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[发明专利]一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法-CN202311072814.1在审
发明人：韩秀娟;孙彬;吴锋;徐玲锋;闫家强 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B02C19/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法，通过将多晶硅棒加热‑急冷处理，使硅棒获得晶间应力产生裂缝；再将产生裂缝的硅棒固定在固定座上，通过驱动机构将破碎装置套于硅棒上，借助外部供气组件使第一气囊和第二气囊充气后包围的硅棒区域即为待破碎的区域；气压脉冲设备运行，在极短的时间内向顶罩内鼓入高压洁净供气，形成气压脉冲，灌入硅棒裂缝中，将裂缝冲开，进而将硅棒破碎。本发明采用的破碎装置能够减少硅料与人的接触，进而避免硅料受到污染；且破碎过程不需借助机械破碎，减少了杂质离子的引入；利用高压脉冲冲击，灌入硅棒裂缝，将其冲开，同时将隐裂显现并冲开，节约人力。
一种多晶破碎装置及其方法

[发明专利]多晶硅棒裂缝产生装置-CN202310875975.8在审
发明人：孙彬;王镇;韩秀娟;齐兰兰;耿盼盼;吴锋;田新;闫家强 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅技术领域，提出一种多晶硅棒裂缝产生装置，该装置包括：水封槽，水封槽具有第一进口和第一出口；罩体，第一出口从罩体的一端延伸到罩体内，罩体内设有传动组件和加热组件，传动组件的一端设在第一出口的下游，传动组件的另一端延伸至罩体的另一端，罩体的另一端设有第二出料口；水爆机构，水爆机构包括：喷淋水组件；水槽，水槽内设有转动组件，转动组件可带动多晶硅棒转动，转动组件设在第二出料口的下游且位于喷淋水组件的下方。该装置有利于硅棒高效急冷，可使硅棒彻底裂开，也可避免硅棒表面氧化，且简化了系统，有效降低成本，提高生产效率。
多晶裂缝产生装置

[实用新型]用于区熔检测的多晶硅棒抛光垫-CN202321102142.X有效
发明人：张天雨;田新;蒋文武;吴鹏;闫家强 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了用于区熔检测的多晶硅棒抛光垫，该抛光垫包括：抛光垫基体和聚氨酯抛光层，聚氨酯抛光层设在抛光垫基体的至少一侧，在聚氨酯抛光层远离抛光垫基体的一侧设有多个凹槽，凹槽的槽宽沿远离抛光垫基体的方向递增。该抛光垫不仅有利于提高去除效率和抛光效果，还可以避免或降低多晶硅棒表面产生划痕或损伤的风险。
用于检测多晶抛光

[发明专利]一种电子级多晶硅棒破碎方法及系统-CN202310803300.2在审
发明人：孙彬;韩秀娟;齐兰兰;闫家强;吴锋;田新;耿盼盼 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅技术领域，尤其涉及一种电子级多晶硅棒破碎方法及系统，包括如下步骤：步骤一：对多晶硅棒进行加热‑急冷的步骤，使其表面及内部产生裂缝；步骤二：将多晶硅棒置入密闭容器内，对密闭容器抽真空，并注入适量水，使水对多晶硅棒的裂缝和隐裂缝进行填充；步骤三：排出密闭容器内的水，对多晶硅棒进行急冷，使其裂缝和隐裂缝内的水凝结成冰，对多晶硅棒进行破碎；步骤四：将多晶硅块恢复室温，去除其中水。本发明中可以节约人力，减少硅料与人的接触，进而避免硅料受到污染；不需要借助机械破碎，从而减少金属杂质的引入；且能够将内部的隐裂缝显现，避免后续清洗工序中隐裂显现而产生的多次返工，提高破碎效率。
一种电子多晶破碎方法系统

[发明专利]多晶硅破碎方法-CN202310495908.3在审
发明人： 闫家强;吴锋;田新;沙南雪;赵春梅;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅破碎方法，该方法包括：(1)将多晶硅进行预降温，以便得到预降温后的多晶硅；(2)将所述预降温后的多晶硅进行冷冻，以便得到冷冻后的多晶硅；(3)将所述冷冻后的多晶硅进行加热，以便得到加热后的多晶硅；(4)将所述加热后的多晶硅进行破碎，以便得到破碎后的多晶硅。本发明的多晶硅破碎方法可以使多晶硅获得极大的晶间应力，从而使多晶硅容易破碎，提高多晶硅破碎的产品收率，延长设备破碎机构的使用寿命，并降低维护成本。
多晶破碎方法

