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[发明专利]图案化的方法-CN202010618215.5在审
发明人：谢竺君;吴庭玮;倪志荣 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化的方法，包括以下步骤：在目标层上依序形成经掺杂多晶硅层、核心层以及未掺杂多晶硅层。图案化未掺杂多晶硅层，以形成多晶硅图案。以多晶硅图案为掩膜，进行第一刻蚀工艺，以移除部分核心层并形成核心图案。进行第二刻蚀工艺，以移除多晶硅图案。进行原子层沉积工艺，以于核心图案与经掺杂多晶硅层上形成间隙壁材料。移除部分间隙壁材料，以于核心图案的侧壁上形成间隙壁。移除部分核心图案及其下方的经掺杂多晶硅层。
图案方法

[发明专利]动态随机存取存储器的电容器的制造方法-CN98119615.2有效
发明人：杜友伦;罗吉进 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 1998-09-17 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种DRAM存储单元的电容器的制造方法包括：在层间介电层和氮化物层中形成接触窗开口；以第一多晶硅层填满接触窗开口，形成存储节接触窗；形成一氧化层；限定及蚀刻以形成中间堆叠结构；在此结构侧壁形成第一多晶硅间隙壁；去除部分氧化层，露出第一多晶硅间隙壁的顶部；形成氮化物间隙壁，其并不延伸至第一多晶硅间隙壁的顶部；形成第二多晶硅间隙壁；去除氧化层；去除氮化物间隙壁及氮化物层，形成一下存储节；以及在下存储节上形成一薄电容器介电层以及一导电层
动态随机存取存储器电容器制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200710084324.8有效
发明人：郑博伦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-02-27 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括基底、栅极结构、间隙壁、具有硼掺杂的第一多晶硅锗层与第二多晶硅锗层。其中，基底中具有两个开口，栅极结构配置在两个开口之间的基底上。间隙壁配置在栅极结构的侧壁，且位于部分两个开口上方。另外，第一多晶硅锗层配置在基底的两个开口表面上，而第二多晶硅锗层配置在第一多晶硅锗层上，且第二多晶硅锗层的顶部高于基底的表面。其中，第一多晶硅锗层的硼浓度低于第二多晶硅锗层的硼浓度。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200610103089.X无效
发明人：林建廷;陈亮玮;许哲华;马光华 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：是先于一基底上依序形成栅介电层、多晶硅层与一图案化顶盖层，再以图案化顶盖层为掩模，图案化多晶硅层以形成一多晶硅栅极。接着，于多晶硅栅极两侧的基底中形成数个LDD区并使LDD区之间的基底成为一沟道区。然后，于多晶硅栅极的侧壁上形成间隙壁，再于间隙壁的外侧基底中形成一源极与漏极。之后陆续去除顶盖层及间隙壁。尔后再进行金属硅化工艺，将多晶硅栅极完全转变为硅化金属栅极，同时于源极与漏极表面形成一硅化金属层。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201510669883.X有效
发明人：余达强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一多晶硅层，并图形化所述第一多晶硅层，以形成第一多晶硅线；在所述第一多晶硅线两侧形成间隙壁；在所述第一多晶硅层上形成第二多晶硅层；图形化所述第二多晶硅层，以形成第二多晶硅线，所述第一多晶硅线和所述第二多晶硅线彼此间隔分布；执行离子注入，以完成所述第一多晶硅线和第二多晶线的掺杂，其中，所述第一多晶硅线用作所述PiP电容的其中一个电极板，所述第二多晶硅线用作所述PiP电容的另一个电极板，所述第一多晶硅线两侧的间隙壁作为所述PiP电容的电介质。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]导线的制造方法-CN200510065608.3有效
发明人：张骕远;黄明山;许汉杰 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：此方法先提供一基底，基底上已形成一层多晶硅层。然后，于多晶硅层上形成一层掩模层，其具有一开口暴露出多晶硅层。接着，于掩模层的侧壁形成间隙壁。继而，以具有间隙壁的掩模层为掩模，移除部分多晶硅层，以暴露出基底。之后，再于基底上形成填满开口的绝缘层，绝缘层与掩模层具有不同蚀刻选择性。接下来，移除掩模层，以暴露出多晶硅层。然后，于多晶硅层表面形成一金属硅化物层。
导线制造方法

