“多晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果32385个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]氧固醇的多晶型形式和其制备方法-CN201780019591.9在审
发明人： R·E·哈林顿;J·C·雅各布斯 -专利权人：华沙整形外科股份有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C07J9/00 文献下载
摘要：提供用于制备OXY133多晶型物的组合物和方法。所述组合物和方法包含使OXY133的浆料经受足以将OXY133转化为以下的条件：OXY133多晶型物形式A、多晶型物形式B、多晶型物形式C、多晶型物形式D、多晶型物形式E、多晶型物形式F、多晶型物形式G、多晶型物形式H、多晶型物形式I或其混合物。还提供一种OXY133多晶型物，并且所述多晶型物可以是多晶型物形式A、多晶型物形式B、多晶型物形式C、多晶型物形式D、多晶型物形式E、多晶型物形式F、多晶型物形式G、多晶型物形式H、多晶型物形式I或其混合物还提供包含OXY133多晶型物的药物组合物。
多晶型物混合物制备多晶型形式药物组合物固醇浆料转化

[发明专利]氧固醇的多晶形式和其制备方法-CN201711293638.9在审
发明人： R·E·哈林顿;J·C·雅各布斯 -专利权人：华沙整形外科股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C07J9/00 文献下载
摘要：提供用于制备OXY133多晶型物形式C到形式I的组合物和方法。所述方法包括使OXY133的浆料经受足以将OXY133转化为所述OXY133多晶型物形式C、多晶型物形式D、多晶型物形式E、多晶型物形式F、多晶型物形式G、多晶型物形式H、多晶型物形式I或其混合物的条件还提供OXY133的多晶型物并且所述多晶型物可为多晶型物形式C、多晶型物形式D、多晶型物形式E、多晶型物形式F、多晶型物形式G、多晶型物形式H、多晶型物形式I或其混合物。还提供包括OXY133多晶型物的药物组合物。
多晶型物混合物制备药物组合物固醇多晶浆料转化

[实用新型]一种基于改善VDMOS器件-CN201920075836.6有效
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种基于改善VDMOS器件，包括，多晶硅窗口、条形多晶栅、横向多晶硅、上条形多晶栅，所述横向多晶硅下端固定设置有上条形多晶栅，所述上条形多晶栅下端固定设置有条形多晶栅，所述条形多晶栅为多个，所述条形多晶栅之间形成多晶硅窗口。所述条形多晶栅的宽度大于上条形多晶栅，所述条形多晶栅的宽度大于横向多晶硅的宽度。所述多晶硅窗口下端的宽度小于条形多晶栅的宽度，所述多晶硅窗口上端的宽度大于上条形多晶栅的宽度。
多晶栅多晶硅横向多晶硅本实用新型固定设置下端上端电参数帮助

[发明专利]钝化接触结构及其制备方法、太阳电池-CN202111081371.3在审
发明人：闫宝杰;王玉明;陈晖;程海良;曾俞衡;孙烨;李旺鹏;廖明墩;叶继春;张文博 -专利权人：苏州拓升智能装备有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池，其中所述钝化接触结构包括：第一多晶层，所述第一多晶层包括多晶硅或多晶硅化物；第二多晶层，形成在所述第一多晶层上，所述第二多晶层为掺杂多晶硅层；其中，所述第一多晶层的成膜质量优于所述第二多晶层并且所述第一多晶层的厚度小于所述第二多晶层。
钝化接触结构及其制备方法太阳电池

[发明专利]一种准单晶电池片生产工艺-CN202010767287.6在审
发明人：李雪方;贾宇龙;郭卫;崔龙辉 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种准单晶电池片生产工艺，多晶硅电池片生产过程中采用单晶方式制绒、多晶方式扩散、多晶方式酸抛、多晶热氧钝化、多晶方式PECVD镀膜、多晶方式丝网印刷进行，其中，所述的单晶方式是指采用单晶设备生产，所述的多晶方式是指采用多晶设备生产本发明在多晶方式扩散、多晶方式酸抛、多晶热氧钝化、多晶方式PECVD镀膜、多晶方式丝网印刷利用现有的多晶工艺生产设备，协调调整生产工艺，再结合采用单晶方式制绒，使得结果得到准单晶的转换效率能到20.06%
一种准单晶电池生产工艺

