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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基准电压产生-CN201880062403.5在审
发明人：克里斯托弗·舍费;瓦伊巴夫·瓦伊达;金秀奂 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：在一些示例中，一种用于基准电压产生的设备包括各自具有对应基准电压的多个基准电压轨、第一控制器和第二控制器。所述第一控制器将在同步模式下循环通过所述多个基准电压轨并维持所述基准电压。所述第二控制器将检测事件并响应于所述事件而向所述第一控制器提供要在异步模式下更新多个基准电压中的一个基准电压的指示。所述第一控制器将响应于所述事件而在异步模式下更新所述多个基准电压中的一个基准电压。
基准电压产生

[发明专利]负基准电压产生电路及负基准电压产生系统-CN201510024620.3有效
发明人：前田辉彰;伊藤伸彦 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明提出一种负基准电压产生电路及负基准电压产生系统。该负基准电压产生电路，包括：箝位型基准电压电路及差动放大器。箝位型基准电压电路连接于比接地电压或该接地电压更低的第一负电压的节点与比该第一负电压更低的预定的第二负电压的节点之间。箝位型基准电压电路是由第一电路与第二电路并联而成。差动放大器，将第一电路内的一节点电压与第二电路内的一节点电压之间的电压差放大，输出负基准电压。
基准电压产生电路系统

[发明专利]负基准电压产生电路及负基准电压产生系统-CN201510317824.6有效
发明人：荒川秀贵;伊藤伸彦;前田辉彰 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种负基准电压产生电路及负基准电压产生系统。所述负基准电压产生电路包括差分放大器，具有非反相输入端子、反相输入端子及输出端子且是以正侧电源电压与负侧电源电压所驱动的差分放大器，从所述输出端子经由第一电阻连接所述非反相输入端子，并从所述输出端子经由第二电阻连接所述反相输入端子
基准电压产生电路系统

[发明专利]基准电压产生装置-CN201410548857.7在审
发明人：桥谷雅幸;吉野英生 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供具有平坦的温度特性的基准电压产生装置。第一导电型的耗尽型MOS晶体管(5)，其被连接成作为电流源发挥作用，流出恒定电流；以及第一导电型的耗尽型MOS晶体管(6)，其以二极管接法连接，具有与耗尽型MOS晶体管(5)相同的埋沟和相同的温度特性，基于恒定电流，产生基准电压耗尽型MOS晶体管(5)与耗尽型MOS晶体管(6)的温度特性相同，因此，基准电压产生装置的输出的温度特性平坦。
基准电压产生装置

[发明专利]基准电压产生电路-CN202010446240.X在审
发明人：汤浅太刀男 -专利权人：艾普凌科株式会社
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电压产生电路(1A)包括：电流分流电路(10)，具有第一输入端(11a)、第二输入端(11b)、电源输入端(12)、第一输出端(13a)、第二输出端(13b)、第三输出端(13c)、NMOS
基准电压产生电路

[发明专利]电压基准产生电路-CN201911334086.0在审
发明人：朱乐永 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种电路面积小、功耗小且工作电压低的电压基准产生电路，属于电路设计领域。drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />在设定温度点时为0，第1个NMOS管的源极接地，第n个NMOS管的漏极输入基准电流，第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF，T表示温度，VGS表示NMOS管的栅源之间的电压，n为大于2的正整数。
电压基准产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN202080084387.7在审
发明人：山本精一 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：一种基准电压产生电路(1)具备：产生取决于带隙基准电压和电源电压(VCC)的第一基准电压(VREF1)的带隙基准电路(2)；以及将第一基准电压转换为第二基准电压(VREF2)的转换电路(3)。第二基准电压取决于带隙基准电压和接地电压(VSS)。接地电压低于电源电压。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201510189270.6有效
发明人：吕文君 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提出了一种基准电压产生电路，在基准电压电路和读电路之间添加一个驱动缓冲电路，减少现有技术中基准电压产生电路原有的负载，使基准电压产生电路只与驱动缓冲电路的栅极相连，有效的缩短基准电压的建立时间，使读电路重置时间缩短，进而提高读取速度，基准电压电路改进后较原有设计更为简化，电路在面积和功耗方面也有所减。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201410054346.X有效
发明人：吉野英生 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供基准电压产生电路，其即使存在制造工序偏差也具有平坦的温度特性。在半导体制造工艺结束后的半导体装置的电气特性的评价中，分别对3个单位基准电压产生电路（10）的基准电压VREF的温度特性进行评价。然后，从3个单位基准电压产生电路（10）中，仅选择具有最平坦的温度特性的单位基准电压产生电路（10）。只有此处选择出的单位基准电压产生电路（10）的熔断器（13～14）不被断开，而其他熔断器（13～14）被断开。因此，只有选择出的单位基准电压产生电路（10）工作，其他单位基准电压产生电路（10）不工作。
基准电压产生电路

