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[发明专利]一种硅异质结光伏电池及其制造方法-CN201811034073.7有效
发明人：管先炳 -专利权人：苏州元联科技创业园管理有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅异质结光伏电池及其制造方法，该方法包括以下步骤：对所述N型单晶硅片进行双面制绒处理；在所述N型单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层、第四P型非晶硅层；接着在所述N型单晶硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶硅层、第三N型非晶硅层以及第四N型非晶硅层；接着在所述第四P型非晶硅层上沉积第一透明导电层，接着在所述第四N型非晶硅层上沉积第二透明导电层；接着在所述第一透明导电层上沉积正面电极，并在所述第二透明导电层上沉积背面电极。
沉积透明导电层本征非晶硅层光伏电池硅异质结背面电极正面电极制绒处理上表面下表面制造

[发明专利]太阳电池及其制备方法-CN202310132510.3在审
发明人：韩宗谕;徐磊;王金 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳电池及其制备方法，制备方法包括：在单晶硅衬底正面和背面分别沉积第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；在第一本征非晶硅层上沉积n型掺杂非晶硅层；在第二本征非晶硅层上沉积p型掺杂非晶硅层；在n型掺杂非晶硅层上沉积n型掺杂微晶硅层；在p型掺杂非晶硅层上沉积p型掺杂微晶硅层；沉积n型掺杂微晶硅层和p型掺杂微晶硅层的气体压力为3Torr～5Torr，SiH4、掺杂气体和H2的流量比为1：(1～1.5)：(150～200)，启辉功率为2000W～3500W，启辉时间为100s～230s；利用碱溶液对n型掺杂微晶硅层和p型掺杂微晶硅层进行碱抛。
太阳电池及其制备方法

[实用新型]背接触异质结太阳电池-CN201620043004.2有效
发明人：包健;王栋良;舒欣;陈奕峰;杨阳;张学玲 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2016-01-16 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背接触异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于：在硅基体层的前表面依次设置前表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，所述P型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，N型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，相邻的P型非晶硅层的中心点与N型非晶硅层的中心点间隔150‑3000μm，在所述P型非晶硅层与N型非晶硅层之间设置有绝缘隔离层。
接触异质结太阳电池

[发明专利]多结太阳能电池及其形成方法和设备-CN200710165351.8无效
发明人：崔寿永;蔡容基;盛殊然 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：该方法包括：形成第一p－i－n结，包括形成p型非晶硅层；在该p型非晶硅层上形成本征型非晶硅层；及在该本征型非晶硅层上形成n型微晶硅层；以及在该第一p－i－n结上形成第二p－i－n结，包括形成p型微晶硅层；在该p型微晶硅层上形成本征型微晶硅层；及在该本征型微晶硅层上形成n型非晶硅层。
太阳能电池及其形成方法设备

[发明专利]薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池-CN201210041796.6无效
发明人：包健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池，具有N型晶体硅基体，N型晶体硅基体背面沉积有厚度为2～10nm的背面非晶硅本征层，背面非晶硅本征层的背面钝化后沉积有厚度为5～15nm的N型微晶硅层，N型晶体硅基体正面沉积有厚度为2～10nm的正面第一非晶硅本征层，正面第一非晶硅本征层的正面钝化后沉积有厚度为10～20nm的P型微晶硅层，P型微晶硅层正面依次沉积有厚度为5～15nm的N型非晶硅层、厚度为50～200nm的正面第二非晶硅本征层、厚度为10～20nm的P型非晶硅层。本发明可以减少非晶硅本征薄膜的厚度，可以提高对太阳光的利用率，从而提升太阳能电池的效率。
薄膜非晶硅晶体硅异质结叠层太阳能电池

