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[发明专利]存储器的启动方法、装置、电子设备及存储介质-CN202110180143.5在审
发明人：马继荣;黄金煌 -专利权人：北京紫光青藤微系统有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G06F9/4401 文献下载
摘要：本申请提出一种存储器的启动方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：响应于用于启动存储器的启动指令；接收针对状态寄存器的第一写入数据，并存储所述第一写入数据；读取所述第一写入数据，并将所述第一写入数据存储到所述存储器中的锁存器；对所述存储器的主存储区进行写操作由此，对存储器的主存储区进行写操作之前，仅接收针对状态寄存器的第一写入数据，将第一写入数据存储到存储器中的锁存器，不对存储器中的状态寄存器进行写操作，可有效减少存储器启动后存储器主存储区的写操作的等待时长
存储器启动方法装置电子设备存储介质

[发明专利]多声码器的存储器结构及存储器管理方法-CN200310124413.2无效
发明人：李相孝 -专利权人：乐金电子（中国）研究开发中心有限公司
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G10L13/04 文献下载
摘要：一种多声码器的存储器结构及存储器管理方法，具有各个声码器所要求的帧尺寸的最小公倍数的综合存储器使用双缓冲区，无须对声码器进行比较判断，把语音数据复制到综合存储器中，从而能够减小整体存储容量，缩短语音处理迟延时间其结构包括：共享存储器，它具有拥有最低帧的声码器所要求容量的存储器；综合存储器，它的存储容量设置成可以支持各个声码器要求的帧尺寸的最小公倍数的容量，由双缓冲区结构构成。如果共享存储器已满，则把上述共享存储器中堆积的语音数据复制到综合存储器的一侧缓冲区，然后确认在接收上述语音数据的通道中使用的声码器，如果上述确认的声码器要处理的容量的语音数据堆积于上述一侧缓冲区，则向内核接入中断信号
声码存储器结构管理方法

[发明专利]向网络设备中的队列分配共享保留存储器-CN202310076885.2在审
发明人： N·艾贝斯特;B·加夫尼 -专利权人：迈络思科技有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H04L67/568 文献下载
摘要：本公开涉及向网络设备中的队列分配共享保留存储器。一种网络设备包括一个或更多个端口、分组处理器、和存储器管理电路。一个或更多个端口用于通过网络传送分组。分组处理器用于使用多个队列来处理分组。存储器管理电路用于在存储器中维持共享缓冲区并自适应地从所述共享缓冲区向队列分配存储器资源；除了共享缓冲区外，还在存储器中维持共享保留存储器池以供队列的定义的子集使用；以及在所述子集中识别队列，该队列(i)需要额外的存储器资源，(ii)没有资格从共享缓冲区获得额外分配，以及(iii)满足共享保留存储器池的资格条件；以及从共享保留存储器池向所识别的队列分配存储器资源。
网络设备中的队列分配共享保留存储器

[发明专利]使用空间服务质量(QoS)标记提供异质存储器系统的弹性管理-CN201780054540.X有效
发明人： C·B·韦里利;C·A·瓦德斯伯格;N·瓦伊德亚纳坦;M·C·A·A·黑德斯;K·巴塔查里亚 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F12/0802 文献下载
摘要：本发明揭示使用在以处理器为基础的系统中的空间服务质量QoS标记提供异质存储器系统的弹性管理。在一方面中，以处理器为基础的系统的异质存储器系统包含第一存储器及第二存储器。所述异质存储器系统被分成多个存储器区，每个存储器区与QoS识别符QoSID相关联，所述QoS识别符可通过软件设定且更新。所述异质存储器系统的存储器控制器提供QoS策略表，所述QoS策略表用于将每个QoSID与QoS策略状态相关联，且所述QoS策略表也可经软件配置。在接收到包含存储器区的存储器地址的存储器访问请求之后，所述存储器控制器便识别与所述存储器地址相关联的可经软件配置的QoSID，且使用所述QoS策略表将所述QoSID与QoS策略状态相关联。所述存储器控制器接着应用所述QoS策略状态以执行存储器访问操作。
使用空间服务质量 qos 标记提供存储器系统弹性管理

