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[发明专利]正温度系数多晶硅电阻结构及其制造方法-CN201910056882.6有效
发明人：张昊;辛海维 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种正温度系数多晶硅电阻结构及其制造方法，该电阻结构包括若干个多晶硅单元电阻，每个多晶硅单元电阻包括位于中间区域的电阻值呈负温度系数变化的非金属化多晶硅区和位于端部区域的电阻值呈正温度系数变化的金属化多晶硅区，相邻多晶硅单元电阻通过在端部区域上形成的接触孔与电阻值呈正温度系数变化的金属线连接。该制造方法通过调整非金属化多晶硅区相对于金属化多晶硅区的占比，使金属化多晶硅区的电阻值随着温度的正向变化量大于或者等于非金属化多晶硅区的电阻值随着温度的负向变化量。本发明能够规避半导体器件性能的限制，在不增加工艺负担且保证器件工艺稳定度、不牺牲面积的情况下获得较高阻值的正温度系数多晶硅电阻结构。
温度系数多晶电阻结构及其制造方法

[发明专利]MOS场效应晶体管及其制造方法-CN201811237197.5有效
发明人：陈耿川 -专利权人：合肥晶合集成电路有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOS场效应晶体管及其制造方法，所述制造方法先沉积形成不掺杂或轻掺杂的多晶硅层，在刻蚀所述多晶硅层形成栅极之后，将沟道区和隔离区的交界区域上的不掺杂或轻掺杂的栅极多晶硅保护起来，以在源漏离子注入时对其他区域的栅极多晶硅进行离子掺杂，由此使得最终形成的栅极在沟道区边缘上具有不掺杂的第一多晶硅层(为不掺杂或轻掺杂的多晶硅)和掺杂的第二多晶硅层的层叠结构，而在沟道区其他位置上均为掺杂的第二多晶硅层，可以提高MOS场效应晶体管的沟道边缘处的阈值电压可选地,在刻蚀所述多晶硅以形成栅极之前，先将交界区域上的多晶硅保护起来，而对其他区域的多晶硅进行离子掺杂。
mos 场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法-CN202310816523.2有效
发明人：李振道;孙明光;朱伟东;赵泊然 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于电子元器件、半导体、集成电路领域，公开了具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法、MOSFET器件的外延层的沟槽中形成有闸源端夹止结构，其中，闸源端夹止结构包括：底部氧化层、源极多晶硅、非掺杂闸极多晶硅、闸极氧化层、N型闸极多晶硅和两组P型闸极多晶硅组，两组P型闸极多晶硅组分布在沟槽两侧的N型闸极多晶硅内，且每组P型闸极多晶硅组包括至少两个P型闸极多晶硅。本发明将闸极氧化层做在外延层表面上，使得MOSFET器件中不存在多晶硅间隔离氧化层，从而避免在结构中产生尖端多晶硅，进而消除了闸极与源极之间的弱点，并对表面上的闸极多晶硅进行设计使其具有静电释放功能，从而避免组件因产生静电而造成损坏
具有闸源端夹止结构沟槽功率 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]可编程的多晶硅熔丝器件结构以及其工艺实现方法-CN201110355675.4无效
发明人：仲志华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种可编程的多晶硅熔丝器件结构以及其工艺实现方法，该结构包括：N、P型的高阻值的多晶硅电阻，NP二极管，阴、阳极接触端；其方法包括：1)在P型衬底上生成氧化层场区；2)在氧化层场区上，生成多晶硅区域；3)多晶硅区域的一侧形成P型多晶硅，另一侧形成N型多晶硅，在N、P型交界处形成NP二级管；4)在P、N型的高阻值多晶硅电阻区产生氧化硅或氮化硅，以阻止金属硅化物的形成；5)在多晶硅上的P型的低阻值的多晶硅电阻区和N型的低阻值的多晶硅电阻区形成金属硅化物；6)形成通孔和金属连线，完成多晶硅熔丝器件的阴阳极端的引出。
可编程多晶硅熔丝器件结构及其工艺实现方法

[实用新型]一种新型左右结构金属-氧化物半导体场效应晶体管-CN202121309163.X有效
发明人：高学;代萌 -专利权人：上海格瑞宝电子有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种新型左右结构金属‑氧化物半导体场效应晶体管，外延圆片上光刻有深沟槽，深沟槽之间设置有浅沟槽，深沟槽上下两端生长场氧化层；深沟槽中间位置淀积屏蔽栅多晶硅，屏蔽栅多晶硅上端光刻有接触孔，屏蔽栅多晶硅左右两端淀积栅极多晶硅。本实用新型为一种新的左右结构金属‑氧化物半导体场效应晶体管，可消除多晶硅的高度差，同时很好地在屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅上打孔而不会产生屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅桥接的风险。本实用新型可以连出屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅接触孔。
一种新型左右结构金属氧化物半导体场效应晶体管

