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[发明专利]功率MOS失效位置的判定方法-CN201610329281.4在审
发明人：马香柏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率MOS失效位置的判定方法，包含：步骤1，去除样品芯片表面钝化层，暴露出金属；步骤2，采用亮点定位工具定位出亮点；步骤3，采用激光成像技术，记录下亮点及其周围的晶粒的形貌；步骤4，在亮点附近做出标记位置；步骤5，在聚焦离子束机台下找到标记位置，并找到亮点对应的晶粒交界，进行切片分析，从而找到失效位置。
功率 mos 失效位置判定方法

[发明专利]失效位置的修补方法和装置-CN202110407955.9在审
发明人：仰蕾;陈予郎 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种失效位置的修补方法和装置，在对晶圆的失效位置进行修补时，可以先确定待处理晶圆中的失效位元；并基于挖掘规则库中包括的潜在挖掘规则，确定与失效位元存在关联的目标潜在失效位元；这样基于挖掘规则库中的潜在挖掘规则，确定与失效位元存在关联的目标潜在失效位元，可以挖掘出更多的与失效位元存在关联的目标潜在失效位元，使得后续在对失效位元对应的失效位置，和目标潜在失效位元对应的目标潜在失效位置进行修补时，可以在一定程度上避免失效位元位置被遗漏
失效位置修补方法装置

[发明专利]备用电路修补位置确定方法及装置、集成电路修补方法-CN202011350461.3在审
发明人：仰蕾;陈予郎 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本公开是关于一种备用电路修补位置确定方法及装置、集成电路修补方法，通过确定待修补芯片的失效位置，并根据该失效位置可以初步分派备用电路的初始修补位置，而根据初始修补位置可以确定潜在失效线路，再根据潜在失效线路可以确定预测修补位置，其中该预测修补位置就是上述较多概率出现新的失效位置的位置，再根据失效位置失效位置和预测修补位置可以确定出备用电路的最终修补位置，从而可以将失效位置和可能出现新的失效位置的预测修补位置同时确定为需要修补的修补位置，以在新的失效位置出现之前即对其进行修补，从而可以减小新的失效位置出现的概率，提高芯片的制程良率。
备用电路修补位置确定方法装置集成电路

[发明专利]芯片分析方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211140653.0有效
发明人：樊强 -专利权人：北京象帝先计算技术有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：其中，芯片分析方法包括：获得芯片的失效定位结果和DFM模型针对芯片生成的薄弱分析结果，失效定位结果包括可疑失效层和每个可疑失效层中的可疑失效位置，薄弱分析结果包括薄弱层和每个薄弱层中的薄弱位置；针对指向同一层芯片结构的可疑失效层和薄弱层，进行可疑失效位置和薄弱位置的比较，并根据可疑失效位置和薄弱位置的重叠情况，从可疑失效位置中确定候选失效位置。本公开中，通过结合失效定位结果和薄弱分析结果，对可疑失效位置进行筛选，可以准确缩小可疑失效位置的范围，有利于减少后续分析流程的分析量，提升分析效率。
芯片分析方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种电容失效分析检测方法-CN201811437172.X在审
发明人：刘超伟;刘超勇;戈统;宋国飞 -专利权人：苏州天标检测技术有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容失效分析检测方法，包括如下步骤：外观检查；内视检测，通过探伤检测设备对失效电容进行失效点定位，并确定失效点位置；初步确认失效原因，根据失效点位置列出可能的失效原因；模拟试验，根据失效原因对良品电容进行针对性的通电模拟，验证可能的失效原因，并将良品电容在失效损毁后的失效点情况与失效电容的失效点位置进行比对，确定失效原因；金相检测，将失效电容制成失效点位置的金相切片并在金相显微镜下观察确认，再使用扫描电镜和能谱分析仪对金相切片进行扫面分析，验证确定电容失效损毁原因并给出分析结论。本发明能够快速、高效地确认电容失效的根本原因，通过电容失效分析实现对于电子系统的工作可靠性的提高。
电容失效原因失效点位置失效分析失效点切片良品损毁检测验证工作可靠性金相显微镜能谱分析仪电子系统根本原因金相检测模拟试验扫描电镜探伤检测外观检查再使用比对分析通电观察

