“大晶粒”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果963678个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种大晶粒钙钛矿薄膜的制备方法-CN201711378815.3在审
发明人：王世荣;蔡颖;李祥高;肖殷 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种大晶粒钙钛矿薄膜的制备方法，以混合阴阳离子型钙钛矿为主体系，加入Pb(SCN)2为添加剂来调控薄膜的生长。它包括配置混合阴阳离子型钙钛矿前驱体溶液以及加入添加剂后薄膜的制备工艺，通过Pb(SCN)2添加剂的调控，得到平整致密且具有大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜。通过采用混合型阴阳离子型钙钛矿为主体系，并以添加剂调控钙钛矿薄膜的生长，实现大尺寸钙钛矿晶粒的生长，不仅减少薄膜内部缺陷，提高载流子传输寿命，而且减少了晶界的缺陷，极大的改善了钙钛矿薄膜的环境稳定性，增强钙钛矿太阳能电池的性能
一种晶粒钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]一种大尺寸镁合金零件的等温模锻工艺-CN201310396610.3有效
发明人：李慧中;姜俊;梁霄鹏;欧阳杰;李轶;黄岚;刘楚明 -专利权人：中南大学
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： B21J5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸镁合金零件的等温模锻工艺；属于镁合金材料加工技术领域。本发明的实施方案为：取大尺寸镁合金锻饼按设计的毛坯尺寸机加工成毛坯后，加热至380～430℃，保温3～6h后在380～430℃下进行一次等温模锻成型，得到锻件，取出锻件后冷却，得到成品；所述大尺寸镁合金锻饼的平均晶粒粒度≦15μm，等轴晶粒数与总晶粒数的比值≥0.95；等温模锻时，上模的下行速度为0.05～0.2mm/s，上模下行的时间为10-30min，压力为35000～80000kN，成型后保压30～40min。
一种尺寸镁合金零件等温锻工

[发明专利]大晶粒铌材超导腔及其制造方法-CN200510115793.2无效
发明人：赵夔;张保澄;王莉芳;全盛文;郝建奎;陈佳洱 -专利权人：赵夔
申请日： 2005-11-11 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H05H7/20 文献下载
摘要：本发明涉及大晶粒铌材超导腔及其制造方法，属于核技术及应用的加速器领域，本发明的超导腔包括连成一体的椭圆形铌材腔体、束管及法兰，该椭圆形铌材腔体的铌材壁板分布有多个直径为厘米量级的大晶粒。本发明的制造方法包括：直接从冶炼好的大晶粒铌锭产品切割铌板，再做化学清洗处理后；冲压成半腔形状：将两半腔或多个两半腔串接一起、两端与相应孔径的两束管、两法兰电子束焊接一起，制成完整的超导腔；最后进行化学清洗与抛光
晶粒超导及其制造方法

[发明专利]一种提高大规格轴承钢棒材心部平均晶粒尺寸方法-CN201910160113.0在审
发明人：祭程;朱苗勇;杨琦;申德刚;李应焕 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： B22D11/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种连铸方法，具体涉及一种提高大规格轴承钢棒材心部平均晶粒尺寸方法。本发明的技术方案如下：一种提高大规格轴承钢棒材心部平均晶粒尺寸方法，在连铸过程中，对凝固末端铸坯采用重压下方式，高温铸坯压下量达30mm以上后，采用热装送工艺将铸坯直接送入轧机。本发明提供的提高大规格轴承钢棒材心部平均晶粒尺寸方法，使大规格轴承钢棒材心部的奥氏体平均晶粒得到明显细化，心部混晶缺陷大幅降低。
心部大规格轴承平均晶粒钢棒材铸坯高温铸坯连铸过程凝固末端奥氏体混晶连铸热装细化压下轧机重压送入

[发明专利]一种程序升温法合成大晶粒Beta分子筛的方法-CN202010759612.4在审
发明人：孙先勇;张伟;柴志波;赵琦 -专利权人：江苏国瓷新材料科技股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种程序升温法合成大晶粒Beta分子筛的方法，一方面可以有效缩短合成大晶粒Beta分子筛的合成时间；由于采用程序升温法，在降低分子筛成核活化能，提高成核速率，减小样品的颗粒尺寸的同时，加速了分子筛的晶化过程，缩短了晶化周期，并且使合成的分子筛的结晶度较高；另一方面合成出大晶粒Beta分子筛晶粒尺寸超过400nm,填补了市场上的空白，为Beta分子筛的进一步应用拓宽了道路。
一种程序升温合成晶粒 beta 分子筛方法