[实用新型]一种基于氧化锡前电极的非晶硅薄膜电池-CN201120118803.9有效
发明人：吴兴坤;李媛;曹松峰 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氧化锡前电极的非晶硅薄膜电池，属于非晶硅薄膜电池技术领域，其是由包括氧化锡前电极薄膜的氧化锡基板、第一非晶硅P型层、第二非晶硅P型层、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层、非晶硅Ｎ型层和背电极层依次复合构成，所述的第一非晶硅P型层、第二非晶硅P型层、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层、非晶硅Ｎ型层构成非晶硅发电层，所述的第一非晶硅P型层采用无氢沉积，第二非晶硅P型层采用有氢沉积。该结构的非晶硅薄膜电池可在不改变现有的生产流程和不引进额外的生产设备的情况下对现有工艺进行调整，有利于制造时提高薄膜的沉积速度，缩短氧化锡暴露在氢等离子体中的时间，从而起到相似的保护氧化锡薄膜的作用。且该非晶硅薄膜电池的功率最大能提高8W。
一种基于氧化电极非晶硅薄膜电池

[发明专利]P型单晶硅HIT光伏电池及其制造方法-CN201811039122.6有效
发明人：管先炳 -专利权人：山西潞阳光伏科技有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型单晶硅HIT光伏电池的制造方法，该方法包括以下步骤：对所述P型单晶硅片进行双面制绒处理，在所述P型单晶硅片的上表面和下表面均形成绒面层；在所述P型单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶硅层、第三N型非晶硅层以及第四N型非晶硅层；在所述P型单晶硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层以及第四P型非晶硅层；在所述第四N型非晶硅层上沉积第一透明导电层，接着在所述第四P型非晶硅层上沉积第二透明导电层；在所述第一透明导电层上沉积正面电极，并在所述第二透明导电层上沉积背面电极。
单晶硅 hit 电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能电池的制造方法-CN200810169547.9无效
发明人：木下敏宏 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：i型非晶硅层(14)和p型非晶硅层(15)进入n型单晶硅基板(11)具有的贯通孔内；i型非晶硅层(12)和n型非晶硅层(13)进入n型单晶硅基板(11)具有的贯通孔内。贯通孔的内壁面被i型非晶硅层(14)和i型非晶硅层(12)覆盖。
太阳能电池模块制造方法

[发明专利]P型硅衬底异质结电池-CN201310134091.3有效
发明人：包健;郭万武;余冬冬 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型硅衬底异质结电池，它包括一P型晶体硅衬底层、一本征非晶硅层、一N型非晶硅层、一P型非晶硅掺杂层、一第一透明导电层、一上电极层、一本征非晶硅锗钝化层、一第二透明导电层和一背电极层，P型晶体硅衬底层具有一正面和一背面；本征非晶硅层沉积在P型晶体硅衬底层的正面上；N型非晶硅层沉积在本征非晶硅层的上表面上；第一透明导电层位于N型非晶硅层的上表面上；本征非晶硅锗钝化层沉积在P型晶体硅衬底层的背面上；P型非晶硅掺杂层沉积在本征非晶硅锗钝化层的下表面上；第二透明导电层位于P型非晶硅掺杂层的下表面上；背电极层位于第二透明导电层的下表面上并通过第二透明导电层与P型非晶硅掺杂层电性连接。
衬底异质结电池

[发明专利]基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法-CN201280076634.4在审
发明人：郑彩焕;李善和;柳相;金昊星;夫性才 -专利权人：韩国生产技术研究院
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明的一个实施例涉及基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，要解决的技术问题为借助电子束使形成于低价型基板上的非晶硅薄膜结晶化而实现由于结晶率高而可容易实现高品质为此，本发明的一个实施例提供一种基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，上述方法包括准备基板的基板准备步骤；第1+型非晶硅层沉积步骤，在基板上形成第1+型非晶硅层；第1型非晶硅层沉积步骤，在第1+型非晶硅层上形成第1型非晶硅层；吸收层形成步骤，向第1型非晶硅层照射线性电子束，使第1型非晶硅层和第1+型非晶硅层结晶化而形成吸收层；第2型非晶硅层沉积步骤，在吸收层上形成第2型非晶硅层；以及发射极层形成步骤，向第2型非晶硅层照射线性电子束，使第2型非晶硅层结晶化而形成发射极层，线性电子束以在第1型非晶硅层和第2型非晶硅层上进行规定区间的往复运动的线性扫描方式进行照射。
基于利用线性电子束大面积非晶硅薄膜结晶方法多晶太阳能电池制造

