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[发明专利]连接到处理单元的半导体存储器堆叠以及相关联方法-CN202180050165.8在审
发明人： K·K·柯比 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明公开一种连接到处理单元的半导体存储器堆叠以及相关联方法及系统。在一些实施例中，所述半导体存储器堆叠可包含附接到存储器控制器裸片(例如，高带宽存储器)且由所述存储器控制器裸片承载的一或多个存储器裸片。此外，处理单元(例如，处理器)可在无中介体的情况下附接到所述存储器控制器裸片，以为在所述半导体存储器堆叠与所述处理单元之间行进的信号提供最短可能路线。另外，所述半导体存储器堆叠及所述处理单元可在无中介体的情况下附接到封装衬底。
接到处理单元半导体存储器堆叠以及相关方法

[发明专利]磁电阻随机存储器及其封装外壳和制备方法-CN202111114085.2在审
发明人：张倩;杨振涛;高岭;王灿 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L23/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁电阻随机存储器及其封装外壳和制备方法，属于陶瓷封装外壳技术领域，磁电阻随机存储器封装外壳包括陶瓷底座；金属墙体，设于陶瓷底座；金属盖板，设于金属墙体背离陶瓷底座的端面，陶瓷底座、金属墙体和金属盖板共同围合形成密闭空间如此设置，可以使封装外壳具有较高的屏蔽效率，具备可多层布线、高可靠性、高气密性等特点，能够实现高可靠等级或军用等级的封装效果，体现了陶瓷封装外壳在磁电阻随机存储器领域中的优越性和实用性。
磁电随机存储器及其封装外壳制备方法

[发明专利]包括插置物的半导体封装件-CN202110565154.5在审
发明人：白起源 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装件包括：处理器；下存储器，其包括垂直层叠的多个下存储器芯片；插置物，其安装在处理器和下存储器上；以及上存储器，其安装在插置物上，该上存储器包括垂直层叠的多个上存储器芯片。插置物包括第一物理层(PHY)，其在处理器和下存储器之间发送和接收信号以及在处理器和上存储器之间发送和接收信号，并且处理器包括与第一PHY通信的第二PHY以及将第一PHY电连接到第二PHY的第一硅通孔(
包括插置物半导体封装

[发明专利]多通道半导体存储器装置以及包括该装置的半导体装置-CN201110412500.2有效
发明人：金炫中;李东阳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： G11C8/16 文献下载
摘要：公开了一种多通道半导体存储器装置以及包括该装置的半导体装置。所述半导体存储器装置包括安装在封装件内的多个通道存储器，并能够最小化或减少硅通孔的数量。关于所述半导体存储器装置，通过共享总线施加关于两个或更多个通道的行命令或行地址。半导体存储器装置能够通过减少硅通孔的数量来减少裸片大小的开销。还提供了一种使用共享总线来驱动包括多个存储器的多通道半导体存储器装置的方法。
通道半导体存储器装置以及包括

[实用新型]个人电脑用存储器模块的结构改良-CN97202309.7无效
发明人：陈义明 -专利权人：陈义明
申请日： 1997-03-07 - 公布日： 1998-06-10 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及基本电气元件中的一种半导体器件,它主要由一模块卡、多个存储器集成电路晶粒、多个黑胶区、一正面封装塑胶区和一背面封装塑胶区所组成,其中多个存储器集成电路晶粒的各输出端,以金属线连接固定到一具有金属接腿图案的模块卡的相对应金属接腿图案上,黑胶区包围住每一晶粒表面及其金属线;正面封装塑胶区则包围住所有黑胶区,而背面封装塑胶区则位于模块卡的背面,形成一种无外露金属接腿,且为单一封装区的存储器模块结构。
个人电脑存储器模块结构改良

[发明专利]交换机管脚多路复用-CN200980142208.4有效
发明人： D·潘内尔 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H03K19/173 文献下载
摘要：在集成电路(IC)封装体内的IC，其中该IC包括存储器控制模块和定时模块。存储器控制模块配置为经由该IC封装体的N个管脚控制存储器IC的读取/写入操作，其中N为大于1的整数。该存储器IC在该IC封装体之外。定时模块配置为控制N*M个发光二极管(LED)的开启/关闭定时，所述N*M个LED安排为分别连接到该IC的N个管脚和M个管脚的N列和M行，其中M为大于1的整数。
交换机管脚多路复用

[发明专利]多堆叠存储器封装的并行测试装置及方法-CN202110270125.6在审
发明人：金雄熙;张欣;杨涛;赵劼 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种多堆叠存储器封装的并行测试装置及方法，该并行测试装置包括测试机和第一数量的与门运算器，测试机包括第一数量的比较器，第一数量的与门运算器的输出端与第一数量的比较器的第一输入端一一对应连接；每一与门运算器的第一输入端分别同时连接各单片存储器的具有相同预设标识的引脚，并且各个与门运算器的第一输入端所连接的引脚的预设标识互不相同；与门运算器的第二输入端用于输入预设基准电压；比较器的第二输入端用于输入预设期望电压本申请的多堆叠存储器封装的并行测试装置，能够同时对多堆叠存储器封装内的多个单片存储器进行并行测试，从而大大减少了测试时间，提高了测试效率，降低了测试时间成本。
堆叠存储器封装并行测试装置方法

