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[实用新型]一种超材料吸收器-CN201820494303.7有效
发明人：余鹏;王志明;巫江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种超材料吸收器，有底至上依次为衬底层、第一金属层、电介质层和第二金属结构，所述衬底层、第一金属层和电介质层的上表面为正方形，所述第二金属结构为棱柱结构，所述第二金属结构的侧面与所述衬底层相邻的侧面平行，所述第二金属结构的上表面设置有与所述第二金属结构侧面内接的正方形沉孔，本申请提供的超材料吸收器，具有阻抗匹配不敏感的特性，具体表现在当顶部的共振金属结构层的尺寸发生改变时，吸收幅度变化远小于现有的超材料吸收器
超材料吸收器金属结构衬底层第一金属层电介质层上表面侧面本实用新型金属结构层正方形沉孔幅度变化棱柱结构通用适配阻抗匹配不敏感共振内接平行申请吸收表现

[发明专利]一种胶接模具-CN201810082900.3在审
发明人：张永亮;陈剑;李璐璐;尹军华;李书军;石小平;孙松强;杨自燕 -专利权人：李璐璐
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B29C65/70 文献下载
摘要：这种胶接模具包括：底座，底座上具有用于与金属结构胶接件接触的成型面；抵挡组件，抵挡组件设于成型面上，抵挡组件用于限制金属结构胶接件的边缘位置，抵挡组件围成用于成型的成型空间。本发明提供的上述胶接模具上形成用于放置金属结构胶接件的成型空间，在加工过程中，可以将蒙皮的放置在成型空间中，从而限定了成型后的金属结构胶接件边缘的位置，以避免金属结构胶接件蒙皮发生位移，保证金属结构胶接件的加工效果
金属结构胶接件抵挡组件胶接模具成型空间成型蒙皮底座边缘位置加工设备成型面加工保证

[发明专利]一种基于亚波长金属结构的宽频吸波材料-CN201410024029.3有效
发明人：董小春;王锐;余金清;杜春雷;邓启凌;高洪涛;袁桂山;史立方 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于亚波长金属结构的宽频吸波材料，属于微波吸波材料领域。该新型吸波材料自上而下有三层，分别为覆有周期性排列的矩形金属结构的介质基板、传统吸波材料基板和覆有周期性排列的“回”字形金属结构的介质基板。本发明在传统吸波材料的基础上引入周期性亚波长金属结构，利用金属结构对电磁波的局域控制特性，加强了传统吸波材料对电磁波的损耗作用，并通过双层金属结构实现了宽频带的强吸收，可用于雷达隐身、电磁兼容和电磁屏蔽等
一种基于波长金属结构宽频材料

[实用新型]一种防雷电阻接地装置-CN202222647822.1有效
发明人：李才友;邵春雨;吴家宁;于军涛 -专利权人：云南静笃科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01R4/66 文献下载
摘要：所述防雷电阻接地装置包括建筑体；金属结构，所述金属结构设置在所述建筑体上并通过扁钢组成；接地母线，所述接地母线固定安装在所述金属结构的底部；多个接地极，多个所述接地极均固定安装在所述接地母线上；驱动装置本实用新型提供的防雷电阻接地装置具有操作方便、可以防止建筑顶部金属结构焊接处被雨水浸泡腐蚀导致金属结构断开，同时便于检测建筑侧面的金属结构焊接点是否断开，从而省时省力的优点。
一种防雷电阻接地装置

[实用新型]熔断器、熔体以及金属结构-CN200920273246.0无效
发明人：孟毓强;王灵敏;唐小云;贾炜 -专利权人：库柏西安熔断器有限公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01H85/06 文献下载
摘要：本实用新型揭示了熔断器、熔体以及金属结构。提出一种金属结构，用于熔断器的金属部件或者熔体，该金属结构包括：高强度金属材料制成的中心部分；包围在中心部分外围，高导电率金属材料制成的表面部分。本实用新型利用趋肤效应，将金属结构设计成由高强度金属材料构成的中心部分和由高导电率金属材料构成的表面部分。还提出了利用该金属结构的熔体以及熔断器，本实用新型节省了对于昂贵的高导电率金属材料的使用，节约了成本，但导电性能并不受到影响。同时，中心部分的高强度金属材料增强了金属结构的机械强度。
熔断器以及金属结构