[发明专利]一种半导体器件的形成方法-CN201210292495.0有效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上依次形成栅极介电层、多晶硅层和硬掩膜层；图案化硬掩膜层以暴露栅极区域的多晶硅层；对该多晶硅层执行i)第一功函数调整离子注入及形成第一间隙壁，或ii)形成第一间隙壁，执行第二功函数调整离子注入，或iii)第一功函数调整离子注入、形成第一间隙壁及第二功函数调整离子注入；在该多晶硅层上和第一间隙壁上形成第二间隙壁；依次去除硬掩膜层、栅极区域以外的多晶硅层和栅极介电层、第一间隙壁和第二间隙壁，形成具有横向可变的功函数的栅极；形成源漏极。
一种半导体器件形成方法

[发明专利]在导线间形成空气间隙的方法-CN201410503278.0有效
发明人：陈品杉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种在导线间形成空气间隙的方法，包括在基板上的导线结构表面形成氮化硅衬层，再形成覆盖所述氮化硅衬层的多晶硅超薄衬层，然后在导线结构之间的沟道内形成顶面低于导线结构的顶面的光刻胶。接着，共形地形成覆盖光刻胶与多晶硅超薄衬层的表面的氧化层，并非等向性蚀刻所述氧化层，以于光刻胶上方的导线结构侧壁形成氧化物间隙壁。之后，移除所述光刻胶，以露出沟道内的多晶硅超薄衬层，并以所述氧化物间隙壁为罩幕，去除暴露出的多晶硅超薄衬层。然后，移除氧化物间隙壁，再氧化剩余多晶硅超薄衬层，使其转变为氧化硅层并封闭所述沟道的上部。
衬层导线结构多晶硅光刻胶氧化物间隙壁沟道氮化硅衬层空气间隙氧化层移除等向性蚀刻剩余多晶硅表面形成氧化硅层再氧化侧壁顶面覆盖共形基板去除封闭暴露

[发明专利]改善分离栅极式闪存氧化层品质的方法-CN01109733.7有效
发明人：黄智睦;蔡荣昱;任兴华;林淑惠 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-03-29 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：其包括下列步骤：提供硅基底，以及在硅基底上形成穿隧氧化层、浮置栅与多晶硅氧化层。继之，进行热氧化步骤，以在浮置栅的侧壁形成氧化间隙壁，且连带增厚多晶硅氧化层与穿隧氧化层，而变厚的穿隧氧化层成为厚氧化层，以作为周边高压组件栅氧化层之用。接着，在氧化间隙壁侧壁形成氮化间隙壁，续以氮化间隙壁为掩模，去除未被氮化间隙壁所遮盖的厚氧化层，以暴露出硅基底。然后，在裸露的硅基底上再次形成一层厚氧化层。最后，在多晶硅氧化层上形成控制栅。
改善分离栅极闪存氧化品质方法

[发明专利]闪存装置制造方法-CN200710007249.5无效
发明人：张民植 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种闪存装置的制造方法，包括蚀刻层叠于半导体衬底上的部分隧穿氧化物层、第一多晶硅层、硬掩模层和半导体衬底，由此形成沟槽。使用绝缘层填充该沟槽，由此形成隔离层。清除该隔离层的部分顶面，由此控制该隔离层的有效场高度(EFH)，同时部分地暴露该第一多晶硅层的侧部。使用二氯硅烷(DCS)为源气体，在包括该暴露的第一多晶硅层的各个隔离层的表面上形成用于间隙壁的氧化物层。执行蚀刻工艺，使得氧化物层仅保留在该第一多晶硅层的侧部上，由此形成间隙壁。将间隙壁之间的隔离层蚀刻至一厚度。除去该间隙壁。随后在各个隔离层的表面上形成介电层和第二多晶硅层。
闪存装置制造方法

