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[发明专利]存储器编程方法及系统-CN202210228915.2在审
发明人：闵园园;黄莹;刘红涛;蒋颂敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器及其编程方法，存储器包括多个存储单元，所述方法包括：对多个存储单元进行第一级编程，使多个存储单元中的第一部分存储单元和第二部分存储单元分别处于第一存储态和第二存储态；对第二部分存储单元进行第二级编程；以及响应于完成对第二部分存储单元的第二级编程，执行对第一部分存储单元的第二级编程，其中，处于第一存储态的第一部分存储单元的阈值电压小于所述第二存储态的第二部分存储单元的阈值电压。
存储器编程方法系统

[发明专利]一种存储系统中的元数据的管理方法及装置-CN202010021351.6在审
发明人：王晨 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G06F11/20 文献下载
摘要：一种存储系统中的元数据的管理方法及装置，该存储系统包括多个存储单元，每个存储单元映射到该存储系统包括的至少两个存储设备对应的物理存储空间，也就是说，该存储单元为逻辑存储单元，在该方法中，当存储系统中生成待写入数据对应的元数据后，则从该存储系统包括的多个存储单元中确定用于存储该元数据的存储单元，从而将该元数据存储至与确定的存储单元对应的至少两个存储设备中。由于每个存储单元会映射到至少两个存储设备对应的物理存储空间，这样，当某一个存储单元对应的多个存储设备中的一个存储设备发生故障，还可以从与该存储单元对应的剩余存储设备中恢复出该元数据，从而可以实现对元数据的冗余保护
一种存储系统中的数据管理方法装置

[发明专利]对包括可逆电阻器件的非易失性存储器件进行编程的方法-CN202110986572.1在审
发明人：韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供一种对包括多个存储单元的非易失性存储器件进行编程的方法。多个存储单元中的每个存储单元包括可逆电阻器件。从多个存储单元之中选择目标存储单元。确定用于目标存储单元的可逆电阻器件的目标电阻状态。读取目标存储单元的可逆电阻元件的电阻状态。将所读取的电阻状态与目标电阻状态进行比较。当所读取的电阻状态与目标电阻状态不同时，对目标存储单元的可逆电阻器件执行正编程操作和负编程操作之一。
包括可逆电阻器件非易失性存储器进行编程方法

[发明专利]一种稀疏存储单元内部物品的定位方法-CN202110094348.1在审
发明人：石飞;钮旭东;王志鹏;曹春林 -专利权人：上海威瞳视觉技术有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G06K17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种稀疏存储单元内部物品的定位方法，基于RFID技术将存储物品定位至存储单元中，在定位完成的存储单元中，识别出空余存储单元和稀疏存储单元，筛选出待重新定位物品并重新进行定位。在减小漏读率的同时纠正定位错面物品，保证定位精度，有效解决现有技术中没有筛选空余存储单元和稀疏存储单元的问题，将错误物品定位至正确的存储单元中，并且适用于高频和超高频RFID技术，应用范围广泛。
一种稀疏存储单元内部物品定位方法

[发明专利]在单个存储单元中存储多值数据的非易失性半导体存储器-CN02106452.0有效
发明人：田中智晴;陈健(音译) -专利权人：株式会社东芝;三因迪斯克公司
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的非易失性半导体存储器具备可对数据进行电改写的1个非易失性半导体存储单元；以及将数据写入存储单元的写入电路，对存储单元供给写入电压Vpgm和写入控制电压VBL来对存储单元进行写入，如果存储单元达到了第1写入状态，则改变写入控制电压VBL的值来对存储单元进行写入，如果存储单元达到了第2写入状态，则将写入控制电压VBL的值改变为Vdd来禁止对存储单元M的写入。
单个存储单元数据非易失性半导体存储器

[发明专利]存储器件-CN201410338456.9有效
发明人：池育德;郭政雄;李谷桓;刘建瑛 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明公开了利用刷新操作编程和擦除存储单元的方法和系统。系统包括选择模块、处理模块和刷新模块。在方法中，首先，从存储器件中的多个存储单元中选择目标存储单元。之后，通过将选择电压施加至属于矩阵的线的目标存储单元和位置相关的存储单元，编程或擦除属于矩阵的线的目标存储单元。然后，实施刷新操作以刷新位置相关的存储单元。本发明包括存储器件。
存储器件

[发明专利]对非易失性存储器编程的方法和操作具有其的系统的方法-CN201710883574.1有效
发明人：林惠镇;朴一汉;朴贤国;尹盛远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：用于对非易失性存储器进行编程的方法包括：对在非易失性存储器中包含的存储单元中的低位进行编程，在对存储单元中的高位进行编程之前读取存储单元中编程的低位，根据读取低位的结果确定存储单元的阈值电压，使用所述阈值电压确定存储单元的类型，并根据所确定的存储单元的类型将多个脉冲之一供应给连接到存储单元的位线。
非易失性存储器编程方法操作具有系统

[发明专利]操作非易失性存储装置的方法-CN200810087931.4无效
发明人：金元柱;李太熙;玄在雄;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-25 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供了操作非易失性存储装置的方法。在操作包括多个存储单元的非易失性存储装置的方法中，通过在记录有记录的数据的存储单元的沟道上感应升压电压来使记录的数据稳定。从多个存储单元中选择该存储单元，并且通过连接到选择的存储单元的至少一个存储单元的沟道电压来感应选择的存储单元的沟道上的升压电压。
操作非易失性存储装置方法