[发明专利]直接位于多晶硅结构上方的标准单元金属结构-CN201410182965.7有效
发明人：谢尚志;庄惠中;江庭玮;陈俊甫;曾祥仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种半导体结构包括第一有源区结构、环绕第一有源区结构的隔离结构、第一多晶硅结构、第一金属结构以及第二金属结构。第一多晶硅结构位于第一有源区结构上方。第一金属结构直接位于第一有源区结构的第一部分上方。第二金属结构直接位于第一多晶硅结构的一部分上方且与所述第一多晶硅结构的所述一部分相接触以及与第一金属结构相接触。本发明还公开了直接位于多晶硅结构上方的标准单元金属结构。
直接位于多晶结构上方标准单元金属结构

[发明专利]具有聚合物基绝缘材料的半导体器件及其制造方法-CN202210129107.0在审
发明人： M·尊德尔;S·阿纳尼夫;A·贝伦特;H·多普克;U·施马尔茨鲍尔;M·索格;D·瑟默 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体器件包括具有第一主表面的半导体衬底和在第一主表面上方的金属结构。金属结构具有包括过渡区段的外围区，金属结构沿着该过渡区段从第一厚度过渡到小于第一厚度的第二厚度。聚合物基绝缘材料接触并覆盖金属结构的至少外围区。聚合物基绝缘材料的厚度在金属结构的背离半导体衬底的第一主表面上开始增加，并且在朝向过渡区段的方向上继续增加。关于金属结构的第一主表面测量的、聚合物基绝缘材料的背向半导体衬底的表面的平均斜度沿着金属结构的外围区小于60度。
具有聚合物绝缘材料半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于数字孪生的水工金属结构设备智能管理构建方法及系统-CN202210557484.4在审
发明人：夏云秋;时雷鸣;朱烨森;胡涛勇;金晓华;秦方 -专利权人：中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于数字孪生的水工金属结构设备智能管理构建方法及系统，所述方法包括：构建包括水利工程物理环境和水工金属结构物理实体的物理空间，同时构建包括水利工程孪生环境和水工金属结构数字孪生体的信息空间本发明通过构建水工金属结构设备极其运行环境的数字孪生体，可以实现水工金属结构设备全生命期的状态监测、运行维护和安全评估，形成的水工金属结构设备智能管理系统具备条理化、数字化、集成化、可视化的特点，可以一定程度上降低水工金属结构设备在运行服役期间的安全监控不到位
一种基于数字孪生水工金属结构设备智能管理构建方法系统

[发明专利]外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法-CN202211311574.1在审
发明人：庄望超;石强 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：所述外延层的去除方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有金属结构及外延层，所述金属结构位于所述外延层内；采用湿法腐蚀溶液去除所述外延层；相同条件下，所述湿法腐蚀溶液对所述外延层的去除速率大于所述湿法腐蚀溶液对所述金属结构的去除速率衬底上形成有金属结构及外延层，金属结构位于外延层内，相同条件下湿法腐蚀溶液对外延层的去除速率大于湿法腐蚀溶液对金属结构的去除速率，采用湿法腐蚀溶液去除外延层时，不会对金属结构造成严重破坏，可以改善衬底正面的外延层出现异常时
外延去除方法返工半导体工艺

[发明专利]半导体结构及其形成方法、存储器-CN202010473013.6有效
发明人：郑二虎;王胜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法、存储器，形成方法包括：对第二金属层露出的绝缘材料层进行刻蚀再沉积工艺，形成绝缘结构，绝缘结构包括绝缘侧部和绝缘层；对第二金属层和绝缘结构露出的第一金属材料层进行刻蚀再沉积工艺，形成第一金属结构，所述第一金属结构包括第一金属侧部和第一金属层；去除高于第二金属层表面的绝缘侧部和第一金属侧部。本发明中绝缘层形成在第一金属层和第二金属层之间，绝缘侧部形成在第一金属侧部和第二金属侧部之间，从而绝缘结构将第一金属结构和第二金属结构电隔离，在去除高于第二金属层表面的绝缘侧部和第一金属侧部后，剩余的绝缘结构仍能够电隔离第一金属结构和第二金属结构，使得半导体结构具有优良的电学性能。
半导体结构及其形成方法存储器

