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[发明专利]一种忆阻器阵列符号数乘法实现方法、装置及设备-CN202210738210.5有效
发明人：顾子熙;时拓;刘琦;张程高;高丽丽;王志斌;李一琪 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F7/575 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器阵列符号数乘法实现方法、装置及设备，装置包括忆阻器阵列和移位计算模块，忆阻器阵列的输入端和输出端分别与移位计算模块连接，方法包括步骤S1：确定带有符号的输入值，并将其转换为二进制补码形式；步骤S2：依据忆阻器阵列单次输入的位宽，将输入值拆分，其中最高位为符号位，从最低位开始依次输入到忆阻器阵列中进行乘法计算；步骤S3：忆阻器阵列单次输出值为最高位时做移位减法操作，其余位时均做移位加法操作；步骤S4：输出忆阻器阵列的最终乘法计算结果。本发明的忆阻器阵列符号数乘法实现方式，适用于神经网络计算，改善了部分场景下输入值仅为无符号数的限制，通用性强，几乎没有额外的硬件资源消耗。
一种忆阻器阵列符号乘法实现方法装置设备

[发明专利]一种忆阻电路及集成电路-CN202310390685.4在审
发明人：张补;张军;董雷宏;潘严琴;桃李;王文峰;王浩 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请属于忆阻器技术领域，提供了一种忆阻电路及集成电路，忆阻电路包括：N个忆阻输入电路、M个忆阻输出电路、触发逻辑电路以及触发器；忆阻输入电路由输入阻变忆阻器和输入场效应管串联组成，忆阻输出电路由输出阻变忆阻器和输出场效应管串联组成，触发器的反相时钟端以及触发逻辑电路的输出端共接于反相时钟信号端，触发逻辑电路的第一输入端连接电源端，触发逻辑电路的N个第二输入端分别连接N个所述忆阻输入电路，通过设计新颖结构的忆阻电路可以降低运算复杂度
一种电路集成电路

[发明专利]基于数字电位器的忆阻器仿真器电路-CN201510967269.1在审
发明人：王光义;袁方;王晋;彭存建;张祥 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于数字电位器的忆阻器仿真器电路。本发明根据HP实验室TiO2忆阻器的数学模型，对数学模型进行离散分析，获得了忆阻器数学模型的离散模型，根据所得出的离散数学模型，利用控制电路和数字电位器实现惠普实验室忆阻器模型。本发明提供的忆阻器仿真器包括数字电位器、高品质的仪表差分放大器、单片机。在无法获得纳米尺度单个孤立忆阻器器件的情况下，本发明提供的忆阻器仿真器可代替实际TiO2忆阻器进行忆阻器相关电路的设计与实验，也可用于其他需要忆阻器的领域。
基于数字电位器忆阻器仿真器电路

[发明专利]一种基于文字运算的三值忆阻比较器电路-CN202310373568.7在审
发明人：林弥;周张志;韩琪;徐超;张贵鹏;饶历 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于文字运算的三值忆阻比较器电路，属于忆阻比较器技术领域。该三值忆阻比较器电路包括信号A输入模块U1、信号B输入模块U2、AB比较模块U3忆阻文字运算为核心，通过文字运算实现对三值信号的直接处理。本发明能运用忆阻器和MOS管，实现结构简单的三值比较器，简化了电路的复杂性，对忆阻器的应用有重要意义。
一种基于文字运算三值忆阻比较电路

[发明专利]一种基于超材料的波导式光忆阻器-CN201410850612.X在审
发明人：周济;吴红亚 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超材料的波导式光忆阻器。该光忆阻器，包括光忆阻、波导、传输线和填充介质；其中，所述光忆阻位于所述波导内，所述波导内的剩余空间填充所述填充介质；所述传输线位于所述波导外，且分别与所述波导的两端相连；所述光忆阻的个数至少为一个。该波导式光忆阻器的透射率在电磁场的加载下表现出有高低透射率的变化，并具有记忆效应。该波导式光忆阻器可以用作一种光学元器件，使现有的光路设计更富有功能性，能使光学产品，如矢量网络分析仪等，向功能更丰富的方向发展。
一种基于材料波导式光忆阻器