[发明专利]一种无接触破碎多晶硅的方法-CN201410057558.3无效
发明人：季静佳;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无接触破碎多晶硅的方法，更具体的说，本发明公开了一种利用激光技术破碎多晶硅的方法。本发明的无接触破碎多晶硅的方法，把至少一束激光射向多晶硅棒或者多晶硅块，多晶硅棒或者多晶硅块的表面或者体内的局部区域吸收激光能量后，该多晶硅棒或多晶硅块的局部区域被瞬时加热。被加热的多晶硅棒或多晶硅块的局部区域膨胀，在多晶硅柱或多晶硅块的表面或体内产生热膨胀应力，致使多晶硅棒或多晶硅块破碎。
一种接触破碎多晶方法

[发明专利]一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法-CN201110360070.4无效
发明人：黄志刚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法，包括如下步骤：1)在硅基底上生长栅氧，在栅氧上沉积一层多晶硅，多晶硅光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极作为PIP多晶硅的底部多晶硅；在全硅片上沉积一层侧墙氧化膜作为PIP多晶硅的中间绝缘层，然后再沉积一层多晶硅作为PIP多晶硅的顶部多晶硅，在PIP多晶硅的顶部多晶硅上沉积保护膜，然后进行PIP多晶硅光刻，保护膜和PIP多晶硅的顶部多晶硅刻蚀，光刻胶去除；2)氧化膜侧墙刻蚀和侧墙形成本发明在现有的PIP多晶硅结构的顶部淀积一层保护膜，来改善PIP多晶硅在侧墙刻蚀时候的损失，从而达到稳定晶片面内PIP多晶硅的阻值。
一种 pip 多晶刻蚀工艺方法

[实用新型]一种光伏发电多晶硅片-CN201620334914.6有效
发明人：孙显强;李莉花;陈德超 -专利权人：温州市赛拉弗能源有限公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏发电多晶硅片，包括第一多晶单元行和第二多晶单元行，所述第一多晶单元行和第二多晶单元行均包含有多晶单元，所述多晶单元上层设有吸光层，所述吸光层下部设有P型多晶硅层，所述P型多晶硅层下部设有N型多晶硅层，所述P型多晶硅层与N型多晶硅层中间连接部分形成PN结，所述P型多晶硅层上设有上电极，所述N型多晶硅层上设有下电极，所述第一多晶单元行和第二多晶单元行均由多晶单元的上电极和下电极串联连接形成，所述第一多晶单元行的左端为下电极，所述第二多晶单元行的左端为上电极。
一种发电多晶硅片

[发明专利]一种多晶硅破碎方法及设备-CN201910155929.4有效
发明人：肖贵云;张涛;张坚;卢亮;邹江华;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅破碎方法，包括将多晶硅置于密闭空间中；将所述多晶硅加热至预设温度；对加热后的多晶硅进行冷却，以使冷却后的多晶硅产生内应力；对所述冷却后的多晶硅进行破碎，以得到多晶硅碎料。本申请中将多晶硅放入密闭空间中加热至预设温度后，再对加热后的多晶硅进行冷却，使得多晶硅内部产生内应力，由于内应力的存在，对所述冷却后的多晶硅进行破碎时，只需要较小的冲击力即可将多晶硅击碎，得到多晶硅碎料，同时减少多晶硅粉末的产生，即减少多晶硅的损耗。此外，本申请还提供一种具有上述优点的多晶硅破碎设备。
一种多晶破碎方法设备

[发明专利]一种单元栅蚀刻方法-CN201010002835.2无效
发明人：陶志波;陈伏宏 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述方法，包括：步骤(1)：控制单元栅上多晶硅1结构与多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的高度同步，同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅1层和所述多晶硅1结构；步骤(2)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的氧化硅-氮化硅-氧化硅层和所述多晶硅1结构；步骤(3)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅0层和所述多晶硅本发明的方法能够避免多晶硅残留，避免形成多晶硅桥，提高产品良率。
一种单元蚀刻方法