[发明专利]一种高压直流双接地极对埋地金属结构物的干扰评估方法-CN202210152860.1在审
发明人：刘青松;胡上茂;彭翔;刘刚;吴瀛;贾磊;孙勇;张义;邓军;廖民传;陈伟;胡泰山;杨育丰;冯瑞发;梅琪;刘浩;姚成;祁汭晗;吴泳聪 -专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心;南方电网科学研究院有限责任公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压直流双接地极对埋地金属结构物的干扰评估方法，包括如下步骤：获取高压直流输电系统及埋地金属结构物的参数信息，所述参数信息包括高压直流双接地极与埋地金属结构物之间的相对位置、高压直流双接地极的参数、埋地金属结构物的参数、土壤层的土壤电阻率；根据所述参数信息，利用边界元法建立高压直流双接地极对埋地金属结构物的干扰模型；利用边界元法求解所述干扰模型得到埋地金属结构物的干扰参数，根据所述干扰参数评估高压直流双接地极对埋地金属结构物的干扰本发明能提高计算高压直流干扰参数的准确性和效率，能准确评估埋地金属结构物受到双接地极的干扰情况，有利于高压直流干扰的预测和防护方案的优化设计。
一种高压直流接地金属结构干扰评估方法

[发明专利]用于检测粒子束的检测器及其制造方法-CN03802732.1有效
发明人：埃莱尼·贝尔德曼;维姆·德伯尔 -专利权人：重离子研究有限公司
申请日： 2003-01-23 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检测高强度和高能粒子束(2)的检测器及其制造方法，该检测器包括一个具有金属涂层(4)的晶体半导体板(3)，并且其设置在基片(5)上，半导体板(3)是金刚石板(6)，在金刚石板两面都以金属结构金属结构(7、8)包括铝和/或铝合金，并形成若干个电极，设置这些电极以通过基片(5)上的导体线与各个电势连接，基片(5)是具有中心孔(24)的陶瓷板(11)，该中心孔被金刚石板(6)盖住。
用于检测粒子束检测器及其制造方法

[发明专利]金属结构及用于金属结构的表面处理的方法-CN202010721579.6有效
发明人：周彬斌;沈君达;李扬扬;吕坚 -专利权人：香港城市大学
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C25F3/02 文献下载
摘要：本发明涉及材料领域，具体涉及一种金属结构和一种用于金属结构的表面处理的方法。该方法包括以下步骤：使用第一表面处理工艺在金属结构的表面上限定第一表面形态；以及使用第二表面处理工艺处理表面，以将第一表面形态转变为第二表面形态；其中，金属结构大体上由第一金属材料制成以及少量的其他金属；以及其中，第一表面工艺包括将第一金属与其他少量金属刻蚀，第二表面处理工艺包括执行将析出第一金属材料重新沉积在金属结构的表面上。通过采用本发明提供的方法，可以有效地粗糙化金属结构，从而生产出一种新型的金属骨架。
金属结构用于表面处理方法

[实用新型]一种超薄传输式超表面相位调控基本单元-CN202020460145.0有效
发明人：陈磊 -专利权人：杭州灵芯微电子有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄传输式超表面相位调控基本单元，包括依次设置的表层金属结构层、上层介质板层、中间雪花型金属贴片、下层介质板层和底层金属结构层；表层金属结构层包括第一方形金属环和第一方形金属贴片；底层金属结构包括第二方形金属环和第二方形金属贴片本发明通过调节基本单元的表层金属结结构层、中间雪花型金属贴片以及底层金属结构层的尺寸参数，实现了不同的传输相位，其相位调控范围大于270°，同时基本单元的传输效率高，且具有超薄的结构。
一种超薄传输表面相位调控基本单元

[发明专利]具有显示单元的便携装置-CN201210257775.8有效
发明人：小胜俊亘 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-08-23 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：一种具有形成在壳体结构中的显示单元的便携装置，包括：作为主结构保持显示单元的金属结构；以及金属壳体，与金属结构一体形成。在金属结构中，因为显示单元的保持部分形成为盒状，由片状玻璃形成的显示单元具有抵抗外部的弯曲负载和扭曲负载引起的变形的抵抗力。因此，即使显示部分自身的硬度由于后端减小而降低，也可以防止显示单元被损坏。因为金属结构由冲压薄片而制造，即使其壁厚度较小，也可以保持足够的强度。此外，因为金属结构形成为整个壳体的框架部分，通过金属结构可以保持整个装置的硬度以保护安装衬底、功能部分以及显示单元。
具有显示单元便携装置