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[发明专利]具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片及其制成方法-CN201010278735.2有效
发明人：李乐 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明提出一种具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，用于在绝缘体上硅衬底上制作器件，绝缘体上硅衬底依次包括衬底层、氧化掩埋层、单晶硅顶层和层间介质层，具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片包括金属接触孔，金属接触孔贯穿层间介质层、单晶硅顶层和氧化掩埋层，与衬底层接触。本发明所揭露的绝缘体上硅衬底硅片，在SOI衬底中形成金属接触孔，消除了氧化掩埋层对于热量的阻挡，增大SOI衬底的导热能力。
具有散热结构绝缘体衬底硅片及其制成方法

[发明专利]半导体器件-CN201410232012.7有效
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：衬底、位于衬底表面的外延层和位于外延层中的器件区，其中：衬底中的固定区域内设置有氧化层埋层，该氧化层埋层与外延层接触，并正对于器件区内的漂移区；位于外延层中，除与氧化层埋层正对的区域外设置有第一扩散区本发明实施例有效解决了现有技术中制造如射频‑横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其在进行下沉层高温驱入时浓掺杂衬底中杂质上扩导致漂移区下有效外延层厚度减小，进而使器件击穿电压下降的技术问题。
半导体器件

[实用新型]厚栅高压P型金属氧化物半导体管-CN200620165095.3无效
发明人：孙伟锋;李海松;李杰;易扬波;徐申;夏晓娟;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种兼容性好且能够降低工艺成本的厚栅高压P型金属氧化物半导体管；包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型埋层，在N型埋层上设有N型外延层，在N型外延层上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱上设有P型源和N型接触孔，在P型漂移区内设有P型漏，在P型源、N型接触孔、N型阱、N型埋层、P型漂移区及P型漏的上方设有氧化层，在P型源及N型接触孔上连接有金属引线，在P型漏上连接有金属引线，在N型阱、P型漂移区、N型外延层与氧化层之间设有场氧化层，该场氧化层自P型源延续至P型漏，在氧化层内设有多晶硅栅且该多晶硅栅位于场氧化层的上方，在多晶硅栅上连接有金属引线。
高压金属氧化物半导体

[发明专利]绝缘体上硅晶片的制造方法-CN200910042748.7有效
发明人：蓝镇立;刘东明;颜秀文;贾京英;乔狮雄;文正 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明公开一种利用注氧隔离技术、热内氧化技术制造绝缘体上硅晶片的生产工艺，其步骤包括：1.高温第一次注入氧离子，形成连续的氧离子富含层；2.低温下第二次注入氧离子，引入晶格缺陷层；3.在高温、高氧含量的氧氩气氛中进行热内氧化工艺，加速氧原子的内扩散；4.在低氧含量的氧氩气氛中进行高温退火，以修复缺陷，形成高质量的氧化硅绝缘埋层；5.在HF溶液中漂洗，去除表面氧化层，得到最终的SOI晶片。本发明通过引入晶格缺陷层，提高了氧原子在热内氧化过程中的扩散速度，增加了连续氧化物绝缘埋层的厚度，降低了埋层的针孔密度，从而提高了绝缘体上硅晶片的质量。
绝缘体晶片制造方法

[发明专利]一种终端结构、制作方法以及功率器件-CN202210085312.1在审
发明人：袁俊;丁琪超 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种终端结构、制作方法以及功率器件，包括：第一外延层；位于第一外延层一侧的掩埋层；贯穿掩埋层的第一掺杂区，第一掺杂区与掩埋层的掺杂类型相反；位于掩埋层背离第一外延层一侧的第二外延层，第二外延层内具有主结扩展区以及场限环；位于第二外延层背离所述掩埋层一侧的氧化层；其中，第二外延层和第一外延层均与掩埋层的掺杂类型相反；在第一方向上，场限环位于主结扩展区与第一掺杂区之间，第一方向垂直于第一外延层指向第二外延层的方向。
一种终端结构制作方法以及功率器件