[实用新型]肖特基二极管-CN202123027090.8有效
发明人：单亚东;谢刚;胡丹 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种肖特基二极管，肖特基二极管包括衬底；中间层，设于衬底的上侧，中间层包括自下向上依次层叠设置的外延层和氧化层，中间层上开设有上下延伸的沟槽，沟槽延伸至外延层内部；栅氧化层，设于沟槽的内侧壁，并在沟槽内限定出通道；多晶硅层，设于通道内，包括自下向上依次叠设的第一多晶硅层和第二多晶硅层，第一多晶硅层和第二多晶硅层其中之一为高阻多晶硅层，其中另一为低阻多晶硅层，高阻多晶硅层的电阻大于低阻多晶硅层的电阻；以及势垒金属层，设于氧化层的上侧本实用新型提出的肖特基二极管，通过高阻多晶硅层和低阻多晶硅层，能够明显降低导通压降。
肖特基二极管

[发明专利]锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法-CN201310095359.7有效
发明人：陈曦;周正良;陈帆;潘嘉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法，包括步骤：淀积第一层多晶硅并进行掺杂；对第一层多晶硅进行光刻刻蚀形成多晶硅电阻；淀积第二层氧化硅并进行回刻形成多晶硅电阻的侧墙；采用热氧化工艺形成第三氧化硅层；依次淀积第四氧化硅层和第五多晶硅仔晶层；采用光刻和刻蚀工艺打开锗硅外延层窗口；淀积锗硅外延层和第六氧化硅层；采用光刻工艺定义出锗硅HBT的基区形成区域；采用湿法刻蚀工艺将基区外的第六氧化硅层去除；采用干法刻蚀工艺将基区外的锗硅外延层和第五多晶硅仔晶层去除并形成基区本发明能够消除多晶硅电阻周围的多晶硅残留，提高多晶硅电阻的面内均匀性。
锗硅 hbt 工艺多晶电阻集成制作方法

[发明专利]一种基于金属诱导的多晶硅薄膜-CN201010111997.X无效
发明人：黄宇华;黄飚;彭俊华 -专利权人：广东中显科技有限公司
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜，包括：玻璃衬底、阻挡层和具有连续晶畴的多晶硅层；其中，所述多晶硅层的厚度为10-500纳米，所述多晶硅层中的晶粒均匀分布；其中，所述多晶硅层是通过在非晶硅薄膜上的覆盖层光刻诱导口、在所述诱导口使金属诱导薄膜和所述非晶硅薄膜接触并经过两次退火晶化形成的多晶硅层。
一种基于金属诱导多晶薄膜

[发明专利]一种钝化背接触式太阳能电池的制作方法-CN202210258658.7在审
发明人：高嘉庆;屈小勇;郭永刚;吴翔;张博;杨爱静;张天杰;王永冈;李翔虹 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种钝化背接触式太阳能电池的制作方法，包括：在N型单晶硅基片的一侧面上依序层叠形成隧穿氧化层和P型多晶硅层；刻除P型多晶硅层的预设区域形成第一开槽；在第一开槽内填充形成钝化层，钝化层的厚度与P型多晶硅层的厚度相同；刻除钝化层的预设区域形成第二开槽，并在第二开槽内填充形成N型多晶硅层，使P型多晶硅层与N型多晶硅层之间具有由钝化层构成的间隔区域；在P型多晶硅层和N型多晶硅层上分别形成接触电极。本发明解决了背接触式太阳能电池的制作过程中不容易形成型多晶硅层与N型多晶硅层之间的隔离区域的问题。
一种钝化接触太阳能电池制作方法

[发明专利]一种多晶硅棒破碎装置及方法-CN201810163162.5有效
发明人：张孝山;汪生菊;金珍海;汪成洋;陈斌;镡菊英 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B02C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅棒破碎装置及方法。本发明的实施例中提供的多晶硅棒破碎装置，在破碎过程中，将还原内的多晶硅棒置入盛有制冷剂(如液氩或液氮)的容纳腔中，硅棒快速冷却，多晶硅棒在制冷剂中自然破碎。采用制冷剂对刚停炉的多晶硅棒进行冷却，充分利用多晶硅棒生成的余温。敲击装置对多晶硅棒进一步破碎。进料管道用于向冷却装置提供制冷剂，出料管道用于将使用后的制冷剂回收置入储物装置中，形成冷却循环。设置控制装置，便于实现多晶硅棒破碎装置的自动化。本发明的实施例中提供的多晶硅棒破碎装置具备有节约人力、物力，在充分破碎的同时大大提高破碎效率的显著效果。
一种多晶破碎装置方法