[发明专利]用于忆阻器阵列的权重更新方法和处理单元-CN202210592646.8在审
发明人：吴华强;张文彬;高滨;姚鹏;唐建石;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：一种用于忆阻器阵列的权重更新方法和处理单元，该忆阻器阵列设置为用于映射神经网络的网络层的权重矩阵，且忆阻器阵列包括阵列排布的多个忆阻器单元，且多个忆阻器单元的每个包括用于形成差分单元的两个忆阻器，该权重更新方法包括：获取权重矩阵中每个权重的权重更新方向；根据在先更新模式历史，选择用于忆阻器阵列的权重更新操作模式，并根据每个权重的权重更新方向改变忆阻器阵列中对应的忆阻器单元中至少一个忆阻器的电导值。该权重更新方法能够提高处理单元的权重表示范围，解决单向操作造成忆阻器电导饱和的问题，有效降低系统的能耗开销，简化系统设计的复杂度。
用于忆阻器阵列权重更新方法处理单元

[发明专利]一种实现导电细丝通道定型定位的忆阻器-CN202110529561.0在审
发明人：孙华军;邹岚清;王涛;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种实现导电细丝通道定型定位的忆阻器，器件包括上电极、功能层和下电极，功能层基于同一种金属氧化物忆阻材料，其中的氧含量呈梯度变化，且沿由下电极指向上电极的方向氧含量呈先增加、再减小的变化趋势，由于氧空位浓度的最小值出现在功能层的中部，从而能够使该忆阻器中的导电细丝通道的断裂位置定位在功能层的中部。本发明通过对忆阻器件功能层的细节结构及组成进行改进，得到的忆阻器可实现对导电细丝通路形貌的定型和导电细丝通路通断位置的定位，与现有的忆阻结构相比，有利于实现低功耗、高一致性，多阻态的忆阻性能，能够有效解决现有技术中忆阻器件导电丝的尺寸以及形成位置的随机性等问题
一种实现导电细丝通道定型定位忆阻器

[发明专利]一种通过异构架构增强忆阻器计算系统安全性的方法-CN202111494131.6在审
发明人：邹敏辉;赵庆玲 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06N3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过异构架构增强忆阻器计算系统安全性的方法，通过将重要的和非重要的神经网络参数分别映射至静态存储器和忆阻器中来提升忆阻器计算系统的安全性。首先，评估神经网络参数的每一个网络层，找出参数中的重要网络层；然后，评估神经网络参数的每一个比特位，找出参数中的重要比特位；最后，提出将参数中的重要网络层的重要比特位映射至静态存储器计算模块，将剩余的参数映射至忆阻器计算模块本发明操作简单，实用性强，可以提高忆阻器计算系统的安全性。
一种通过构架增强忆阻器计算系统安全性方法

[发明专利]多阻态忆阻器的控制方法、装置及测试平台-CN202210474932.4在审
发明人：吴华强;于健;高滨;唐建石;赵美然 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种多阻态忆阻器的控制方法、装置以及测试平台，其中，方法包括：确定忆阻器的目标阻态；根据目标阻态计算忆阻器的目标电流，并根据目标阻态的阻态范围生成忆阻器的最佳调节策略；根据最佳调节策略和目标电流匹配忆阻器的目标栅端电压或目标复位电压脉冲宽度，并根据目标栅端电压或目标复位电压脉冲宽度调节忆阻器，直至忆阻器的实际阻态达到目标阻态，从而不仅能够稳定快速的达到不同的阻态，且在保证降低能耗的同时提高了忆阻器的使用寿命。由此，解决了相关技术无法快速切换到目标阻态导致耗时过长以及能耗过大且会减少忆阻器的寿命等问题。
多阻态忆阻器控制方法装置测试平台

[发明专利]忆阻器精度重构计算的误差校正方法、系统、计算机设备-CN202211396114.3在审
发明人：黄明强;马文凌;李廉正;赵广超 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本申请提供的忆阻器精度重构计算的误差校正方法、系统、设备及计算机可读存储介质，通过获取所述忆阻器的最大电导值及最小电导值；获取将所述忆阻器的权重值分片成比特片切片；根据所述最大电导值、所述最小电导值及所述比特片切片，得到由所述忆阻器的阵列计算得到的测试结果；将所述测试结果与标准结果比对，并评估由于所述忆阻器的非零态导致的非零误差；修正所述非零误差，本申请上述实施例提供的忆阻器精度重构计算的误差校正方法、系统、设备及计算机可读存储介质，在现有的将带符号补码在忆阻器上的映射方案的基础上，提出了一种误差评估和校正的方案，在考虑到器件的本征随机性的同时消除忆阻器由于非零状态产生的误差，可实现最小误差值的带符号补码的映射，提高忆阻器阵列模拟运算的精准度
忆阻器精度计算误差校正方法系统计算机设备

