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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种大晶粒钴酸锂制备技术-CN202010702314.1在审
发明人：杜志强;林亚庆 -专利权人：桐乡比西新能源科技有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大晶粒钴酸锂制备技术，先将钴盐、碱、络合剂以及改性材料制成凝胶，凝胶经过水洗后测试凝胶中的钴元素和改性材料中改性元素的含量，按比例加入锂盐、氟化铵，搅拌均匀后利用离心雾化器瞬间喷干制成球形颗粒，经过一次烧结后得到大晶粒钴酸锂半成品，大晶粒钴酸锂半成品再经过包覆改性、二次烧结、筛分、除磁、批混后得到大晶粒钴酸锂成品。本发明的大晶粒钴酸锂制备技术，能够制备出大晶粒的钴酸锂成品，钴酸锂成品混合均匀，不易出现白点。将其用作电池正极材料，能够有效提高电池的容易和充电循环保持率。
一种晶粒钴酸锂制备技术

[发明专利]稀土磁铁的制造方法、磁铁和异常大晶粒成因的检测方法-CN201410368043.5有效
发明人：永田浩;陈首学 -专利权人：厦门钨业股份有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能稀土磁铁的制造方法、磁铁和异常大晶粒成因的检测方法，其通过打磨所述稀土磁铁，获得异常大晶粒所在区域光滑表面，观察所述光滑表面中每一异常大晶粒上的磁畴方向与观察面的夹角是否呈现何种变化，并根据该种变化采取对应的措施，消除稀土磁铁中的异常大晶粒，从而获得Br、BH(max)、Hcj和耐热性均有显著上升的磁铁。
稀土磁铁制造方法异常晶粒成因检测

[发明专利]一种用于大规格半连铸镁合金锭的晶粒细化方法-CN202110638631.6有效
发明人：王世伟;肖旅;王煜烨;孙京丽;陈舸;周海涛;孟佳杰;康靓;江善尧;汪彦博 -专利权人：上海航天精密机械研究所
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C22C1/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于大规格半连铸镁合金锭的晶粒细化方法，在镁合金熔体凝固过程中，通过喂丝法向镁合金熔体中间部分喂Mg‑Ti‑Zr晶粒细化合金丝，该合金丝包含的化学成分质量分数为0.5～15％Ti，10～本发明通过喂丝法调控大规格镁合金铸锭的晶粒细化颗粒分布，使其温度场分布、成分分布与晶粒细化剂分布产生协同作用，实现宏观区域晶粒尺寸精准调控，最终实现大规格镁合金铸锭晶粒细小且晶粒尺寸宏观均匀，提高了其综合力学性能，有利于大规格镁合金铸锭的推广应用。
一种用于规格半连铸镁合金晶粒细化方法

[实用新型]晶粒自动排列机-CN201220412942.7有效
发明人：刘宝成 -专利权人：河南恒昌电子有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体生产技术领域的设备，是晶粒自动排列机，包括一个底座，所述的底座上面经弹性部件连接有一个震动平台，振动平台下面设置有带偏心轮的电动机，振动平台上具有大凹槽，所述的大凹槽是可以放置一个或多个晶粒模具的结构，所述的大凹槽内部的高度是晶粒模具的高度，震动平台周围有晶粒收集槽，所述的收集槽有一个晶粒下落口，这样的晶粒自动排列机具有节省劳动力、生产效率高的优点。
晶粒自动排列

