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[实用新型]一种方便检查印刷精度的折叠票据印刷设备-CN202121786013.8有效
发明人：潘德军;颜秀文;刘玲芝;彭智芳;王毅 -专利权人：柳州市瑞务印刷厂
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B41F17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方便检查印刷精度的折叠票据印刷设备，包括印刷设备主体与检查装置，所述印刷设备主体的顶端安装有检查装置，所述检查装置的两侧设置有调节机构，所述调节机构包括套框，所述套框的表面固定连接有固定框，且固定框的内部插设有按压杆，所述按压杆插设在固定框内部的一端固定连接有连接板。本实用新型通过设置有推动块与导向柱，通过按压按压杆，可以使连接板带动推动块在套框的内部移动，通过推动块推动限位销，可以使检查装置带动套框在导向柱的表面移动，从而可以有效的方便调节检查装置与印刷设备主体之间的间距，便于调节检查装置的照射广角，可以方便检查不同尺寸的票据印刷精度。
一种方便检查印刷精度折叠票据设备

[发明专利]连续式烧结炉的物料过程控制方法、系统、装置及介质-CN201910773591.9有效
发明人：彭天博;颜秀文;张志伟;颜林波 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： F27D19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续式烧结炉的物料过程控制方法、系统、装置、介质及设备，在盛放物料的容器经烧结炉的炉口连续进入至烧结炉内部的过程中，实时对进入至烧结炉内部的容器进行计数；根据容器尺寸以及进入烧结炉内部的容器数量，得到此批次首行容器在烧结炉内的当前位置；根据此批次首行容器所在的当前位置，调整当前位置所在的温区的工艺温度以匹配当前批次物料的烧结工艺。本发明的控制方法、系统、装置、介质及设备均具有生产效率高、自动化水平高等优点。
连续烧结炉物料过程控制方法系统装置介质

[发明专利]一种基片的定点离子注入装置及注入方法-CN201811183958.3有效
发明人：许波涛;彭立波;钟新华;程文进;颜秀文;徐松 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了基片的定点离子注入装置及注入方法，装置包括控制单元、真空腔室、基片定位装置和机器视觉系统，基片定位装置包括基片座、掩盖板、第一X轴移动机构、第二X轴移动机构、第一Y轴移动机构和第二Y轴移动机构，基片座设于第一X轴移动机构上，掩盖板设于第二X轴移动机构上，掩盖板上设有束流穿孔，机器视觉系统用于检测基片上注入点位置以及束流穿孔中心位置，掩盖板可移动以使束流穿孔的中心位置与基片上的注入点位置对正。方法包括对真空腔体抽真空；移动基片座测基片上注入点位置；移动掩盖板测束流穿孔中心位置，掩盖板移动，使束流穿孔的中心位置与注入点的位置对正；同步移动基片座和掩盖板至离子束注入口下方；启动离子束。
一种定点离子注入装置方法

[发明专利]一种真空腔体的密封门结构-CN201811189641.0在审
发明人：袁卫华;彭立波;程文进;易文杰;颜秀文;徐松;罗才旺 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： E05F15/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空腔体的密封门结构，包括门板、门板升降组机构和门板压紧机构，门板升降机构包括两个升降导轨和两个升降驱动，两个升降导轨位于真空腔体门口的两侧，升降导轨上设有滑动组件，各升降驱动的固定端分别固定在各升降导轨的一侧，各升降驱动的驱动端分别与各滑动组件连接，并驱动滑动组件在升降导轨上移动，门板压紧机构包括两个水平伸缩驱动，各水平伸缩驱动分别固定于各滑动组件上，门板固定于两个水平伸缩驱动的驱动端。本发明具有结构简单、占用空间小、自动化程度高的优点。
一种空腔密封结构

[发明专利]一种锂电材料数字化车间-CN201910773267.7在审
发明人：谢礼飞;颜秀文;肖路;段红松;张志伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电材料数字化车间，包括：数字化生产设备层，包含生产智能化设备、传输智能化设备、检验智能化设备和公共基础智能化设备；过程控制层：在智能仿真系统和基于PLC的底层过程控制系统的基础上，基于以工业以太网建立锂电材料生产车间网络系统，构建锂电池材料生产过程数据采集和监控系统，使各智能化设备达到互联和信息互通；生产执行层：以智能优化调度和质量控制为目标建立锂电池材料生产车间智能制造执行系统，实现生产进度管理、物料管理、设备管理、质量管理和智能生产调度。本发明的锂电材料数字化车间具有信息化程度高、智能化程序高、网络化水平高、生产效率高、生产成本低等优点。
智能化设备锂电锂电池材料数字化车间生产过程数据调度采集和监控工业以太网过程控制层数字化生产材料生产车间网络底层过程公共基础控制系统目标建立设备管理生产车间生产进度生产效率物料管理信息互通智能仿真智能生产智能优化智能制造设备层网络化信息化智能化质量控制构建生产成本质量管理互联传输生产检验管理