[发明专利]电可编程的多晶硅熔丝器件结构-CN201810992764.1有效
发明人：武洁 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种电可编程的多晶硅熔丝器件结构，包括多晶硅熔丝阳极、多晶硅熔丝阴极以及多晶硅熔丝三部分；中间的多晶硅熔丝两头分别连接多晶硅熔丝阳极以及多晶硅熔丝阴极；多晶硅熔丝的宽度远小于多晶硅熔丝阳极和多晶硅熔丝阴极所述多晶硅熔丝部分对应多晶硅宽度为设计规则允许最小宽度，多晶硅熔丝电阻方块数在8～13之间；多晶硅熔丝阴极与多晶硅熔丝连接处角度a为30～60度；多晶硅阳极打满接触孔，多晶硅阴极的接触孔只形成于最外围一圈本发明结构在多晶硅熔丝阳极灌入大的编程电流时，熔丝连接处有更大的温度梯度，更容易发生电迁移，编程后阻值标准偏差减小30％。
可编程多晶硅熔丝器件结构

[发明专利]多晶硅破碎方法-CN202310495908.3在审
发明人：闫家强;吴锋;田新;沙南雪;赵春梅;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅破碎方法，该方法包括：(1)将多晶硅进行预降温，以便得到预降温后的多晶硅；(2)将所述预降温后的多晶硅进行冷冻，以便得到冷冻后的多晶硅；(3)将所述冷冻后的多晶硅进行加热，以便得到加热后的多晶硅；(4)将所述加热后的多晶硅进行破碎，以便得到破碎后的多晶硅。本发明的多晶硅破碎方法可以使多晶硅获得极大的晶间应力，从而使多晶硅容易破碎，提高多晶硅破碎的产品收率，延长设备破碎机构的使用寿命，并降低维护成本。
多晶破碎方法

[发明专利]一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法-CN201910473109.X在审
发明人：陈达明;陈奕峰;王尧;刘成法;何宇;邹杨;夏锐;林文杰;袁玲;龚剑 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，包括以下步骤：在硅片衬底的表面生长一层氧化硅层；在氧化硅层上沉积多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜为原位掺杂的多晶硅薄膜或本征多晶硅薄膜，若为本征多晶硅薄膜时，在本征多晶硅薄膜上引入掺杂源；采用激光辐照多晶硅薄膜。对于原位掺杂的多晶硅薄膜，采用激光辐照多晶硅薄膜，以激活掺杂原子。若对于需外部引入掺杂源的多晶硅薄膜，采用激光辐照，将掺杂剂推入多晶硅薄膜以实现掺杂。本发明可以实现多晶硅薄膜掺杂的低温化，本发明可以实现多晶硅薄膜的局域掺杂。
一种用于多晶薄膜激光掺杂方法

[发明专利]电极结构与太阳电池结构-CN202010072891.7在审
发明人：廖士霆;罗俊杰;张瀚丞;黄建福;陈建勋 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极结构，包括多层掺杂多晶结构与电极。多层掺杂多晶结构包括第一掺杂多晶层、第二掺杂多晶层与第一掺杂介电层。第二掺杂多晶层位于第一掺杂多晶层上。第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层为相同掺杂型。第二掺杂多晶层的掺杂浓度大于第一掺杂多晶层的掺杂浓度。第一掺杂介电层位于第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层之间。电极位于第二掺杂多晶层的远离第一掺杂介电层的一侧。电极电性连接至多层掺杂多晶结构。上述电极结构可优化场效应、提升隐开路电压与降低片电阻。
电极结构太阳电池

[发明专利]侧壁阻挡结构及制造方法-CN200310117008.8无效
发明人： S·格恩哈特;J·利安;A·希利格尔;R·布鲁赫豪斯;U·韦尔豪森;N·内格尔 -专利权人：英飞凌技术股份有限公司
申请日： 2003-11-27 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明包括具有穿过CP接触的多晶硅塞的晶片。由相对重掺杂多晶硅层和相对轻掺杂多晶硅层形成多晶硅塞。相对轻掺杂多晶硅层穿过相对重掺杂多晶硅层以超出相对重掺杂多晶硅层向晶片表面延伸。为了减小在多晶硅塞的表面氧化，阻挡层覆盖相对轻掺杂多晶硅层的顶部和侧壁。通过在CP接触中沉积相对重掺杂多晶硅层、沉积相对轻掺杂多晶硅层穿过相对重掺杂多晶硅层和沉积阻挡层覆盖相对轻掺杂多晶硅层的顶部和侧壁来制造晶片以减小在多晶硅塞表面的氧化。
侧壁阻挡结构制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 32385 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top