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[发明专利]一种高转换效率异质结器件-CN201911352677.0在审
发明人：马立云;姚婷婷;李刚;沈洪雪;彭赛奥;金克武;王天齐;杨扬;王东;汤永康;甘治平;时君;黄海青;程国送 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开一种高转换效率异质结器件，包括p型晶硅衬底，所述p型晶硅衬底的底面设有背电极，p型晶硅衬底的顶面由下至上依次层叠有n型发射膜层、透明导电层与前电极，所述p型晶硅衬底的顶面呈凹凸的绒面结构；该异质结器件具有晶格匹配好
一种转换效率异质结器件

[发明专利]漂移型非晶硅光电阴极-CN90109222.3无效
发明人：海宇涵;陈远星;臧宝翠 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 1990-11-19 - 公布日： 1994-04-13 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：漂移型非晶硅光电阴极是在基片1上涂复透明导电膜2，在透明导电膜2上沉积n型和p型非晶硅膜，在P型非晶硅膜4上蒸涂铝或银膜，在铝或银膜5上复盖铯氧敏化层。本发明量子效率容易超过扩散型非晶硅光电阻极两个数量级，可用在光电倍增管，象增强管等光电器件中。
漂移型非晶硅光电阴极

[实用新型]一种低界面态异质结光伏器件-CN201922357381.X有效
发明人：马立云;姚婷婷;李刚;沈洪雪;彭赛奥;金克武;王天齐;杨扬;王东;汤永康;甘治平;时君;黄海青;程国送 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低界面态异质结光伏器件，包括p型晶硅衬底，所述p型晶硅衬底的底面设有背电极，p型晶硅衬底的顶面由下至上依次层叠有n型发射膜层、透明导电层与前电极，所述p型晶硅衬底的顶面呈凹凸的绒面结构
一种界面态异质结光伏器件

[发明专利]异质接面太阳能电池及其制造方法-CN201611119537.5在审
发明人：黃玉君;吴春森;翁敏航;叶昌鑫;田伟辰 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种异质接面太阳能电池，包含：配置于半导体基板相对两侧的第一本质非晶硅层与第二本质非晶硅层、配置于第一本质非晶硅层上的P型非晶硅层、配置于第二本质非晶硅层上的N型非晶硅层、配置于P型非晶硅层上的第一透明导电层、配置于N型非晶硅层上的第二透明导电层、配置于第一透明导电层上的多个电极线及覆盖第二透明导电层的电极层。
透明导电层太阳能电池非晶硅层异质接面配置电极层短波长光电转换效率半导体基板短路电流二次吸收光线反射技术功效相对两侧电极线太阳光覆盖制造

[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[发明专利]一种背接触异质结太阳能电池制作方法-CN201811062000.9在审
发明人：谢志刚;张超华;王树林;林朝晖 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其包括：提供N型硅片；在所述硅片的正面依次镀钝化膜层、增透层；在所述硅片的背面依次镀本征非晶硅层、P型非晶硅层；在所述硅片的背面形成蚀刻区域，移除蚀刻区域的本征非晶硅和P型非晶硅层；在硅片背面依次镀本征非晶硅层、N型非晶硅和绝缘层；在所述硅片的背面移除蚀刻区域的绝缘层、N型非晶硅层、本征非晶硅层；在所述硅片的背面移除蚀刻区域的绝缘层；在所述硅片的背面镀透明导电膜层；在所述硅片的背面去除印刷区域的透明导电膜层
一种接触异质结太阳能电池制作方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201711132081.0在审
发明人：王进;彭福国;胡德政;徐希翔;李沅民 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，其中，该制备方法包括在晶体硅的正面沉积第一本征非晶硅层；在第一本征非晶硅层上沉积N型非晶硅层；在晶体硅的背面沉积第二本征非晶硅层；在第二本征非晶硅层上沉积P型非晶硅层；在N型非晶硅层的表面和P型非晶硅层的表面分别沉积透明导电膜层；在晶体硅的正面和背面的透明导电膜层上分别沉积银薄层；在晶体硅的正面和背面的银薄层上分别丝网印刷形成主栅线电极。
沉积本征非晶硅层晶体硅银薄层主栅线异质结太阳能电池制备透明导电膜层电极太阳能光伏组件电极固化焊接拉力丝网印刷正面沉积银浆料树脂背面

[发明专利]一种由非晶硅/晶体硅/β-FeSi₂组成的异质结太阳电池-CN201110341021.6无效
发明人：张群芳 -专利权人：常州合特光电有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种由非晶硅/晶体硅/β-FeSi2组成的异质结太阳电池，其特征在于：包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、p+型非晶硅层、p型晶体硅层、i型β-FeSi2层、n+型非晶硅层和背金属电极本发明的太阳电池，非晶硅层具有宽的禁带宽度，同时对电池表面形成良好的表面钝化，使得电池开路电压增大，温度系数降低，高温性能明显改善；窄带隙的β-FeSi2与晶体硅同时作为光吸收层，有效拓展了晶硅电池的光谱响应范围，特别是长波段光响应，提高了电池的短路电流；由于β-FeSi2的光吸收系数高，所需厚度小，并能进一步减小晶硅层厚度，降低材料成本。
一种非晶硅晶体 fesi sub 组成异质结太阳电池