[发明专利]一种垂直结构的半导体存储器及其制造方法-CN201010231342.6有效
发明人：王鹏飞;林曦;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种垂直结构的半导体存储器及其制造方法。本发明的存储器是垂直沟道型双金属浮栅存储器，它包括至少一个衬底区、一个漏区、一个源区、两个浮栅区和一个控制栅极，所述存储器的浮栅区用于存储电荷。本发明还公开了上述双金属浮栅存储器的制造方法。本发明采用垂直的沟道结构，在增大栅长的情况下不会占用更多的芯片面积，有利于芯片往高度集成的方向发展；用简化的方法制造出面积较小的双位存储单元，可以在相同面积的硅衬底上制造出更多的存储器单元，从而实现高密度存储
一种垂直结构半导体存储器及其制造方法

[发明专利]存储器变址系统和处理-CN200780048947.8无效
发明人：劳伦特·卡斯蒂略 -专利权人：金雅拓股份有限公司
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及存储器变址管理系统。所述系统包括变址的存储存储器、包含变址的存储器区和微处理器。按分层树形结构的形式建立变址，并且变址至少包括两个节点。一个节点包含与引用变址中的节点或者存储存储器中的存储器区的指针关联的标识符。节点的内容在存储器区中分开的第一和第二存储器空间上分布。
存储器系统处理

[发明专利]一种外存储器的直接内存储器访问方法和装置-CN202010819404.9有效
发明人：赵帅 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06F12/0868 文献下载
摘要：本发明公开了一种外存储器的直接内存储器访问方法和装置，方法包括：在内存储器管理模块中划分输入缓冲区和输出缓冲区，并生成输入缓冲区和输出缓冲区的物理地址；响应于感知到外存储器尝试写入数据，而由相应进程基于物理地址将数据写入输入缓冲区，并执行内存屏障指令以将数据从输入缓冲区更新到内存储器；响应于感知到外存储器首次尝试读取数据，而执行失效缓存指令以将数据从输出缓冲区移除。
一种外存直接内存储器访问方法装置

[发明专利]区块管理方法、存储器控制器及存储系统-CN202210405992.0在审
发明人：黄学楼;董伟涛 -专利权人：深圳宏芯宇电子股份有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种区块管理方法，存储器控制器及存储系统，属于存储技术领域。所述区块管理方法包括：将所述存储器模块中的一个或多个区块划分为第一存储区，所述第一存储区中的区块用于暂存从主机系统读取到存储器模块时的数据；根据对来自主机系统的读写指令的解析，从所述存储器模块中挑选区块并将其配置为第一存储区中的区块来使用基于本申请所述方法，根据实际需要而动态地调整第一存储区的大小，使得第一存储区的大小不再是固定不变，既可以提高存储器存储装置的读写速度，又可以提高存储器存储装置的使用寿命。
区块管理方法存储器控制器存储系统

[发明专利]基于区复位行为的数据存储设备的区分配-CN202110371188.0在审
发明人： P.鲁斯维格;Y.阿塔克尔蒂 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明题为“基于区复位行为的数据存储设备的区分配”。在一个具体实施中，存储器控制器包括主机接口、存储器接口和闪存转换层(FTL)。FTL被配置为从主机设备接收将数据存储在固态存储器的区中的请求。FTL还被配置为将区复位率分类确定为热分类、冷分类和正常分类中的一者。FTL还被配置为当区复位率分类是热分类时，将区分配给具有最少自由管芯块的存储器管芯。FTL还被配置为当区复位率分类是冷分类时将区分配给具有最多自由管芯块的存储器管芯。FTL被进一步配置为将数据发送到存储器管芯以存储在其中。
基于复位行为数据存储设备区分

