专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202110865833.4在审
  • 梅崎翔太;稻富弘朗 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-07-29 - 2022-02-18 - H01L21/67
  • 本发明提供使进行超临界干燥的基板处理装置小型化的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括:输送模块,其配置有用于输送基板的输送装置;以及处理模块,其与所述输送模块相邻。所述处理模块包括:液膜形成单元,其在水平的所述基板的上表面形成液膜;以及干燥单元,其将所述液膜置换为超临界流体而对所述基板进行干燥。所述干燥单元包括:压力容器,其在内部形成所述基板的干燥室;盖体,其封闭所述干燥室的开口;以及支承体,其在所述干燥室中水平地支承所述基板。所述支承体相对于所述干燥室固定。所述输送装置水平地保持形成有所述液膜的所述基板,并通过所述干燥室的所述开口而进入所述干燥室。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202111195593.8在审
  • 井原亨;田中晓;五师源太郎;山下刚秀;山中励二郎;神代英明 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-10-14 - 2022-05-13 - H01L21/67
  • 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。更可靠地抑制在基板的表面形成的图案的倒塌。基板处理装置使用超临界状态的处理流体对在表面附着有液体的基板进行干燥,其包括:处理容器,其容纳基板基板保持部,其在处理容器内将基板以表面朝向上的方式保持为水平;第1供给管线,其与设于处理容器的第1流体供给部连接,向处理容器内供给处理流体;排出管线,其与设于处理容器的排出部连接,排出处理流体;旁路管线,其在设定于第1供给管线的第1分支点处从第1供给管线分支且在设定于排出管线的连接点处与排出管线连接,能够使在第1供给管线流动的处理流体的至少一部分不经由处理容器而是向排出管线排出;以及旁路开闭阀,其使旁路管线开闭。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202111211452.0在审
  • 立花康三;森川胜洋;水永耕市;饱本正巳;根岸康介 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-10-18 - 2022-05-13 - H01L21/683
  • 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。在使基板吸附于利用加热器加热的基板台并进行基板处理时,降低基板的吸附时产生于基板的背面的损伤。基板处理方法为在基板处理装置中对基板进行液处理的方法,该基板处理装置包括:基板台,其吸附所述基板;加热器,其加热所述基板台;以及处理液喷嘴,其向吸附于所述基板台的所述基板供给处理液,其中,该基板处理方法包括:吸附工序,在该吸附工序中,在所述基板与所述基板台之间没有温度差或温度差在预先确定的范围内时,利用所述基板台吸附所述基板;以及所述吸附工序之后的处理液供给工序,在该处理液供给工序中,自所述处理液喷嘴向吸附于利用所述加热器加热的所述基板台的所述基板供给处理
  • 处理方法装置
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202111255308.7在审
  • 刘俊浩 - 细美事有限公司
  • 2021-10-27 - 2022-05-13 - H01L21/67
  • 本发明构思涉及一种基板处理装置和基板处理方法,该基板处理方法包括:测量基板的对准状态,该基板放置在传送单元的手部上,该传送单元传送该基板;当基板的对准状态有问题时,通过传送单元将基板传送到基板对准单元;以及通过基板对准单元对准基板的位置,其中,该基板处理方法包括:当在对准状态的测量中测量到基板的对准状态超出传感器读取范围时,在基板装载到基板对准单元之前临时校正基板的位置。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN202111269772.1在审
  • 高桥朋宏 - 株式会社斯库林集团
  • 2021-10-29 - 2022-05-06 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(100)具备:基板保持部(120),保持配列成沿列方向排成一列的基板列的多个基板(W);处理槽(110),贮存用以浸渍由基板保持部(120)保持的基板(W)的处理液(L);及多个气泡产生管(136),通过对处理液(L)供给气体而在处理液(L)中产生气泡。多个气泡产生管(136)中,对位于浸渍在处理液(L)中的基板列的端部下方的端部气泡产生管(136b、136c)供给的气体的流量,多于对位于基板列的中央下方的中央气泡产生管(136a)供给的气体的流量。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202180008697.5在审
  • 若松孝彬 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-01-12 - 2022-08-26 - H01L21/304
  • 一种基板处理装置,其对基板进行处理,其中,该基板处理装置具有:基板输送机构,其保持所述基板的一面并进行输送;以及清洗机构,其设于所述基板输送机构输送所述基板的输送路径的下方,对所述基板的另一面进行清洗,至少在周面的表层具备吸水层;清洗液喷嘴,其向所述吸水性辊供给清洗液;以及挤压辊,其在所述吸水性辊的旋转方向上设于比所述清洗液喷嘴靠下游侧的位置,构成为相对于所述吸水性辊在接近远离方向上移动自如,通过使所述吸水性辊与所述基板的另一面接触,从而对所述基板的另一面进行清洗。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202210160928.0在审
  • 本田拓巳 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-02-22 - 2022-09-02 - H01L21/306
  • 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置,能够提高磷酸水溶液的使用效率。基板处理方法包括调配工序、蚀刻处理工序以及浓度上升工序。在调配工序中,向磷酸水溶液中添加析出抑制剂来调配磷酸处理液。在蚀刻处理工序中,将具有氧化硅膜和氮化硅膜的基板浸在处理槽中来对基板进行蚀刻处理。在浓度上升工序中,在被进行了蚀刻处理基板的张数达到第一阈值的情况下、或者磷酸处理液中的硅浓度达到第二阈值的情况下,向处理槽内的磷酸处理液追加投入析出抑制剂来使磷酸处理液中的析出抑制剂的浓度上升。在进行浓度上升工序之后,在蚀刻处理工序中,将新的基板浸在贮存有使析出抑制剂的浓度上升后的磷酸处理液的处理槽中来对新的基板进行蚀刻处理
  • 处理方法装置

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