[发明专利]高能管道破裂导致设备失效后果评估方法与装置-CN202310450850.0在审
发明人：唐晓明;祝赫;李锦辉;杨帆 -专利权人：深圳中广核工程设计有限公司;中广核工程有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本申请涉及一种高能管道破裂导致设备失效后果评估方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：识别高能管道；对高能管道进行力学分析，确定高能管道各失效位置；获取高能管道不同破口形式，并根据不同破口形式以及各失效位置，得到各失效位置下不同破口形式的失效影响范围；根据失效影响范围，确定失效影响设备；对失效影响设备进行失效分析，得到设备失效后果；对设备失效后果进行安全目标评估，得到设备失效评估结果。采用本方法能够准确进行设备失效后果评估。
高能管道破裂导致设备失效后果评估方法装置

[发明专利]瓷外壳功率型电阻器开封分析方法-CN202111460764.5在审
发明人：范士海 -专利权人：航天科工防御技术研究试验中心
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本申请提供一种瓷外壳功率型电阻器开封分析方法，所述方法包括：失效点位置及失效原因分析方法；失效点位置及失效原因分析方法包括：获取电阻器的问题外观图像和问题内部图像；根据问题外观图像和问题内部图像确定疑似失效点位置；对电阻器的外壳进行化学溶解暴露出电阻膜；获取电阻膜的问题图像；结合问题图像和疑似失效点位置确定失效点位置；根据问题图像确定失效点位置的疑似失效原因；对电阻膜进行能谱分析得到能谱分析结果；结合能谱分析结果和疑似失效原因确定失效原因通过结构定位、物理测试和化学腐蚀相结合的方式进行开封分析，解决了瓷外壳功率型电阻器的失效分析问题，具有针对性强，操作简单的特点。
外壳功率电阻器开封分析方法

[发明专利]存储器失效点的定位方法-CN201911393029.X有效
发明人：徐静;王君易;刘慧丽;卜丽丽 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器失效点的定位方法，其包括如下步骤：初步定位失效点，获得失效点的初始位置；将失效点的初始位置所在区域标定为目标区域；去除所述目标区域表面的金属层；再次定位失效点，获得失效点的最终位置。本发明存储器失效点的定位方法简单易行，且大大提高了失效点的定位准确度。
存储器失效定位方法

[发明专利]封装器件的失效定位方法-CN202210344354.2在审
发明人：倪毅强;石高明;张志鑫;杨施政;何亮 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种封装器件的失效定位方法。封装器件的失效定位方法包括：获取未失效封装器件的参考信号；所述参考信号包括所述未失效封装器件的时域信号；获取失效封装器件的测量信号；所述测量信号包括所述失效封装器件的时域信号；对比所述参考信号和所述测量信号，获得所述失效封装器件的失效位置。本发明所述的封装器件的失效定位方法，分别获得未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，并通过对比未失效封装器件的参考信号和失效封装器件的测量信号，可以快速获得失效封装器件的精确失效位置，极大地节省了研发人员测试失效位置的时间，帮助提升企业研发竞争力，为后续开展先进封装器件失效分析定位工作提供参考。
封装器件失效定位方法

[发明专利]失效位元的修补方法及装置-CN202010833678.3有效
发明人：陈予郎 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本公开是关于一种失效位元的修补方法及装置，涉及集成电路技术领域，可以应用于对芯片中的失效位元进行修补的场景。该方法包括：确定待修补芯片中包括多个目标修补区域的待修补区域；采用备用电路对各目标修补区域中的第一失效位元进行第一修补处理；执行第二失效位元的位置确定步骤以确定第二失效位元的位元位置，并对第二失效位元进行第二修补处理；确定各目标修补区域的未修补失效位元，并递归执行第二失效位元的位置确定步骤以得到未修补失效位元的测试修补位置，以根据测试修补位置对未修补失效位元进行第三修补处理。本公开提出最佳化备用电路分派的三个不同阶段的失效位元修补处理方案，可以得到针对芯片中失效位元的最佳修补方案。
失效位元修补方法装置