[发明专利]电压基准产生电路-CN201410843846.1有效
发明人：常祥岭;孙彪 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种电压基准产生电路，包括分压电路和基准电压源电路，其中，所述分压电路包括依次串联连接在输入电压与地之间的第一、第二、第三电阻，所述第一和第二电阻之间形成的第一节点为所述电压基准产生电路的输出端，所述第二和第三电阻之间形成的第二节点连接所述基准电压源电路的输出电压。本发明的电压基准产生电路，能够输出高于带隙基准的基准电压，并且在高输入电压下仍能使用低耐压器件，从而降低系统复杂度，节省版图面积。
电压基准产生电路

[发明专利]基准电压产生装置-CN201310050845.7有效
发明人：吉野英生;小山内润;桥谷雅幸;广濑嘉胤 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供基准电压产生装置，其具有平坦的温度特性。该基准电压产生装置具备第一导电类型的耗尽型MOS晶体管(10)，其为了作为电流源发挥功能而进行连接并流过恒定电流；以及第一导电类型的增强型MOS晶体管(20)，其进行二极管连接，具有与耗尽型MOS晶体管(10)的迁移率大致相同的迁移率，基于恒定电流产生基准电压(VREF)，因为耗尽型NMOS晶体管(10)与增强型NMOS晶体管(20)的迁移率大致相同，所以它们的温度特性也大致相同，基准电压(VREF)
基准电压产生装置

[发明专利]基准电压产生装置-CN201410573195.9有效
发明人：桥谷雅幸;广濑嘉胤 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供具有平坦的温度特性的基准电压产生装置。导电型的耗尽型MOS晶体管（1）和二极管连接的第1导电型增强型MOS晶体管（2）的周边，且，具备在设定温度环境下能够高精度地修整的电流源及与该电流源串联连接的二极管，根据从二极管输出的信号，在所述电阻器中消耗的电压大致恒定，由此能够做成可在恒定的设定温度环境下动作的基准电压产生装置。
基准电压产生装置

[发明专利]基准电压产生装置-CN201910003748.X有效
发明人：吉野英生 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提供基准电压产生装置，抑制了相对于温度变动的基准电压的变动。基准电压产生装置具有：恒定电流电路，其包含具有第一沟道尺寸的第一MOS晶体管，该第一MOS晶体管具有第一导电型的栅电极、源区、漏区和第一沟道杂质区；以及电压生成电路，其包含具有与第一沟道尺寸不同的第二沟道尺寸的第二
基准电压产生装置

[发明专利]基准电压产生电路-CN201910116610.0有效
发明人：佐野稔 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明涉及基准电压产生电路。本发明提供电路规模小且功耗小的基准电压产生装置。基准电压产生电路是，一种基准电压产生电路，具有稳定化电容，将所述稳定化电容的两端的电压作为输出电压输出，所述基准电压产生电路具备：基准电压电路、电压感测电路、电流源电路、以及控制电路，所述电流源电路被构成为生成在所述输出电压比感测电压低的情况下生成的第一电流和在所述输出电压与所述感测电压相同或比所述感测电压高的情况下生成的第二电流，所述第一电流比所述第二电流大，所述电压感测电路具有一个晶体管或级数比所述基准电压电路少的共源共栅连接的晶体管。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN202210014789.0有效
发明人：聂卫东;戴晨峰 -专利权人：无锡市晶源微电子有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电压产生电路，包括：基准信号模块、开关电容积分模块、开关信号模块和采样与保持模块，所述开关电容积分模块接收所述基准信号模块输出的所述第一基准电压或所述第二基准电压，并根据所述开关信号模块输出的开关信号，向所述采样与保持模块输出第一调整电压或第二调整电压，所述采样与保持模块通过控制内部开关给后级电路提供一可变基准电压。本申请通过调整开关电容积分模块的充放电占空比，能够生成数值范围广且精度高的可变基准电压，可用于动态参数的补偿调整。
基准电压产生电路

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