[发明专利]基于多晶硅负荷的含高渗透率风电孤立电网频率控制方法-CN201710698988.7有效
发明人：徐箭;陈元峰;廖思阳;鲍益;孙元章;柯德平;黎雄;杨军;彭晓涛 -专利权人：武汉大学;国家电网公司;国网湖北省电力公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H02J3/34 文献下载
摘要：本发明属于电力系统运行与控制技术领域，尤其涉及基于多晶硅负荷的含高渗透率风电孤立电网频率控制方法，对多晶硅的生长过程进行分析，并建立了多晶硅负荷的电气模型，结合工业数据，对电压电流与多晶硅棒半径的关系进行拟合，建立多晶硅负荷功率特性模型；根据多晶硅负荷功率特性模型，得出多晶硅负荷功率控制数学模型；在考虑冷却水进水速率与硅棒温度这两个限制因素情况下，改变拼波电压与拼波时刻可以快速改变多晶硅负荷消耗功率，在考虑多晶硅负荷多样性的情况下，提出多晶硅负荷响应孤立电网功率波动的控制策略，以赤峰孤立电网为背景，在极端风功率波动的情况下，通过负荷响应功率波动维持孤立电网稳定，验证所提控制策略的正确性。
基于多晶负荷渗透率风电孤立电网频率控制方法

[发明专利]监控源漏多晶和管侧墙间寄生电容的测试结构及制造方法-CN201110394479.8有效
发明人：周正良;潘嘉 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控源漏多晶和管侧墙间寄生电容的测试结构，包括栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅，所述栅极包括栅氧层和位于栅氧层上方的栅极多晶硅，栅极侧墙形成于栅极的两侧，源漏多晶硅形成于栅极侧墙的外侧，栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅均位于氧化硅浅槽隔离上方。本发明针对锗硅BiCMOS工艺中的自对准CMOS管，可以有效监控栅极多晶硅通过管侧墙和源漏多晶硅间的寄生电容的大小；测试结构完全建立在浅槽氧化硅隔离上，源漏多晶硅的下部是氧化硅，通过源漏多晶硅和栅极多晶硅底部产生的额外寄生电容可以忽略，所测电容单一来自源漏多晶硅-CMOS侧墙-栅极多晶硅的寄生电容。
监控多晶管侧墙间寄生电容测试结构制造方法

[发明专利]多晶硅柱体及多晶硅晶片-CN201610729471.5在审
发明人：杨承叡;林煌伟;杨瑜民;庄国伟;萧明恭;张元啸;王柏凯;余文怀;许松林;李依晴;徐文庆 -专利权人：中美矽晶制品股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅柱体及多晶硅晶片。多晶硅柱体包括数个硅晶粒，沿一长晶方向成长。在长晶方向上，硅晶粒的平均晶粒尺寸与多晶硅柱体的电阻率或氧含量具有相反的变化趋势，且与多晶硅柱体的缺陷面积占比具有相同的变化趋势。多晶硅柱体的整体平均缺陷面积占比小于或等于2.5％。多晶硅晶片的碳含量大于4ppma，且其电阻率大于或等于1.55欧姆‑厘米、氧含量大于或等于5.5ppma。
多晶柱体晶片

[发明专利]提纯太阳能级多晶硅的方法-CN201810831907.0有效
发明人：王书杰;孟静 -专利权人：江苏金晖光伏有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提纯太阳能级多晶硅的方法。所述方法主要通过对工业硅进行冶金法熔炼后，经过对提拉定向生长多晶硅进行多级电磁约束区域提纯的方法来获得太阳能级多晶硅。首先通过冶金法熔炼硅合金熔体，然后经过提拉定向生长多晶硅来初步提纯多晶硅后，在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器，实现多级电磁约束区域提纯，并进一步实现高纯度提纯多晶硅。
提纯多晶硅太阳能级多晶硅电磁约束熔炼提拉定向生长冶金法多晶硅锭高纯度工业硅硅合金熔体对称

[发明专利]提纯太阳能级多晶硅的装置-CN201810831924.4有效
发明人：王书杰;孟静 -专利权人：江苏金晖光伏有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提纯太阳能级多晶硅的装置。所述装置主要通过对工业硅进行冶金法熔炼后，经过对提拉定向生长多晶硅进行多级电磁约束区域提纯的方法来获得太阳能级多晶硅。首先通过冶金法熔炼硅合金熔体，然后经过提拉定向生长多晶硅来初步提纯多晶硅后，在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器，实现多级电磁约束区域提纯，并进一步实现高纯度提纯多晶硅。
提纯多晶硅太阳能级多晶硅电磁约束熔炼提拉定向生长冶金法多晶硅锭高纯度工业硅硅合金熔体对称