[实用新型]多反应室MOCVD反应器-CN201120169848.9有效
发明人： 颜秀文;王慧勇;魏唯;刘红江 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多反应室MOCVD反应器，属于化合物半导体光电器件的金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的装置领域，为了解决现有的MOCVD反应器均采用单腔反应室结构，导致的单批产量有限、进出取片耗时长、人工成本高的问题，该反应器包括反应室和设在该反应室一侧预备室，以及设在该反应室另一侧的取片室，所述反应室为多个，每个反应室内均放置一个作为单腔反应室独立生长的石墨托盘。本实用新型可使得MOCVD反应器的量产能力成倍增加，成本降低20％以上，能够适用于大批量LED外延生长的需要。
反应 mocvd 反应器

[发明专利]一种减少埋层空洞型SOI晶片化学机械研磨破裂的工艺-CN201110136688.2有效
发明人： 颜秀文;贾京英;朱宗树;刘咸成;蒋超 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少埋层空洞型SOI晶片化学机械研磨破裂的工艺，属于微电子材料工艺技术领域。针对埋层空洞型SOI晶片(Cavity SOI)的化学机械研磨减薄，主要步骤为：压力设定、键合、粗磨、精抛，完成埋层空洞型SOI晶片的制作。根据SOI晶片顶层硅膜的最终厚度设定键合腔内压力，以及粗磨、精抛两级化学机械抛光的步骤。通过设定键合腔内压力可以平衡化学机械研磨过程的热致顶层硅膜变形，从而避免或减少SOI晶片顶层硅膜的破裂，提高了顶层硅膜厚度一致性，很好地控制了产品质量，降低了加工成本。
一种减少空洞 soi 晶片化学机械研磨破裂工艺

[发明专利]悬喷式MOCVD反应器-CN201110160623.1有效
发明人： 颜秀文;李加军;贾京英 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够用于大批量LED外延生长的悬喷式MOCVD反应器，包括喷嘴、基座、盖板、导流孔和反应区，喷嘴置于基座中心，喷嘴包括上喷嘴和下喷嘴，下喷嘴位于上喷嘴下部，且上喷嘴和下喷嘴分别设有两个径向通道；所述基座包括大石墨盘，所述大石墨盘内沿圆周方向设有小石墨盘，各小石墨盘内沿圆周方向设有晶片衬底，大石墨盘底部设有公转驱动机构，各小石墨盘底部设有自转驱动机构；反应区腔体内壁沿圆周方向设有导流孔。本发明作为一种悬喷式MOCVD反应器，可提高薄膜沉积的均匀性和源材料利用率，延长基座石墨盘寿命，还可改进源气体引入和载气的分布，优化反应器尺寸和盖板曲面设计，抑制涡流的产生。
悬喷式 mocvd 反应器

[发明专利]绝缘体上硅晶片的制造方法-CN200910042748.7有效
发明人：蓝镇立;刘东明;颜秀文;贾京英;乔狮雄;文正 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明公开一种利用注氧隔离技术、热内氧化技术制造绝缘体上硅晶片的生产工艺，其步骤包括：1.高温第一次注入氧离子，形成连续的氧离子富含层；2.低温下第二次注入氧离子，引入晶格缺陷层；3.在高温、高氧含量的氧氩气氛中进行热内氧化工艺，加速氧原子的内扩散；4.在低氧含量的氧氩气氛中进行高温退火，以修复缺陷，形成高质量的氧化硅绝缘埋层；5.在HF溶液中漂洗，去除表面氧化层，得到最终的SOI晶片。本发明通过引入晶格缺陷层，提高了氧原子在热内氧化过程中的扩散速度，增加了连续氧化物绝缘埋层的厚度，降低了埋层的针孔密度，从而提高了绝缘体上硅晶片的质量。
绝缘体晶片制造方法

[发明专利]一种离子注入厚膜SOI晶片材料的制备方法-CN200710034778.4有效
发明人： 颜秀文;刘东明;唐景庭;程远贵;龚杰洪;刘恺;贾京英 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种离子注入厚膜SOI晶片材料的制备方法，其步骤为：清洗硅片；在硅片中形成富氧层；在一定气氛、温度和时间下进行退火，形成SiO₂埋层，顶部的非晶硅层变成多晶硅；在一定气氛、温度和时间内将顶部的多晶硅层完全氧化，得注氧片；平整注氧片的绝缘埋层表面，清洗；将注氧片与硅片，或所述注氧片与注氧片，或所述注氧片与氧化片在一定温度、真空度下键合，退火，形成“Si－SiO₂－Si”三层结构，得键合SOI材料；减薄，使硅膜厚度达到顶层硅厚度要求，抛光，清洗，即得。本发明可精确控制SiO₂埋层的厚度、增厚绝缘埋层、提高绝缘埋层质量及界面平坦度，制得的材料可满足特种SOI器件制作的需要。
一种离子注入 soi 晶片材料制备方法

[发明专利]一种纳米真空修复剂及其制备和应用-CN200610038515.6无效
发明人： 颜秀文;丘泰;张振忠;李晓云 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米真空修复剂及其制备和应用。本发明利用纳米金属粉体的小尺寸效应和有机－纳米金属粉体复合技术，来降低纳米金属粉体的熔点，实现纳米金属粉体在较低温度下与基体发生扩散、填隙和反应等多重作用形成牢固致密的结合层从而实现真空修复。其制备工艺包括纳米金属粉体的制备、纳米金属粉体的分散和有机－纳米金属粉体的复合三个部分。该修复剂具有结合强度高、耐温性、气密性好等优点。
一种纳米真空修复及其制备应用

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