[实用新型]一体封装的USB存储模块-CN200820094110.9有效
发明人：丁万财;庞卫文 -专利权人：深圳市江波龙电子有限公司
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一体封装的USB存储模块，包括顺序连接存储芯片、处理器和USB接口，存储芯片、处理器和USB接口一体封装构成USB存储模块；所述的处理器包括单片机和与单片机匹配的数据/地址总线，在单片机的外围经数据/地址总线连接有晶体振荡器、程序只读存储器、程序随机存储器、数据随记存储器和寄存器。本实用新型USB存储模块一体封装时，内置的芯片高度集成，USB存储模块尺寸较小，而且存储容量能设置在1GB-16GB，该存储模块具USB接口可搭配各种类型的外壳装配成U盘，且存储模块还能通过设置在USB存储模块表面的金属焊点外接晶体振荡器，给USB存储模块的生产和使用带来方便。
一体封装 usb 存储模块

[发明专利]管理基板管理控制器的存储器中的秘密的存储-CN202210415574.X在审
发明人： T·F·爱默生;S·R·达萨里;L·E·小卢西亚尼;K·E·博伊姆;N·J·罗伯森;R·L·努南;C·M·韦斯内斯基;D·F·海因里奇 -专利权人：慧与发展有限责任合伙企业
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F21/57 文献下载
摘要：一种装置包括主机和基板管理控制器。基板管理控制器包括半导体封装；并且所述半导体封装包括存储器、安全硬件处理器；以及主硬件处理器。主硬件处理器使基板管理控制器充当代理，所述代理独立于主机而响应与远程管理实体的通信来管理主机。安全硬件处理器管理主机的秘密在存储器中的存储。
管理控制器存储器中的秘密存储

[发明专利]一种FPGA存储器的工艺映射方法-CN201410490278.1有效
发明人：李璇;王元鹏;樊平;刘明 -专利权人：京微雅格（北京）科技有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种FPGA存储器的工艺映射方法，所述方法包括：根据存储器逻辑网表的原始信息进行分类封装，生成端口组集合；根据所述端口组集合包括的端口组的数量和端口组参数，构造存储器宏；根据目标工艺库中的资源规模对所述存储器宏的数据空间和地址空间进行切分，得到存储器组件；所述存储器组件包括功能参数，所述功能参数具体为：构造所述存储器宏的端口组的端口组参数；将所述存储器组件按位扩展和地址扩展生成存储器组件扩展组；根据所述存储器组件扩展组中包括的每一个存储器组件，再进行存储器组件类型的精确匹配；根据所述精确匹配后的所述存储器组件的连接关系和所述功能参数，在器件工艺映射库进行映射，生成所述FPGA存储器。
一种 fpga 存储器工艺映射方法

[发明专利]半导体装置和半导体器件-CN202210482379.9在审
发明人：五十栖洋一;别井隆文;仮屋崎修一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：该半导体装置，包括安装板、在该安装板上设置的片上系统(SOC)封装和存储器封装。SOC封装包括半导体芯片和在其上安装该半导体芯片的封装衬底。该半导体装置还包括：在封装衬底上和安装板中设置的信号布线线路，半导体芯片和存储器封装之间的信号通过该信号布线线路进行传输；测量端子，被连接到在封装衬底的主表面上的信号布线线路。
半导体装置半导体器件

[发明专利]具有单个接口的混合存储器设备-CN200780021218.3有效
发明人： R·帕纳巴克;J·克里西 -专利权人：微软公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：所描述的是一种技术，按照该技术，存储器控制器是其中具有不同类型的存储器(例如，SDRAM和闪存)的混合存储器设备的一个组件，其中该控制器操作使得该存储器设备只拥有为一类存储器定义的、关于电压和访问协议的单个存储器接口例如，该控制器允许具有标准SDRAM接口的存储器设备提供对SDRAM和非易失性存储器的访问，该非易失性存储器被覆盖在易失性存储器地址空间的一个或多个指定块中(或相反)。命令协议将存储器页映射到易失性存储器接口地址空间，例如，准许单个引脚兼容多芯片封装替换想要提供非易失性存储的任何计算设备中的现有易失性存储器设备，而只要求对该设备进行软件改变以访问该闪存。
具有单个接口混合存储器设备

[发明专利]半导体存储器-CN98103548.5无效
发明人：八谷勇太郎 -专利权人：日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-08-07 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：在本发明的一种半导体存储器中，一组用于将半导体存储器与外部连接并且被分配给多个相同功能管脚的电极焊盘同时分布在一个存储器片表面的第一象限和第二象限内，该象限由所述存储器片的中心线划分。对于一个单独的存储器片，可以在一个封装中同时实现面朝上安装和面朝下安装。
半导体存储器

[发明专利]SONOS存储器及其制造和操作方法-CN200410095200.6无效
发明人：金汶庆;金桢雨;李兆远;李殷洪;蔡熙顺 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-10-10 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种SONOS存储器，包括：具有源区和漏区以及沟道区的半导体层，和在半导体层上的上部堆叠结构，其与半导体层一起形成上部SONOS存储器。在半导体层下的下部堆叠结构与半导体层一起形成下部SONOS存储器。还提供一种制造和操作SONOS存储器的方法。可以不按照窄设计规则而制造出具有高封装密度的SONOS存储器。
sonos 存储器及其制造操作方法

[发明专利]将存储器元件贴附到相关器件的方法和堆叠结构-CN200610160392.3无效
发明人：杰拉尔德·K·巴特利;保罗·E·达伦;马克·O·马克森;菲利普·R·杰曼;安德鲁·B·马基;达里尔·J·贝克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于将存储器元件贴附到球栅阵列(BGA)器件的堆叠方法和结构。专用载体包含多个存储器器件，例如存储器管芯，或芯片级封装(CSP)存储器。该专用载体被贴附到配对支持载体以形成堆叠结构。
存储器元件贴附到相关器件方法堆叠结构