[发明专利]一种大晶粒碘化物钙钛矿薄膜的制备方法-CN201710201937.9有效
发明人：白帆;张树芳;苗晓亮;邱婷;胡延强;严仲 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种大晶粒碘化物钙钛矿薄膜的制备方法。所述方法通过将碘化甲基胺和碘化物粉末加入到甲醇中进行超声，使原料分散成很小的粒子进而充分反应，最后研磨得到微米级别的大晶粒、高质量的钙钛矿薄膜。本发明方法制得的钙钛矿薄膜晶粒尺寸均匀度好、薄膜覆盖度好、薄膜厚度容易控制，晶粒尺寸大，可达微米级别，大的晶粒可以有效的减小晶界密度，提高载流子的输运速率。
一种晶粒碘化物钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]大晶粒准单晶薄膜及其制备方法-CN202010737961.6有效
发明人：陈智;李昱瑾 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：一种大晶粒准单晶薄膜及其制备方法，乃将表面具有111优选方向的金属薄膜藉由机械拉伸力的作用，使得晶粒的排列更为有序，再利用低于再结晶温度的退火处理，而成长为平均直径500微米以上的大晶粒，以获得具有三轴优选方向的大晶粒准单晶薄膜，此大晶粒准单晶薄膜于拉伸方向及垂直拉伸方向各具有110与211的优选方向，且维持其表面111的优选方向。
晶粒准单晶薄膜及其制备方法

[发明专利]大晶粒锡溅射靶-CN202080054251.1在审
发明人：马克·D·鲁杰罗;斯蒂芬·费拉泽;弗兰克·C·奥尔福德;苏珊·D·斯特罗瑟;帕特里克·K·安德伍德 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：该平面溅射靶由平均晶粒尺寸为至少10mm到至多100mm的2N纯度锡形成。本公开提供了一种制造平均晶粒尺寸为至少10mm到至多100mm的锡平面溅射靶的方法。
晶粒溅射

[发明专利]镁合金-CN201180014451.5有效
发明人：染川英俊;向井敏司 -专利权人：独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C22C23/04 文献下载
摘要：本发明提供一种镁合金，其以镁为主成分，添加有其它金属元素，具有大倾角晶界，被该大倾角晶界包围的晶粒的内部由亚晶粒形成，其中，在所述亚晶粒的内部分散有微细粒子。
镁合金

[发明专利]制备大晶粒铸锭多晶硅的方法-CN201110405267.5无效
发明人：熊震;付少永;张驰;王梅花 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备大晶粒铸锭多晶硅的方法，该方法采用高熔点的大晶粒薄膜来诱导多晶硅晶粒的定向生长。大晶粒薄膜为金属的高纯氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物或硼化物；或者为高纯的氮化硅、氮化硼、碳化硅、碳化硼；熔点高于1480℃，纯度≥99.9％，其厚度为0.01～500μm，晶粒粒径为10～400mm，在水平方向上，晶粒的晶面与晶体硅的某个晶面能有效匹配，从而诱导晶体硅晶粒的生长。通过本方法制备得到的铸锭多晶硅晶体，具有晶粒粗大的特征，平均晶粒粒度大于20mm，硅片少子寿命比采用相同铸锭工艺而无薄膜诱导生长的铸锭多晶高30％以上，制备成光伏电池片，转换效率的绝对值比采用相同铸锭工艺而无薄膜诱导生长的铸锭多晶高
制备晶粒铸锭多晶方法

[发明专利]大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法-CN201711407499.8有效
发明人：韦进全;李雅慧;赵振昊;林峰;丁孔贤;孙永明;崔贤 -专利权人：清华大学;深圳珈伟光伏照明股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公布了一种大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法，包括前驱体溶液的制备和基底的制备，以及将制备好的前驱体溶液喷涂到基底上，获得大晶粒钙钛矿薄膜等过程。前驱体溶液喷涂到100～150℃的热基底上并保温至大晶粒钙钛矿薄膜生长，钙钛矿晶粒呈良好的取向排列。在大晶粒钙钛矿薄膜上制备空穴传输层或者电子传输层，获得大晶粒钙钛矿薄膜光电材料。本发明通过选择合适的溶剂及生长温度，获得晶粒尺寸达mm级的钙钛矿薄膜，提高了载流子迁移率，使得相应的钙钛矿薄膜光电材料具有更好的光电性能。
晶粒钙钛矿薄膜光电材料制备方法