[发明专利]对电子级多晶硅进行清洗的方法-CN202210376804.6有效
发明人： 闫家强;蒋文武;徐玲锋;吴鹏 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了对电子级多晶硅进行清洗的方法。该方法包括：(1)对硅块进行至少两次水洗；(2)利用混酸溶液对水洗后的硅块进行清洗，混酸溶液包括质量浓度为0.1～1wt％的氢氟酸、质量浓度为1～10wt％的乙酸，以及质量浓度为68～72wt％的硝酸；(3)对酸洗后的硅块依次进行至少三次水洗和至少一次喷淋洗。由此，该方法操作简单、方便，可重复，成本低廉，不仅可以显著提高硅块的稳定清洗效果，降低硅块表面的杂质浓度，使得清洗后的硅块产品的清洁度更高，还可以提高硅块表面形态的均匀性，避免硅块表面斑纹、斑点的产生，提升硅块的整体光泽，使清洗后的硅块产品整体更加圆润，便于下游加工。
电子多晶进行清洗方法

[发明专利]多晶硅热处理装置以及利用其对多晶硅热处理的方法-CN202310133856.5在审
发明人： 闫家强;张天雨;吴鹏;田新 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了晶硅热处理装置以及利用其对多晶硅热处理的方法。该装置包括：多晶硅放置架包括第一底座、主体骨架和套环，主体骨架固定在第一底座的上，主体骨架具有沿第一方向延伸的固定架和隔板，隔板上具有至少一个穿孔，多晶硅棒穿设在穿孔中；套环在多个隔板的中间穿设，套环的一端勾设在第一底座上；加热炉具有加热空间，多晶硅棒放置架放置在加热空间内，炉壁设置在第二底座上，炉壁上具有进气口和出气口，加热管设置在所述炉壁上，冷冻水盘管设置在炉壁上，其具有进水口和出水口，封盖用于密封加热空间。利用上述装置对多晶硅热处理，之后再对多晶硅棒进行快速降温，后续通过敲击、挤压破碎手段处理多晶硅棒时，产生粉料会很少。
多晶热处理装置以及利用方法

[实用新型]清洗料篮-CN202320015758.7有效
发明人： 闫家强;吴鹏;田新;张天雨 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B08B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种清洗料篮。该清洗料篮包括镂空底板和镂空侧板，镂空底板底部设有开口朝下的凹槽，镂空侧板沿镂空底板的周向设置并且镂空侧板与镂空底板共同限定出上端敞口的清洗空间。该清洗料篮可以保证硅料的冲洗效果和洁净生产，且料篮载料量大，生产效率高。
清洗

[发明专利]电子级多晶硅及其清洗方法-CN202211456780.1在审
发明人： 闫家强;田新;吴鹏;张天雨 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种电子级多晶硅及其清洗方法，所述电子级多晶硅包括：(1)将所述电子级多晶硅与碱洗液混合，以去除所述电子级多晶硅上的有机物；(2)将步骤(1)得到的所述电子级多晶硅与清洗液混合，以去除所述电子级多晶硅上残留的所述碱洗液；(3)将步骤(2)得到的所述电子级多晶硅与酸洗液混合，以进一步去除所述电子级多晶硅上的杂质。由此，通过碱洗和酸洗的配合，可进一步去除电子级多晶硅表面的杂质，提高电子级多晶硅的纯度。
电子多晶及其清洗方法

[发明专利]电子级多晶硅筛分装置-CN202211468898.6在审
发明人： 闫家强;吴鹏;田新;张天雨 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B07B1/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种电子级多晶硅筛分装置，包括：第一传送装置，所述第一传送装置包括第一筛分板，所述第一筛分板上设置有第一筛分孔；第二传送装置，所述第二传送装置设置于所述第一筛分板运动方向的一端，所述第二传送装置包括第二筛分板，所述第二筛分板上设置有沿所述第二方向贯穿所述第二筛分板的第二筛分孔，所述第一筛分孔的直径小于所述第二筛分孔的直径；由此，该电子级多晶硅筛分装置在筛分电子级多晶硅的过程中可避免产生大量的碎屑和微粉，保证生产洁净，防止电子级多晶硅被污染，提高生产效率。
电子多晶筛分装置