[发明专利]一种失效分析去层方法-CN202010585440.3有效
发明人：沈仁慧;史燕萍;高金德 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01N23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种失效分析去层方法，截取样品并将其放入激光切割机，确定样品的失效分析区域和目标位置；目标位置所在失效分析层为Mx；利用激光切割机制作环绕目标位置的多个沟槽；沟槽底部位于金属层Mx+2层上或其以下深度的位置；环绕目标位置的多个沟槽相邻彼此相互贯通，沟槽环绕目标位置的失效分析区域相对于样品其他区域被划分为基于失效分析的独立区域；将样品置于抛光机上，针对被沟槽环绕的失效分析区域进行去层研磨并利用光学显微镜观察研磨位置，研磨至去除失效分析层Mx以上金属层，并将失效分析上Mx中的目标位置暴露为止。本发明的失效分析去层方法在保证芯片去层精确性、有效性的同时缩短磨样时间，增强效率。
一种失效分析方法

[发明专利]用于失效分析的方法-CN201510023600.4有效
发明人：康静;张冠杰;林杰;张哲 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于失效分析的方法。所述方法包括：在待测芯片的特定位置引入失效；测试出失效位置的电性地址；以及基于所述特定位置和所述电性地址确定电性失效地址与物理失效地址之间的转换关系。本发明所提供的用于失效分析的方法可以有效确认电性失效地址与物理失效地址之间的对应关系，从而可以基于测试到的电性失效地址精确计算出芯片上实际失效的物理单元的地址，为下一阶段的物理失效分析提供良好基础。
用于失效分析方法

[发明专利]一种器件失效点的定位系统及方法-CN202010110552.3在审
发明人：肖彪;邓梦;符超;曹竟元;林思岚 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种器件失效点的定位系统及方法，该方法包括：开封装置，用于对待进行失效点定位的器件进行开封，以得到开封后的样品器件；偏置电源，用于对开封后的样品器件施加偏置电压；位置确定装置，用于在对开封后的样品器件施加偏置电压的情况下，对已施加偏置电压的样品器件的失效点的位置进行确定；位置显示装置，用于在已确定样品器件的失效点的位置的情况下，对已确定的器件的失效点的位置进行显示。本发明的方案，可以解决对失效器件的失效点进行定位的难度较大的问题，达到降低对失效器件的失效点进行定位的难度的效果。
一种器件失效定位系统方法

[发明专利]基于由人工神经网络预测的失效模式应用掩模版增强技术方案-CN202080057283.7在审
发明人： R·M·鲁格;J·A·希瑟洛特 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：对于光刻掩模布局验证，针对一组设计意图中的每个设计意图通过标识在制造设计意图时预期出现的一组失效并且记录该组失效中的每个失效的失效模式和位置来收集训练数据。接下来，训练数据被用于训练机器学习模型、例如人工神经网络，以预测失效的失效模式和位置。然后，使用经训练的机器学习模型来预测针对给定设计意图的一组失效。接下来，对于每个所预测的失效，可以基于失效的失效模式选择掩模版增强技术(RET)方案，并且所选择的RET方案可以被应用于失效的位置周围的区域。
基于人工神经网络预测失效模式应用模版增强技术方案

[发明专利]一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置-CN202310239005.9在审
发明人：龚超;陈红军;张琳琳;许桐;吴燿杉 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N1/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置，切片方法包括：获取失效点位置；在所述失效点位置的外围进行组合标记处理，获取组合标记位置，其中，所述组合标记位置包括外围标记组、示警标记组以及目标标记组；根据所述外围标记组对所述失效点位置进行切片处理，获得初始切片；根据所述示警标记组与所述目标标记组对所述初始切片进行细修处理，生成目标切片；对所述目标切片进行切片处理，得到失效点样片。通过本发明公开的一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置，能够提升半导体芯片的失效点位置切片的精确度。
一种半导体芯片失效位置切片方法装置

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