[实用新型]高结温大功率二极管-CN201220323002.0有效
发明人：杨吉明 -专利权人：常州佳讯光电产业发展有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：高结温大功率二极管，其包括晶粒，所述的晶粒的窗口面朝上，其特征在于：所述的晶粒的上端面设置有上大台面，上大台面上连接有上引线，所述的晶粒的下端面设置有下大台面，所述的下大台面的下表面连接有下引线，所述的上大台面的下表面向下延伸设置有压紧的凸台面本实用新型对二极管的上大台面的结构进行了改进，使在组装时上大台面的下表面不与玻璃封装面接触，防止玻璃封装面的破损，提高了产品的良率，降低了生产成本。
高结温大功率二极管

[实用新型]一种高效能ACLED贴片光源-CN201120402246.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：洪涛;刘丽
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H05B37/00 文献下载
摘要：一种高效能ACLED贴片光源，由若干支按串联方式构成的LED晶粒串组成，其特征在于：A，每支晶粒串的首尾相连，组成一环形闭路结构；每一闭路的1/2处，为连接端点，使之和相邻的另一闭路连接，如此即构成一大晶粒串；再将此大晶粒串外接交流供电源；B，每支晶粒串的各相邻晶粒之间，还应左右连接，此即形成每个单一晶粒，不仅有PN结的两个接点，还有和相邻晶粒连接的第三个接点。上述的设计方案，实用证明，不仅有效地解决了LED光源使用过程中的发热问题，且也无闪频现象，尤其是当晶粒串的晶粒发生“死灯”故障时，不会影响光源照明。
一种高效能 acled 光源

[发明专利]晶粒拾取装置及方法-CN202011321726.7在审
发明人：张春颖;薛兴涛;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶粒拾取装置及方法，晶粒拾取装置包括：载台，其包含用于放置晶粒的水平台面；设置于所述载台中的顶推元件，其包含可在垂直于所述水平台面的方向上切换伸出和缩进状态的顶针；在所述顶针处于伸出状态时，所述顶针的顶部高于所述水平台面且可在多个高度位置处保持固定；用于从所述载台上夹取所述晶粒的真空夹具，其设置于所述载台的上方。本发明通过针对大尺寸芯片的晶粒拾取装置及工艺过程进行优化调整，确保了大尺寸芯片的晶粒拾取过程具有较高的成功率；采用多阶段升降的顶针设计，通过调整顶针升降高度及停留时间，确保了真空夹具能够成功拾取大尺寸芯片晶粒
晶粒拾取装置方法

[发明专利]一种大晶粒SAPO-34分子筛的制备方法-CN201010613147.X无效
发明人：李伟;韩冲;王寰;傅斌;王全义 -专利权人：天津凯美思特科技发展有限公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C01B39/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种大晶粒SAPO-34分子筛的制备方法，该方法以硫酸铝为铝源，三乙胺为模板剂，通过控制晶化体系中铝源的浓度，抑制晶化过程中的成核速率，最终得到大晶粒SAPO-34。该产品由于晶粒大，结晶度高，晶体内部有序孔道长，对于有特定要求的催化反应及气体吸附分离行业有重要应用价值。
一种晶粒 sapo 34 分子筛制备方法

[发明专利]一种晶粒细化的大壁厚挤压铝合金管材及其制备方法-CN201410294609.4有效
发明人：张培良;宗岩;徐群峰;吕庆玉 -专利权人：龙口市丛林铝材有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C22C21/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶粒细化的大壁厚挤压铝合金管材，含有如下质量百分比的金属物质：Mg：1.0-1.15％，Si：0.60-0.75％，Cu：0.20-0.35％，Fe：0.35％，Mn：0.10％，Cr：本发明还公开了一种所述晶粒细化的大壁厚挤压铝合金管材的制备方法，本发明晶粒细化的大壁厚挤压铝合金管材解决了6061合金大壁厚挤压铝合金管材基体及表面晶粒粗大，消除了阳极氧化后出现大块晶斑缺陷，又保证最终产品内在焊合质量
一种晶粒细化大壁厚挤压铝合金管材及其制备方法

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