[发明专利]对区命名空间存储器的增强型文件系统支持-CN202080081567.X在审
发明人： L·伯特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：存储器子系统中的处理装置识别第一存储器装置和第二存储器装置，且用区命名空间配置所述第二存储器装置。所述处理装置识别所述第一存储器装置的第一部分和第二部分，所述第一部分存储对应于所述第二存储器装置上的所述区命名空间的区命名空间元数据。所述处理装置进一步将所述第一存储器装置的所述第二部分作为非分区可寻址存储器区域暴露于主机系统。
命名空间存储器增强文件系统支持

[实用新型]一种MCU芯片-CN201220127028.8有效
发明人：胡杰;张琢;张炜;孙有阳;韩智毅 -专利权人：佛山华芯微特科技有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本实用新型提出一种MCU芯片，该MCU芯片包括外部存储器地址转换电路、片内地址产生逻辑、片内易失性存储器配置与控制器、片内易失性存储器、以及非易失性存储器；片内易失性存储器包括用于存储程序的程序区和用于存储数据的数据区，所述外部存储器地址转换电路采用外部通用或专用总线接口控制器，所述片内易失性存储器是SRAM。本实用新型配合相应的上电执行流程以及程序烧录方式，可以克服所提到的程序区与数据区容量固定的局限性，同时解决可擦写非易失性存储器读取性能低的不足导致程序执行效率受到影响的问题，并可提升芯片生产制造成品率，
一种 mcu 芯片

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202010291528.4有效
发明人：李思晢 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本申请提供一种三维存储器及其制备方法。所述三维存储器包括：形成于衬底上的若干间隔排布的存储单元区；形成于衬底上且位于各存储单元区周围的台阶区；形成于相邻的台阶区之间的虚拟堆叠结构；以及，填充在相邻的台阶区和虚拟堆叠结构之间的填充材料层，其中，填充材料层覆盖相邻的台阶区和虚拟堆叠结构以及相邻的台阶区和虚拟堆叠结构之间的衬底。本申请的三维存储器解决了现有技术中由于存储单元区边界被挤压变形而造成对准偏移，从而导致上下层的沟道孔难以对准，影响三维存储器的电学性能，使得三维存储器的良率降低的问题。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]开机方法、存储器存储装置及存储器控制器-CN202111665455.1在审
发明人：吴宗霖;赖振楠;张锦涛 -专利权人：深圳宏芯宇电子股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种开机方法、存储器存储装置及存储器控制器，该开机方法用于存储器存储装置，其中存储器存储装置包括存储器模块，存储器模块包括数据区，数据区存储有OS压缩数据，OS压缩数据为OS原始数据经压缩编码电路进行数据压缩处理后所得，开机方法包括：从数据区中获取OS压缩数据；根据预设的编码对照表读取OS压缩数据，完成整个开机过程。
开机方法存储器存储装置控制器

[发明专利]存储控制器及其操作方法、存储装置的操作方法-CN202310055420.9在审
发明人：姜一权;姜恩知;高锡煐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开了一种与主机和非易失性存储器装置通信的存储控制器的操作方法、存储控制器、以及存储装置的操作方法。存储控制器的操作方法包括：从主机接收指示多个分区中的第一分区的第一请求；响应于第一请求，将第一分区的状态设置为活动状态；向更新为活动状态的第一分区分配非易失性存储器装置的多个存储器块中的第一存储器块；以及将与第一请求相对应的用户数据存储在第一存储器块中第一存储器块的可靠性高于分配给多个分区中具有非活动状态的第二分区的第二存储器块的可靠性，并且存储控制器支持非易失性存储器快速的分区命名空间标准。
存储控制器及其操作方法装置

[发明专利]存储器及其制造方法-CN200810002643.4无效
发明人：赖二琨;吕函庭;谢光宇 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器及其制造方法。该存储器包括介电层、导体层、第一埋设扩散区、第二埋设扩散区以及电荷存储结构。导体层设置于介电层上，并可电性连接于至少一电压。第一埋设扩散区及第二埋设扩散区相互隔开地设置于导体层的表面。电荷存储结构设置于导体层上，并位于第一埋设扩散区及第二埋设扩散区之间。本实施例的存储器可以增加存储密度及容量，大大地提升存储器的实用性。
存储器及其制造方法