[发明专利]用于为具有降低的光致衰退的光伏器件淀积非晶硅膜以改进稳定性能的方法-CN200980134039.X无效
发明人： S·贝纳格利;D·博雷洛;E·瓦拉特-索瓦因;J·迈尔;U·克罗尔 -专利权人：欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫)
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：通过用于制造p-i-n结半导体层堆叠的方法实现在衬底上的薄膜光伏器件，该堆叠具有p型微晶硅层、p型非晶硅层、选包括本征非晶硅的缓冲硅层、本征型非晶硅层以及在本征型非晶硅层上的n型硅层。
用于具有降低衰退器件淀积非晶硅膜改进稳定性能方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201711241070.6在审
发明人：杨苗;郁操;徐希翔 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，其中该电池包括晶硅基底，晶硅基底的正面设置有第一本征非晶硅层；第一本征非晶硅层上设置有第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层；第一N型非晶硅层上设置有第一负电极，第一P型非晶硅层上设置有第一正电极；晶硅基底的反面设置有第二本征非晶硅层；第二本征非晶硅层上设置有第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层；第二N型非晶硅层上设置有第二负电极，第二P型非晶硅层上设置有第二正电极本发明提供的异质结太阳能电池，通过在一个晶硅基底的正反面均设置正极和负极，使相邻两个电池芯片总成通过较小的焊带即可实现串联，减小了串联电阻，提升了光电转化效率。
本征非晶硅层晶硅基异质结太阳能电池负电极正电极制备光电转化效率正极串联电阻电池芯片反面设置正面设置负极正反面焊带减小串联电池

[实用新型]异质结太阳能电池-CN201721642375.3有效
发明人：杨苗;郁操;徐希翔 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶硅基底，晶硅基底的正面设置有第一本征非晶硅层；第一本征非晶硅层上设置有第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层；第一N型非晶硅层上设置有第一负电极，第一P型非晶硅层上设置有第一正电极；晶硅基底的反面设置有第二本征非晶硅层；第二本征非晶硅层上设置有第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层；第二N型非晶硅层上设置有第二负电极，第二P型非晶硅层上设置有第二正电极。本实用新型提供的异质结太阳能电池，通过在一个晶硅基底的正反面均设置正极和负极，使相邻两个电池芯片总成通过较小的焊带即可实现串联，减小了串联电阻，提升了光电转化效率。
本征非晶硅层晶硅基异质结太阳能电池本实用新型负电极正电极光电转化效率正极串联电阻电池芯片反面设置正面设置负极正反面焊带减小串联

[发明专利]非晶硅PIN光电池及其制备方法-CN201510670067.0在审
发明人：陈平;卢亚宾;刘伟伟;张振中;李博研;赵东旭;林列 -专利权人：南开大学
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种非晶硅PIN光电池，包括依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层、p型非晶硅层和亚微米银颗粒层。上述非晶硅PIN光电池，当亚微米银颗粒被入射光激发时，其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振效应，通过将亚微米银颗粒与依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层和p型非晶硅层结合相互作用，能够有效提高非晶硅此外，还提供一种非晶硅PIN光电池的制备方法。
非晶硅 pin 光电池及其制备方法

[发明专利]全背型异质结太阳电池及其制备方法-CN201610028152.1有效
发明人：包健;王栋良;舒欣;陈奕峰;杨阳;张学玲 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2016-01-16 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种全背型异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于在硅基体层的前表面依次设置前N型表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，所述P型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，N型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，相邻的P型非晶硅层的中心点与N型非晶硅层的中心点间隔150‑3000μm，在所述P型非晶硅层与N型非晶硅层之间设置有绝缘隔离层。本发明还公开了一种全背型异质结太阳电池的制备方法。本发明可防止漏电流的产生，提升太阳电池的开路电压。
接触异质结太阳电池及其制备方法