[发明专利]用于区熔的多晶硅棒的预处理方法-CN202210781422.1有效
发明人：张天雨;田新;蒋文武;吴鹏;闫家强 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于区熔的多晶硅棒的预处理方法，该方法包括：（1）将机械法套取得到的多晶硅棒进行机械抛光，以便得到表面Ra为0.1~1μm的多晶硅棒；（2）将步骤（1）得到的多晶硅棒进行化学刻蚀，且控制刻蚀深度为30~40μm；（3）对步骤（2）得到的多晶硅棒进行清洗和干燥。该方法得到的多晶硅棒表面均匀致密，平坦度好，多晶硅棒表面隐裂去除的效果好，且不会对多晶硅棒表面造成二次损伤，且多晶硅棒的杂质去除率高，用该多晶硅棒区熔得到的单晶棒良率高且杂质含量稳定，从而能更真实的反映改良西门子法生产的多晶硅棒的非金属杂质含量，进而为下游多晶硅掺杂量的计算提供良好的数据支持，提高多晶硅产品品质。
用于多晶预处理方法

[发明专利]电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置-CN202210135546.2在审
发明人： 闫家强;张天雨;蒋文武;田新;吴鹏 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置，所述装置包括：传送单元；加热仓，所述加热仓的相对两个侧面上设有仓口，所述传送单元通过所述仓口可移动地贯穿所述加热仓，所述仓口处设有仓门，所述仓门关闭时所述加热仓形成封闭空间，所述加热仓的内壁上设有加热器和温度探测器，且所述加热仓壁上还设有抽真空口和保护气体入口。多晶硅棒通过传送单元自动完成进出加热仓，多晶硅棒在完成加热的过程中，除了传送单元，没有接触过别的物质，单一接触源，避免了外来污染源的问题，同时保证了加热效率。
电子多晶破碎加热装置方法

[发明专利]电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置-CN202210134709.5在审
发明人： 闫家强;张天雨;田新;吴鹏 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置，所述方法包括：(1)在CVD炉内的硅棒生长完成后，关闭原料进口和尾气出口，向炉内吹扫保护气体，以便对所述硅棒降温；(2)当所述硅棒的温度降至600‑800℃时，加速向炉内吹扫保护气体，以便对所述硅棒快速降温；(3)当所述硅棒的温度降至60℃以下时，停止吹扫保护气体，将底座套筒板分别与炉筒和底座套筒解除固定；(4)将所述炉筒吊起，旋转所述底座套筒板，将所述硅棒切倒，以便使所述硅棒倒在所述底座套筒板上破碎。本发明减少生产能耗，减少了生产工序，提高生产节拍，避免产品污染问题，提高产品质量。
电子多晶 cvd 破碎方法装置

[发明专利]电子级多晶硅热破碎装置-CN202210135553.2在审
发明人： 闫家强;张天雨;仝礼;田新;徐玲锋 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种电子级多晶硅热破碎装置，包括第一传送单元、加热仓、冷却槽、第二传送单元和冲击破碎槽，电子级多晶硅在加热仓中加热到500～1000℃，然后经过冷却水急速降温，从而使多晶硅获得一个瞬间的晶间应力使其自身瞬间破碎，生产过程中设备与多晶硅棒料接触的表面均为无污染材质，保证多晶硅棒料在整个破碎过程中不会被污染，同时能够避免大量碎屑和粉尘产生。
电子多晶破碎装置

[发明专利]电子级多晶硅棒热破碎方法-CN202210135541.X在审
发明人： 闫家强;张天雨;田新;吴鹏;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种电子级多晶硅棒热破碎方法，包括(1)采用第一传送单元将待加热的多晶硅棒传送至加热仓内，通过所述加热仓内的加热元件对所述多晶硅棒进行加热，加热过程中所述加热仓内充满保护气体；(2)采用所述第一传送单元将加热完成的所述多晶硅棒运出所述加热仓，并将所述多晶硅棒传送至冷却槽中进行快速冷却；(3)将冷却完成的所述多晶硅棒转移至第二传送单元上进行干燥；(4)采用所述第二传送单元将干燥完成的所述多晶硅棒传送至接料槽内，进行破碎，以获得破碎的多晶硅棒。由此，能避免多晶硅棒在破碎过程中被污染，同时，多晶硅棒通过晶间应力破碎，可避免大量碎屑和微粉的产生。
电子多晶硅棒热破碎方法

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