[发明专利]忆阻器阵列的操作方法、数据处理装置-CN202211477580.4在审
发明人：吴华强;李嘉宁;揭路;伍冬;姚鹏;潘思宁;高滨;钱鹤;唐建石 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种忆阻器阵列的操作方法以及数据处理装置。该忆阻器阵列的操作方法包括矩阵向量乘法操作，该矩阵向量乘法操作包括：将忆阻器阵列中各行的输入数据分别对应的输入电压施加在忆阻器阵列中各行的字线上；对忆阻器阵列中各列的源线分别施加源线电压，以使得忆阻器阵列中各行的各个忆阻器单元中的晶体管导通并工作在饱和区；对忆阻器阵列中各行的位线施加第一固定电压；检测忆阻器阵列中各列的源线上的输出电流以得到输出结果。该操作方法能够缓解忆阻器阵列中大电流导致的电压降对计算精度的影响，并且降低外部电路的设计难度。
忆阻器阵列操作方法数据处理装置

[发明专利]一种实数指数幂忆阻模型的电路设计方法-CN201710302716.0有效
发明人：张小红;齐彦丽 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：一种实数指数幂忆阻模型的电路设计方法，在仅包含一个线性无源电导，一个线性无源电容和一个非线性忆阻器的简约混沌电路基础上，构建了一个指数幂的忆阻函数多项式，该指数幂为连续可变的正实数。对本发明的实数指数幂忆阻器模型系统进行数值仿真，验证了系统经典混沌吸引子的存在性。相应的电路实验仿真结果表明本发明设计的电子器件满足忆阻器的本质特征，实数指数幂忆阻函数具有更加广泛和通用的应用价值。
一种实数指数幂忆阻模型电路设计方法

[发明专利]一种多模式可重构的忆阻选通单元及其制备方法-CN202211279446.3在审
发明人：詹学鹏;王成城;陈博;陈杰智 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于交叉点阵列的多模式可重构的忆阻选通单元及其制备方法，该选通单元由一个数字型忆阻器和一个模拟型忆阻器串联组成，且共用同一阻变层，结构简单，具有工艺兼容性。忆阻选通单元的运行方法能够通过多工作模式切换使忆阻选通单元实现选通行为和阻变行为；通过对单一数字型的调控实现忆阻单元的调控，实现了选通功能与阻变行为的重构，对于交叉点阵列等集成电路技术发展具有重要意义。
一种模式可重构忆阻选通单元及其制备方法

[发明专利]基于忆阻器的存算一体时序同步计算单元及方法-CN202210459799.5在审
发明人：高润雄;贾嵩;段杰斌 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于忆阻器的存算一体时序同步计算单元及方法，包括：第一MOS管、第二MOS管、第一、第二忆阻器、电阻以及电流源；第一、第二忆阻器分别输入第一、第二控制电压；第一MOS管的栅极接收开关信号，漏极接收输入的计算电压，源极与忆阻器连接；第二MOS管的栅极与忆阻器连接，源极与电流源的正极连接，漏极输出计算结果；电阻的一端与第二MOS管的栅极连接，另一端与电源负极连接；电流源的负极与电源负极连接；当计算电压以及忆阻器的阻性满足预设条件的情况下，通过第二MOS管M2输出存算一体时序同步的计算结果。本发明能够通过第一忆阻器和第二忆阻器进行同步的乘加计算，实现保证计算过程的并行性，从而提高计算的精确度。
基于忆阻器一体时序同步计算单元方法

[发明专利]存储器芯片和电子设备-CN202210885031.4在审
发明人：王敏生;阮健军 -专利权人：全中半导体（深圳）有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储器芯片和电子设备，可以根据阻值状态存储数据。存储器芯片包括至少一个子存储电路，各个子存储电路均包括一P型MOS管、一N型MOS管、一第一忆阻器以及一第二忆阻器，控制电路用于在分别控制通过第一忆阻器和第二忆阻器的电流方向为正端流向负端时，第一忆阻器和第二忆阻器的电阻值增大，增大至大于预设上升阻值时达到最大值，控制通过第一忆阻器和第二忆阻器的电流方向为负端流向正端时，第一忆阻器和第二忆阻器的电阻值减小，减小至小于预设下降阻值时达到最小值；各个子存储电路分别在第一忆阻器和第二忆阻器在保持为最大值和最小值时存储数据
存储器芯片电子设备

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