[发明专利]一种高延伸微细漆包线的生产工艺-CN201510029216.5在审
发明人：吴荣鑫 -专利权人：宁波金田新材料有限公司;宁波金田铜业（集团）股份有限公司
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： B21C1/02 文献下载
摘要：一种高延伸微细漆包线的生产工艺，包括大拉、中拉、小拉+退火、微拉和包漆，软态低氧铜杆线经大拉和中拉后，选择小拉时的合适直径进行退火过程，以改变内部晶粒粗细和排烈，在控制软铜线进线的最后一道拉丝截面减缩率89%～97%，使铜线再结晶过程中晶粒变多且细小，可使漆包线伸长率达到20%以上；包漆采用10次以上的多道次涂漆工艺，可使漆包线在烘炉中进行二次充分退火，可进一步细化铜线晶粒与排列，同时采用薄漆多涂的涂覆方式
一种延伸微细漆包线生产工艺

[发明专利]一种超过寻址空间大容量的管理方法-CN201810394421.5在审
发明人：谢享奇;李庭育;魏智汎;蔡定国 -专利权人：江苏华存电子科技有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超过寻址空间大容量的管理方法，包括静态存储器、闪存主控单元和闪存晶粒，静态存储器连接闪存主控单元，闪存主控单元内包括n个通道，每个通道闪存包装内存在m个闪存晶粒,闪存控制单元的固件会将每个晶粒的同一个页面地址串连起来当作一个超级块每次读取写入闪存的大小会以超级块为单位做存取，本发明的目的是提供一种利用现有主机端发送的逻辑地址中芯片地址字段在现有位所能对应的映像表大小，不额外增加芯片的成本下将静态存储器的空间以等分切割的概念达到超过寻址空间大容量闪存存储装置的管理方法
闪存静态存储器寻址空间主控单元闪存晶粒超级块大容量读取闪存控制单元大容量闪存晶粒存储装置等分切割地址字段逻辑地址页面地址映像表中芯片主机端串连管理存取写入发送芯片

[发明专利]一种Q345低碳钢增强增塑的方法-CN202210292538.9在审
发明人：王永强;葛章琦;胡朝军;刘文龙;丁西安;李娜;郑成思 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C21D1/18 文献下载
摘要：通过轧制预处理获得高位错密度的低碳马氏体组织，弥补了轧制变形对基体组织分割破碎方面的不足，为退火再结晶提供了充足的形核位置，采用大压下量轧制从而保留更大的形变储存能，最终在两相区附近温度退火的产品可实现适当的晶粒细化并且呈现出小晶粒围绕大晶粒的组织形貌
一种 q345 低碳钢增强方法

[发明专利]大晶粒铋酸铜光阴极薄膜及制备方法与其在制氢中的应用-CN202211065878.4在审
发明人：宋安刚;刘素香;王钦普;朱地;赵保峰;王义文 -专利权人：山东省科学院能源研究所
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B01J23/843 文献下载
摘要：本发明属于先进材料技术领域，涉及光催化材料及光催化水解制氢制氢技术，涉及大晶粒铋酸铜光阴极薄膜及制备方法与其在制氢中的应用。本发明的制备的大晶粒铋酸铜光阴极薄膜中具有更大的晶粒，从而减少光生载流子在晶界的转移，促进了载流子的传输。
晶粒铋酸铜光阴极薄膜制备方法与其中的应用

[发明专利]一种单晶向、柱状大晶粒的铸造多晶硅的制备方法-CN200910152970.2有效
发明人：杨德仁;余学功 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种同晶向、柱状大晶粒的铸造多晶硅的制备方法，包括：(1)依次将单晶硅块、硅原料、掺杂元素置于坩埚中；(2)加热使单晶硅块上的硅原料和掺杂元素融化，而每个单晶硅块不被全部融化；(3)热交换从坩埚底部开始本发明得到的柱状、大晶粒多晶硅可以有效的降低材料中的晶界密度，基本消除了当前普通铸造多晶硅中由于存在大量晶界导致电池效率降低的问题；同时，本发明得到的多晶硅中的晶粒具有同晶向，使电池制备过程中高效的碱制绒技术能够被应用
一种柱状晶粒铸造多晶制备方法

