[发明专利]一种基于超材料的波导式光忆阻器在审
| 申请号： | 201410850612.X | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104597563A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 周济;吴红亚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于超材料的波导式光忆阻器。该光忆阻器，包括光忆阻、波导、传输线和填充介质；其中，所述光忆阻位于所述波导内，所述波导内的剩余空间填充所述填充介质；所述传输线位于所述波导外，且分别与所述波导的两端相连；所述光忆阻的个数至少为一个。该波导式光忆阻器的透射率在电磁场的加载下表现出有高低透射率的变化，并具有记忆效应。该波导式光忆阻器可以用作一种光学元器件，使现有的光路设计更富有功能性，能使光学产品，如矢量网络分析仪等，向功能更丰富的方向发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 材料 波导 式光忆阻器 | ||
【主权项】：
一种忆阻器，包括光忆阻、波导、传输线和填充介质；其中，所述光忆阻位于所述波导内，所述波导内的剩余空间填充所述填充介质；所述传输线位于所述波导外，且分别与所述波导的两端相连；所述光忆阻的个数至少为一个。
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