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- [发明专利]一种全饱和MOSFET带隙基准源-CN202210932626.0在审
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张艺蒙;赵浦;张玉明;汤晓燕;宋庆文;孙乐嘉
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西安电子科技大学
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2022-08-04
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2022-11-08
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G05F1/567
- 本发明公开了一种全饱和MOSFET带隙基准源,包括:启动电路、电流产生电路、温度补偿产生电路和基准源输出电路;其中,电流产生电路用于产生与温度变化呈第一相关性的温度系数电流;温度补偿产生电路用于产生与温度变化呈第二相关性的温度系数电压;基准源输出电路用于利用温度系数电流和温度系数电压产生基准电压,并将基准电压输出至启动电路;启动电路用于保证全饱和MOSFET带隙基准源在启动过程中脱离非理想工作点并进入正常工作点。本发明采用全MOS结构、MOS管均偏置在饱和区工作,大大降低了对工艺要求,并且能够适应不同半导体材料的MOS管温度特性,具有普适性,同时,电路结构复杂度低,可广泛应用于各种电路中来产生参考电压。
- 一种饱和mosfet基准
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