[发明专利]一种带有超细粉的钕铁硼磁性材料及其制备方法-CN201310113826.4有效
发明人：杨延华;李嘉;颜廷顺 -专利权人：辽宁恒德磁业有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：Pr-Nd-Dy，混合稀土（La-Ce），B，Al，Cu以及余量为Fe的正常磁性粉料中制备钕铁硼产品，适量的添加可以起到富稀土相的作用：防止产品稀土总量过低而氧化；对晶界起到强化作用提高矫顽力；烧结过程中抑制钕铁硼晶粒长大，保证产品内部晶粒大小的均匀性，从而使产品的方形度有所改善。由于超细粉体的粒度在2μm以下，其晶粒比表面积大、缺陷少，因而其表面活性高、化学反应速度快、溶解度大，特别是矫顽力极高，使磁体烧结温度降低且矫顽力增高。
一种带有超细粉钕铁硼磁性材料及其制备方法

[发明专利]一种大单重钼板的制作工艺-CN201210000729.X无效
发明人：张灵杰 -专利权人：洛阳科威钨钼有限公司
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：一种大单重钼板的制作工艺，制作步骤如下：将原料装入橡胶模套内，制备成实心的粉质钼板坯，然后采用冷等静压机制成固体板坯；将成型后的固体板坯放入中频烧结炉中，采用水循环降温，然后成型板坯加热到1300—1400℃，加热时间为2—3小时，取出后经热轧机轧制成形，最后碱性溶液清洗表面，后切割成所需尺寸，大单重钼板制作完成。本方法制备工艺简单，对设备要求不高，因此投入成本较低，首先制备出实心的粉质钼板坯，后经过二次高温环境中再结晶，晶粒细化，晶粒度由毫米级减小到微米级，优化了晶粒结构，相对密度达到99.95%以上。
一种大单重钼板制作工艺

[发明专利]半导体陶瓷粉末、半导体陶瓷及层叠型半导体陶瓷电容器-CN200880021669.1有效
发明人：川本光俊 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：该半导体陶瓷中施主元素固溶于晶粒中，并且受主元素至少存在于晶界中，结晶面的(222)面中的积分宽度为0.500°以下，且晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下。将其烧成，得到半导体陶瓷。由此，实现即使晶粒的平均陶瓷粒径为1.0μm以下，也具有5000以上的大表观相对介电常数εr_APP，且绝缘性也优越的SrTiO₃系晶界绝缘型的半导体陶瓷粉末、烧结该半导体陶瓷粉末而成的半导体陶瓷、及使用该半导体陶瓷，能够实现基于薄层化·多层化的大电容的层叠型半导体陶瓷电容器。
半导体陶瓷粉末层叠电容器

[发明专利]一种控制大尺寸四联空心单晶叶片晶粒的蜡模结构-CN202310224636.3在审
发明人：贾玉亮;杜应流;蔡俊成;李林;施长坤;李杰 -专利权人：安徽应流航源动力科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B22C9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制大尺寸四联空心单晶叶片晶粒的蜡模结构，包括：浇注系统，浇注系统包括底板、中柱、至少一个浇道和浇口杯；至少一个四联空心叶片，四联空心叶片的凝固方向V与其中心线L平行，四联空心叶片的大缘板位于下方且进气边朝向中柱的一侧，小缘板位于上方且小缘板端通过补缩片与浇道连接，大缘板通过选晶器与底板连接，四联空心叶片与中柱之间设有弧形内包板；本发明实现了大尺寸四联空心单晶叶片的晶粒生长为完整单晶体，成功制备大尺寸四联空心单晶叶片，填补了国内外该技术领域的空白；同时实现了大尺寸四联空心单晶叶片的尺寸精密控制。
一种控制尺寸空心叶片晶粒结构

[发明专利]一种大尺寸或多联单晶导向叶片的引晶结构及制造装置-CN202110220013.X有效
发明人：李俊;贾敬惠;王君武;孔小青;付秋伟;张海潮;李远兵;张家添;胡琪;谢丹丹 -专利权人：贵阳航发精密铸造有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B22D27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸或多联单晶导向叶片的引晶结构及制造装置，属于航空涡轮叶片加工技术领域。本大尺寸或多联单晶导向叶片的引晶结构，包括：连接器；多个引晶杆，多个所述引晶杆的一端均与所述连接器的顶端连接，多个所述引晶杆的另一端成散射状朝向多个方向；至少一个晶粒放大器，所述晶粒放大器与对应所述引晶杆的另一端连接本发明还提供一种大尺寸或多联单晶导向叶片的制造装置。本引晶结构有效提升大尺寸或多联导向单晶叶片的单晶完整性问题，使得大尺寸或多联导向单晶叶片能大规模使用，提升大尺寸或多联导向单晶叶片合格率，同时增加发动机性能。
一种尺寸多联单晶导向叶片结构制造装置

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条