[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置-CN201510179812.1有效
发明人：李敏;吴永玉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成栅极堆栈，并在所述栅极堆栈四周形成间隙壁；进行局部曝光，以定义要进行局部互连的栅极区域；形成覆盖所述栅极堆栈和间隙壁的光刻胶层，并对所述光刻胶层进行局部刻蚀以去除要进行局部互连的栅极区域内的间隙壁；在半导体衬底和栅极堆栈上沉积多晶硅膜层；刻蚀多晶硅膜层，以保留用于局部互连的多晶硅膜层，并去述多晶硅膜层的其余部分，其中，沿栅极堆栈方向，要进行局部互连的区域相对用于局部互连的多晶硅膜层具有一定延伸；在露出的部分栅极堆栈上形成硅化物，栅极堆栈与所述用于局部互连的多晶硅膜层通过硅化物连接。本发明提出的半导体器件的制作方法，所述栅极堆栈与用于局部互连的所述多晶硅膜层通过所述硅化物连接，因而具有较低的接触电阻。
半导体器件制作方法电子装置

[发明专利]DRAM空心柱型电容器及其制造方法-CN200610000286.9无效
发明人：李亨元;梁虔硕;李隆盛 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-01-10 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种DRAM空心柱型电容器的制造方法，包括提供具有多晶硅插塞的衬底，再于衬底上提供具有开口的模型介质层，其中开口暴露出多晶硅插塞。接着，于开口侧壁上形成非晶硅间隙壁，并暴露出部分多晶硅插塞。然后，去除暴露出的多晶硅插塞之部分厚度，再利用种晶技术，于非晶硅间隙壁表面产生半球形硅晶粒层。之后，于半球形硅晶粒层表面形成电容介质层，再于电容介质层上形成导电层。由于多晶硅插塞部分不会形成半球形硅晶粒，所以电容接触面积不会被缩小，并可藉此避免因电容介质层成膜不易导致的产量降低。
dram 空心电容器及其制造方法

[发明专利]闪存中浮置栅极的制造方法-CN01109538.5无效
发明人：黄水钦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-03-30 - 公布日： 2002-11-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种闪存中浮置栅极的制作方法,提供一基底,在基底上形成闸氧化层、多晶硅层与氮化硅层,接着定义出栅极的位置,并将栅极上方的氮化硅层移除,之后将暴露出的多晶硅层氧化以形成浮置闸氧化层,接着形成缓冲层覆盖于氮化硅层与浮置闸氧化层上,再形成第一间隙壁于缓冲层的侧壁,之后再形成第二间隙壁,并以第二间隙壁为罩幕将未受第二间隙壁覆盖的浮置闸氧化层移除,接着再将多晶硅层与浮置闸氧化层上方的缓冲层、第一间隙壁与第二间隙壁剥除,最后将未受浮置闸氧化层覆盖的多晶硅层移除
闪存中浮置栅极制造方法

[发明专利]栅极结构的制造方法-CN200810092786.9有效
发明人：李秋德 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：然后，在衬底上方顺应性形成多晶硅层，覆盖住介电柱与栅极介电层。之后，进行一刻蚀工艺，移除部分的多晶硅层，以于介电柱的侧壁形成二个多晶硅间隙壁。接着，在衬底上形成刻蚀终止层，以及形成介电层以覆盖刻蚀终止层、二个多晶硅间隙壁与介电柱。然后，移除部分的介电柱与介电层，使介电柱与介电层的表面低于多晶硅柱的表面。随后，进行一自行对准金属硅化物工艺，使多晶硅柱转变成金属硅化物柱。
栅极结构制造方法

[发明专利]动态随机存取存储器电容器存储电极的制造方法-CN98122710.4有效
发明人：林刘恭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 1998-11-26 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种DRAM电容器存储电极的制造方法，包括在节点接触窗开口中填入第二多晶硅层；形成已图案化的第三绝缘层，其具有暴露欲形成存储电极的区域；形成共形的第三多晶硅层；形成共形的第四绝缘层和第四多晶硅层；以绝缘间隙壁为掩模，去除部分第四绝缘层和第四多晶硅层；形成第五多晶硅层并构图。本发明利用镶嵌的方法来形成存储电极，可以避免存储单元区和逻辑电路区之间的高度差，因此不需平坦化的步骤即可进行后续的制作工艺，可降低制作工艺的风险，还有，在不影响布局的情况下，利用绝缘间隙壁来将多晶硅层图案化
动态随机存取存储器电容器存储电极制造方法

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