[发明专利]存储方法及装置-CN202011473042.9在审
发明人：本條嵩騎;纪亮 -专利权人：深圳星火半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储方法及装置，应用于闪存设备，闪存设备具有多层存储单元，方法包括：将多层存储单元中的预设区域转换为虚拟单层存储单元；虚拟单层存储单元所在的区域为虚拟单层存储单元分区；多层存储单元中至少剩余一部分区域未被转换，剩余一部分区域为多层存储单元分区；在虚拟单层存储单元分区写入用户数据；及在多层存储单元分区备份用户数据中的关键数据。上述存储方法，成本较低，并且能够避免关键数据丢失或被循环覆盖，保证关键数据的安全，从而确保关键事故后能够取证成功。
存储方法装置

[发明专利]多阶分离栅极快闪存储器-CN200410092212.3无效
发明人：洪至伟;郭辉宏 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-03 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种多阶分离栅极快闪存储器，此快闪存储器由基底、存储单元列、拟选择栅极、源极区与漏极区所构成。而且，此存储单元列由多个存储单元串连而成，且各个存储单元至少包括堆栈栅极结构与选择栅极。各个存储单元的堆栈栅极结构配置于基底上。选择栅极配置于堆栈栅极结构的一侧壁。拟选择栅极配置于存储单元列的一侧，且与存储单元列最末端的存储单元的堆栈栅极结构侧壁邻接。源极区与漏极区分别配置于拟选择栅极与存储单元列侧边的基底中。
分离栅极闪存

[发明专利]降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质-CN202211220501.1在审
发明人：温靖康;鲍奇兵;高益;王振彪;吴彤彤 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质，该方法包括步骤：获取所述存储芯片中的易擦除存储单元组，所述易擦除存储单元组为所述存储芯片中阈值电压最低的若干存储单元；利用冗余单元替换所述易擦除存储单元组；该方法先获取存储芯片中的易擦除存储单元组，再利用冗余单元替换易擦除存储单元组，以替换掉存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而尽可能地减少存储阵列中容易被擦除的存储单元的数量，进而有效地降低存储芯片出现过擦除现象的概率。
降低存储芯片擦除概率方法电子设备介质

[发明专利]处理盒芯片、处理盒和处理盒芯片的存储单元切换方法-CN201310342703.8有效
发明人：杨晓锋;苏健强 -专利权人：珠海天威飞马打印耗材有限公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：本发明提供一种处理盒芯片、处理盒和处理盒芯片的存储单元切换方法，该处理盒芯片包括基板，基板上设有第一存储单元，其中，基板还设有第二存储单元和控制单元，第一存储单元和第二存储单元内均存储有打印耗材余量数据，控制单元可选择地与第一存储单元或第二存储单元电连接，第一存储单元和第二存储单元中与控制单元电连接的一个通过控制单元与外部进行通讯。以及对前述的处理盒芯片的存储单元进行切换的方法。本发明有效地延长处理盒的使用寿命，避免造成不必要的浪费，减少对环境的污染。
处理芯片存储单元切换方法

[发明专利]存储器编程方法、装置及电子设备-CN202011176789.8有效
发明人：张超;吴真用;李海波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器装置，其包括：包括多个存储单元的存储单元阵列；耦合至所述存储单元阵列的控制器，其被配置为：对所述存储单元阵列中的至少一组存储单元施加相同的验证电压，其中，所述一组存储单元至少包括要被编程至第一目标编程级别的第一存储单元和要被编程至高于所述第一目标编程级别的第二目标编程级别的第二存储单元；在经过第一验证时间段之后，获得针对第一存储单元的第一验证结果；以及在经过第二验证时间段之后，获得针对第二存储单元的第二验证结果，其中，所述第二验证时间段包含所述第一验证时间段。
存储器编程方法装置电子设备

[发明专利]非易失性存储器擦除作业中的字线补偿-CN200580041995.5有效
发明人：万钧;杰弗里·W·路特斯;庞产绥 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：在擦除作业期间将补偿电压施加至非易失性存储器系统以均衡存储单元的擦除行为。补偿电压可补偿从其他存储单元及/或选择栅电容性耦合至NAND串的存储单元的电压。可将补偿电压施加至一个或一个以上存储单元以大致正规化存储单元的擦除行为。可将补偿电压施加至NAND串的端存储单元以使其擦除行为与所述NAND串的内部存储单元均衡。也可将补偿电压施加至内部存储单元以使其擦除行为与端存储单元均衡。另外，可将补偿电压施加至NAND串的一个或一个以上选择栅以补偿从所述选择栅耦合至一个或一个以上存储单元的电压。可使用各种补偿电压。
非易失性存储器擦除作业中的补偿

[发明专利]抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法-CN200810177916.9有效
发明人：李昌炫;徐康德;林瀛湖;崔正达 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法。操作电荷俘获非易失性存储器件的方法包括：通过选择性擦除第一串中第一多个非易失性存储单元以及随后选择性擦除第一串中第二多个非易失性存储单元来擦除第一串非易失性存储单元的操作，第二多个非易失性存储单元与第一多个非易失性存储单元交替选择性擦除第一多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第二多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第二多个非易失性存储单元的同时，擦除第一多个非易失性存储单元。选择性擦除第二多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第一多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第一多个非易失性存储单元的同时，擦除第二多个非易失性存储单元。
抑制寄生电荷积累非易失性存储器及其操作方法