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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210337785.6在审
  • 黄郁仁;谢竺君;廖修汉 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-04-01 - 2023-10-24 - H10B41/30
  • 一种半导体结构的形成方法，包括提供半导体基板，于其上形成多个浮置栅极，以及位于各浮置栅极之间的隔离结构；执行第一刻蚀工艺以凹蚀隔离结构，在各浮置栅极之间形成开口，并露出各浮置栅极的部分侧壁；顺应地形成衬层于开口中；执行离子注入工艺，将掺质注入衬层下方的隔离结构之中；以及执行第二刻蚀工艺，移除衬层以及衬层下方部分的隔离结构，使开口的底部形成渐缩的轮廓。通过本发明实施例的方法，可利用较便利的工艺进行浮置栅极之间的隔离结构的刻蚀，避免露出浮置栅极的底切结构，同时有助于后续的控制栅极的材料的填充。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]图案化的方法-CN202010618215.5在审
  • 谢竺君;吴庭玮;倪志荣 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-07-01 - 2022-01-04 - H01L21/033
  • 本发明提供一种图案化的方法，包括以下步骤：在目标层上依序形成经掺杂多晶硅层、核心层以及未掺杂多晶硅层。图案化未掺杂多晶硅层，以形成多晶硅图案。以多晶硅图案为掩膜，进行第一刻蚀工艺，以移除部分核心层并形成核心图案。进行第二刻蚀工艺，以移除多晶硅图案。进行原子层沉积工艺，以于核心图案与经掺杂多晶硅层上形成间隙壁材料。移除部分间隙壁材料，以于核心图案的侧壁上形成间隙壁。移除部分核心图案及其下方的经掺杂多晶硅层。
  • 图案方法
  • [发明专利]非挥发性存储器装置及其制造方法-CN201710803384.4有效
  • 谢竺君;郭泽绵 - 华邦电子股份有限公司
  • 2017-09-08 - 2020-12-01 - H01L27/11517
  • 本发明提供一种非挥发性存储器装置及其制造方法。此非挥发性存储器装置包括穿隧氧化物层、浮动栅极、介电层与控制栅极。穿隧氧化物层形成于基板上。浮动栅极形成于穿隧氧化物层上，且包括第一多晶硅层、第二多晶硅层及氮掺质。第一多晶硅层的晶粒具有第一晶粒尺寸，第二多晶硅层的晶粒具有大于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。氮掺质形成于第一多晶硅层中的晶粒之间的缝隙中。介电层包括第一氮化物薄膜、氧化物层、氮化物层及氧化物层，且顺应性地形成于浮动栅极上。控制栅极形成于介电层上。本发明可大幅改善非挥发性存储器装置的可靠度与耐久性，且不需要大幅修改或是更换工艺及/或生产设备，对于生产成本的影响很小。
  • 挥发性存储器装置及其制造方法
  •  1 
  • 共 3 条
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