒子与所述相变存储层的组成粒子之间的迁移。
相变存储器制作方法

[实用新型]一种多层的吸油棉结构-CN201820883540.2有效
发明人：严春华 -专利权人：苏州市佳和无纺制品有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： B32B3/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多层的吸油棉结构，包括装置本体，防护速吸层，收集传导层，锁紧防漏层，吸附存储层和加强存储球，所述装置本体内部中间设置有上下两处吸附存储层，且吸附存储层之间放置安装有若干有序排列的加强存储球；所述吸附存储层外侧均固定安装有锁紧防漏层，且锁紧防漏层外侧均固定安装有收集传导层；所述收集传导层外侧均固定安装有防护速吸层。锁紧防漏层的设置，方便收集传导层和吸附存储层插入锁紧防漏层防护筒内部形成对接，使外部油污通过收集传导层进入吸附存储层内部，同时通过加强存储球饱和状态下的膨胀将锁紧防漏层防护筒挤压封闭，防止了移动时内部油污流出造成二次污染问题，方便通过加强存储球的膨胀状态确认吸油状态。
吸附存储防漏层锁紧传导层存储装置本体防护筒吸油棉油污多层吸层防护本实用新型饱和状态二次污染膨胀状态中间设置吸油挤压流出膨胀封闭外部移动

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201410854957.2在审
发明人：高超;王哲献;江红;李冰寒 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括存储区和外围区；在存储区的衬底上形成存储区掩模层；在存储区的衬底上形成围绕所述存储区掩模层的保护环；在外围区的衬底上依次形成外围区浮栅层和外围区掩模层；在存储区掩模层、保护环以及外围区掩模层上形成保护层，位于存储区的保护层为存储区保护层，位于外围区的保护层为外围区保护层；依次去除外围区保护层、外围区掩模层以及外围区浮栅层，露出外围区的衬底。本发明通过设置包围存储区的保护层和保护环，在去除外围区衬底上膜层的时候，保护存储区，可以是存储区不受外围区刻蚀工艺的影响，能够有效扩大外围区的刻蚀工艺窗口，提高器件制造良品率，降低器件制造成本。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]电阻性存储器阵列及其操作方法-CN201310117042.9在审
发明人：简维志;李峰旻;李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻性存储器以及用于控制所述电阻性存储器的操作的方法。该电阻性存储器具有第一存储器层、第二存储器层以及介质层。第一存储器层以及第二存储器层中的每一个用于储存数据。介质层形成于第一存储器层与第二存储器层之间。所述方法包括至少以下步骤：测量第一存储器层与第二存储器层之间的电阻，以及根据所测量的电阻来判定第一状态、第二状态以及第三状态中的哪一者为电阻性存储器的状态。亦描述一种电阻性存储器阵列，其包含上述电阻性存储器单元的阵列、字线以及位线，其中字(位)线耦接至第一(第二)存储器层。
电阻存储器阵列及其操作方法

[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备-CN202210777446.X在审
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：设置在衬底上的存储单元层，包括在竖直方向上彼此叠置的第一源/漏层、第一沟道层、第二源/漏层、第二沟道层和第三源/漏层；相对于衬底竖直延伸以穿过存储单元层的栅堆叠，包括栅导体层和设置在栅导体层与存储单元层之间的存储功能层；以及源极线接触部和体接触部中至少之一。源极线接触部相对于衬底竖直延伸以穿过存储单元层，且与存储单元层中的第一源/漏层和第三源/漏层分别电连接。体接触部相对于衬底竖直延伸以穿过存储单元层，且与存储单元层中的第一沟道层和第二沟道层分别电连接。
nor 存储器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]热辅助磁写入存储器-CN200810172771.3有效
发明人：奥利维耶·雷东 -专利权人：原子能委员会
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种热辅助磁写入存储器，包括存储点或存储单元，每个存储点或存储单元包括由以反铁磁材料制成的层彼此分离的双磁隧道结，其中，构成它们的层的堆叠顺序彼此相反，每个磁隧道结包括：参考层；存储层；绝缘层，其插入在参考层与存储层之间，构成相关的磁隧道结的隧道势垒；层的截止温度低于对应磁隧道结的参考层的截止温度。每一存储点包括：用于将存储层加热到高于该层的截止温度的温度的装置。存储器包括：用于施加磁场的装置，以便相对于一个或多个参考层的磁化对每一存储点的一个或多个存储层的磁化进行定向，而不改变相关的参考层的方向。
辅助写入存储器

[发明专利]一种数据存储方法及装置-CN201610822637.8有效
发明人：苑忠科 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据存储方法及装置，其中该方法包括：将存储介质按照其读写性能划分为不同的存储介质层，并基于每层存储介质层的权重值及预设容量参数计算该存储介质层的数据块大小；获取待存储数据的热度，并确定与该存储数据的热度对应读写性能的存储介质层为目标存储层；将所述待存储数据按照所述目标介质层的数据块大小划分为存储数据块，并将该存储数据块存储至所述目标存储层中。可见，本申请中能够充分结合高性能存储介质及低性能存储介质的优点，在一定程度上保证低成本的同时实现了高读写性能。
一种数据存储方法装置

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN202110187197.4在审
发明人：吴冠纬;张耀文;杨怡箴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。其中，该存储器装置包括一衬底、一叠层结构以及一存储器串列。叠层结构位于衬底上。叠层结构包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层。存储器串列沿着第一方向容置于叠层结构中，存储器串列包括一存储层及一通道层，且存储层位于叠层结构与通道层之间。其中至少一部分的存储层与绝缘层沿着第一方向彼此重叠。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]非易失性存储元件及包括其的存储装置-CN201110153471.2无效
发明人：李承烈;金昌桢;金英培;李明宰;许智贤;李东洙;张晚;李昌范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了非易失性存储元件及包括其的存储装置。所述非易失性存储元件可包括第一电极、第二电极、第一缓冲层、第二缓冲层和存储层。存储层设置在第一电极和第二电极之间。第一缓冲层设置在存储层和第一电极之间。第二缓冲层设置在存储层和第二电极之间。存储层可具有可包括第一材料层和第二材料层的多层结构。第二材料层可由第二金属氧化物形成，第二金属氧化物与形成第一材料层的第一金属氧化物同族或不同族。
非易失性存储元件包括装置

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法-CN201510013033.4有效
发明人：朱建隆;陈俊宏;邱达乾 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法，该存储器包括基底、堆叠结构、通道层与第二介电层。堆叠结构包括第一介电层与多个存储单元。第一介电层设置于基底上。存储单元堆叠设置于第一介电层上。各个存储单元包括二层第一导体层与电荷存储结构。电荷存储结构设置于第一导体层之间。垂直相邻的存储单元中的电荷存储结构彼此隔离。通道层设置于堆叠结构的侧壁上，且连接于基底。第二介电层设置于通道层与第一导体层之间。
挥发性存储器及其制造方法