[实用新型]一种N型topcon电池-CN202221509799.3有效
发明人：陈炎;于元元;万义茂 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种N型topcon电池，属于电池技术领域。该N型topcon电池包括N型硅基底，以及于用于在N型硅基底的背面，由内至外依次设置的非氢化氧化硅薄膜层、本征非晶硅层和掺杂非晶硅层；其中，非氢化氧化硅薄膜层的厚度为1‑2nm，本征非晶硅层的厚度为55‑65nm，掺杂非晶硅层的厚度为55‑65nm。上述N型topcon电池结构简单，成本较低，安全性高，具有良好的背面钝化效果，适于工业化生产。
一种 topcon 电池

[发明专利]太阳能电池的制造方法及其结构-CN201210476755.X无效
发明人：郁操;牛新伟;陈晨 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了的太阳能电池的制造方法，所述方法采用C-O共掺的方法制备非晶硅单结薄膜电池、非晶硅/非晶硅锗或非晶硅/微晶硅等硅基薄膜太阳电池中非晶硅顶电池的非晶P型掺杂层。本发明的方法以及太阳能电池结构可以有效解决目前硅氧制备的非晶P型掺杂层中存在的光学带隙和导电特性之间的矛盾，提高太阳能电池的稳定性及其光电转换效率。
太阳能电池制造方法及其结构

[实用新型]薄膜太阳能电池-CN201020270941.4无效
发明人：赵一辉;贺方涓 -专利权人：河南阿格斯新能源有限公司
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池，其结构为：衬底层/背电极层/P型铜铟镓硒薄膜层/N型铜铟镓硒缓冲层/P+层/P型非晶硅层/I型非晶硅层/N型非晶硅层/N+层/TCO层。本实用新型薄膜太阳能电池的非晶硅P-I-N结层厚度设计合理，近红外光谱能量能够被铜铟镓硒P-N结层充分吸收，因此薄膜太阳能电池的功率大大提高。另外，在非晶硅P-I-N结层的P型非晶硅层和N型非晶硅层外分别设置了极薄而重掺杂的P+层和N+层，加强了I型非晶硅层中的电场强度，提高了太阳能电池的功率。
薄膜太阳能电池

[实用新型]一种高光电转换效率的HJT电池-CN202120367433.6有效
发明人：王锦乐;肖俊峰 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司;通威太阳能（合肥）有限公司;通威太阳能（金堂）有限公司;通威太阳能（眉山）有限公司;通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型的HJT电池包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面依次设置第二本征非晶硅层、第二SiO2层、第二C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂N型层、第二TCO导电层和第二电极；所述N型晶体硅片的背面依次设置第一本征非晶硅层、第一SiO2层、第一C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂P型层、第一TCO导电层和第一电极，非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层和重掺B非晶硅层。本实用新型制备而成的异质结太阳电池，光电转换效率可提高至24.3％以上，短路电流和开路电压提升明显，可以有效提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。
一种光电转换效率 hjt 电池

[发明专利]一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110175285.2在审
发明人：王锦乐;肖俊峰 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司;通威太阳能（合肥）有限公司;通威太阳能（金堂）有限公司;通威太阳能（眉山）有限公司;通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明的电池N型晶体硅片的正面依次设置薄层SiO2层、氢化非晶碳氧化硅薄膜层、C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂N型层、TCO导电层和电极；背面依次设置薄层SiO2层、氢化非晶碳氧化硅薄膜层、C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂P型层、TCO导电层和电极非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层和重掺B非晶硅层。本发明以氢化非晶碳氧化硅薄膜作为本征钝化层的异质结太阳电池，实现对晶硅表面优良的钝化效果，减少界面载流子复合；同时采用改进的双扩B工艺，防止B2H6掺杂时B原子向本征非晶硅层扩散带来的禁带宽度的降低和不必要的钝化膜掺杂，提升硅异质结电池的转换效率。
一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种晶硅PERC电池结构及其制备方法-CN202110561679.1在审
发明人：杨飞飞;张波;鲁贵林;赵科巍;张云鹏;吕爱武;杜泽霖;李陈阳 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2021-05-23 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅PERC电池生产领域。一种晶硅PERC电池结构，该晶硅PERC电池从下至上依次为全铝背场或铝栅线（2）、背面钝化膜（3）、基体P型硅（6）、N型发射极（7）、正面钝化膜（9），晶硅PERC电池背面有背面激光开槽（5），背面激光开槽（5）中印刷有背银电极（1），晶硅PERC电池正面的N型发射极（7）和正面钝化膜（9）上有正面激光镂空槽（8），正面激光镂空槽（8）处有正面一次印刷银电极（10）和正面二次印刷银电极（11）。本发还涉及该晶硅PERC电池结构的生产方法。
一种 perc 电池结构及其制备方法

[发明专利]一种改善非晶硅叠层太阳能电池开路电压的方法-CN201410824368.X有效
发明人：李媛;吴兴坤;周丽萍;刘金智 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善非晶硅叠层太阳能电池开路电压的方法，属于太阳能电池技术领域。本发明将现有非晶硅叠层电池中底电池P型层结构改变为包括底电池非晶硅P1层、底电池非晶硅P2层、底电池非晶硅P3层的三P型层结构，该三层结构均为掺杂硼和碳的非晶硅材料层，且电池非晶硅P1层、底电池非晶硅P2层、底电池非晶硅P3层的碳掺杂量依次增加。改善了底电池与顶电池的界面接触，增强了内建电场，使得非晶硅叠层电池的开路电压大大增加，同时提高了非晶硅叠层电池的光电转换效率。相对于现有的非晶硅叠层太阳能电池，采用本发明的方法，使非晶硅叠层太阳能电池的开路电压最高提高了10.5V。
一种改善非晶硅叠层太阳能电池开路电压方法