[实用新型]一种终端结构以及功率器件-CN202220207437.2有效
发明人：袁俊 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种终端结构以及功率器件，包括：第一外延层；位于第一外延层一侧的掩埋层；贯穿掩埋层的第一掺杂区，第一掺杂区与掩埋层的掺杂类型相反；位于掩埋层背离第一外延层一侧的第二外延层，第二外延层内具有主结扩展区以及场限环；位于第二外延层背离所述掩埋层一侧的氧化层；其中，第二外延层和第一外延层均与掩埋层的掺杂类型相反；在第一方向上，场限环位于主结扩展区与第一掺杂区之间，第一方向垂直于第一外延层指向第二外延层的方向。
一种终端结构以及功率器件

[发明专利]基于绝缘层上硅衬底的单结晶体管及其制备方法-CN202010350749.4有效
发明人：万景;黄逸轩;陈颖欣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的单结晶体管，包含绝缘层上硅衬底、第一基区、第二基区、发射区，以及第一基区金属接触、第二基区金属接触、发射区金属接触和背栅金属接触；所述绝缘层上硅衬底进一步包含衬底、氧化埋层和沟道，氧化埋层位于衬底和沟道之间。本发明中绝缘层上硅衬底通过引入绝缘层即氧化埋层将沟道与衬底隔绝，从而降低寄生电容和漏电效应。本发明所述单结晶体管建立绝缘层上硅衬底上，有助于提高器件的工作速度，降低漏电和工艺难度，同时还具有抗辐射、耐高温高压以及拓展单结晶体管功能等优点。
基于绝缘层上硅衬底单结晶体管及其制备方法

[发明专利]双极晶体管的制作方法-CN201711366210.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种双极晶体管及的制作方法包括：提供P型衬底，形成N型埋层、N型外延层；在所述N型外延层上形成氧化硅层，形成贯穿所述氧化硅层的开口；在所述开口的侧壁形成氮化硅侧墙，使得所述氮化硅侧墙围成第一刻蚀窗口；利用所述第一刻蚀窗口进行光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽；在所述隔离沟槽中形成氧化物；对所述氧化硅层进行光刻及刻蚀，形成由所述氮化硅侧墙与氧化硅层围成的第二刻蚀窗口；利用所述第二刻蚀窗口对所述N型外延层进行光刻及刻蚀，从而形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱沟槽；去除所述氧化硅层及氮化硅侧墙，在所述N阱沟槽中填充多晶硅从而形成N型阱区。
双极晶体管制作方法

[发明专利]LDMOS器件及其制作方法-CN202111648572.7在审
发明人：嵇彤;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰;许静;许滨滨;王国庆 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供FDSOI衬底，所述FDSOI衬底包括由下至上依次层叠的硅衬底、埋氧化层和顶层硅；在所述FDSOI衬底上定义有源区和隔离区，并在所述隔离区形成隔离结构；在所述FDSOI衬底上定义漂移区，并在部分所述漂移区形成混合区；在含有所述埋氧化层的所述FDSOI衬底内形成第一阱区，在所述漂移区形成第二阱区；在所述第二阱区形成第一埋层和第二埋层，所述第一埋层位于所述埋氧化层与所述第二埋层之间
ldmos 器件及其制作方法

[发明专利]一种埋层沟道背照式抗辐照像元加固结构和制备方法-CN202210688398.7在审
发明人：吕智军;李婷;李海松;何杰;徐晚成;崔双韬;曹天骄;袁昕;张曼;杨靓 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种埋层沟道背照式抗辐照像元加固结构和制备方法，包括外延层；外延层上刻蚀形成STI槽，外延层上进行阱注入形成STI阱注入区与传输管阱注入区，STI槽设置在STI阱注入区中；外延层上通过离子注入分别依次形成P埋层注入区、N埋层沟道注入区和传输管阈值调整注入区；P埋层注入区与传输管阱注入区相连接；外延层的下表面淀积有栅氧化层和多晶硅栅极；外延层通过自对准注入工艺分别形成N型PD注入区、N型FD注入区和P型钳位层注入区；FD注入区的下表面淀积有FD欧姆接触金属形成欧姆接触；外延层的下表面外侧淀积有钝化层。使实际的光电子传输沟道与栅氧化层/半导体界面分离，提升像元的抗辐照能力。
一种沟道背照式抗辐照加固结构制备方法

[发明专利]一种离子注入厚膜SOI晶片材料的制备方法-CN200710034778.4有效
发明人：颜秀文;刘东明;唐景庭;程远贵;龚杰洪;刘恺;贾京英 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种离子注入厚膜SOI晶片材料的制备方法，其步骤为：清洗硅片；在硅片中形成富氧层；在一定气氛、温度和时间下进行退火，形成SiO₂埋层，顶部的非晶硅层变成多晶硅；在一定气氛、温度和时间内将顶部的多晶硅层完全氧化，得注氧片；平整注氧片的绝缘埋层表面，清洗；将注氧片与硅片，或所述注氧片与注氧片，或所述注氧片与氧化片在一定温度、真空度下键合，退火，形成“Si－SiO₂－Si”三层结构，得键合SOI本发明可精确控制SiO₂埋层的厚度、增厚绝缘埋层、提高绝缘埋层质量及界面平坦度，制得的材料可满足特种SOI器件制作的需要。
一种离子注入 soi 晶片材料制备方法

[发明专利]横向PNP晶体管的制造方法-CN201010213823.4无效
发明人：王乐 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种横向PNP晶体管的制造方法，包括：提供半导体衬底；向半导体衬底注入离子且扩散，形成N型埋层区域；在N型埋层区域上形成N型外延层；在N型外延层上形成氧化层；刻蚀氧化层和N型外延层，形成发射极开口和集电极开口，其中N型外延层未被刻穿；向发射极开口和集电极开口内填充满P型外延层，形成发射极和集电极；去除氧化层。
横向 pnp 晶体管制造方法

[发明专利]一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元-CN201110056314.X有效
发明人：张海鹏;许生根;刘怡新;吴倩倩;孔令军;汪洋;赵伟立 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p型埋层区、n型轻掺杂漂移区、p型阱区、p型欧姆接触区、n型源区、纵向栅氧化层、n型缓冲区、n型漏区、场氧区、纵向n型多晶硅栅极和金属电极引线。器件上部设置有深沟槽纵向栅氧化层、两个场氧化层、纵向n型多晶硅栅极以及金属层。本发明在n型轻掺杂漂移区与隐埋氧化层之间引入p型埋层区，当器件处于正向阻断态且漏源之间存在高压时，形成的反向偏置pn结能够承受器件绝大部分纵向耐压，提高了器件的纵向耐压性能，改善了器件电学特性的热稳定性
一种具有纵向沟道 soi nldmos 器件单元

[发明专利]一种基于全差分二维光子晶体腔体结构的MOEMS加速度计及其加工方法-CN201910572411.0有效
发明人：夏敦柱;王辛望;李锦辉;王浩 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01P15/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于全差分二维光子晶体腔体结构的MOEMS加速度计及其加工方法，加速度计由上至下依次包括光路保护层、器件层、氧化硅掩埋层和硅支撑层，其中，器件层包括MEMS敏感质量块、光学结构微腔、悬臂梁和支撑外框架，MEMS敏感质量块四周通过多个悬臂梁与支撑外框架相连，光学结构微腔对称分布于MEMS敏感质量块相对的两边上；光路保护层用于保护MEMS敏感质量块和光学结构微腔；氧化硅掩埋层用于整体结构的释放；硅支撑层用于支撑氧化硅掩埋层和器件层
一种基于全差分二维光子晶体结构 moems 加速度计及其加工方法

[发明专利]高压三维耗尽超结LDMOS器件及其制造方法-CN202010888999.3在审
发明人：张波;朱旭晗;祖健;章文通;乔明;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高压三维耗尽超结LDMOS及其制造方法，包括第二导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一和第二导电类型阱区，第一介质氧化层，第二导电类型埋层，第二介质氧化层，周期性排列的第一和第二导电类型区形成超结；所述第二导电类型埋层以及超结结构均位于第一导电类型漂移区中，其中超结位于第二导电类型埋层上方且与第二导电类型埋层相连；所述第二导电类型埋层在关态下优化器件表面电场，第二导电类型埋层和超结第二导电类型区三面包围超结第一导电类型区
高压三维耗尽 ldmos 器件及其制造方法