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[实用新型]用于测试垂直腔面发射激光器VCSEL的治具及系统-CN201821776474.5有效
发明人：吴炳乾;黄鹤 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于测试垂直腔面发射激光器VCSEL的治具，包括：治具本体，设于治具本体的用于放置待测垂直腔面发射激光器VCSEL的测试槽，以及设于治具本体且一端均设于测试槽的用于与待测垂直腔面发射激光器测试时，无需手动连接电极，只需将治具的导电端子接入电源电路后，将垂直腔面发射激光器VCSEL放置于测试槽中，垂直腔面发射激光器VCSEL的电极焊板即通过测试槽中导电端子的一端与电源导通，测试完毕后取出，装卸方便，有效简化了垂直腔面发射激光器VCSEL的测试。本实用新型还提供一种用于测试垂直腔面发射激光器VCSEL的系统，具有上述有益效果。
垂直腔面发射激光器测试测试槽治具本体电极治具本实用新型导电端子负极导电端子正极导电端子电源导通接入电源手动连接装卸方便导通焊板电路取出

[发明专利]一种激光器芯片及其制造方法与应用-CN202010314651.3在审
发明人：霍轶杰;张成;刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明提出一种激光器芯片，包括，至少两个垂直腔面发射激光器阵列，所述至少两个垂直腔面发射激光器阵列的发光孔的孔径不同，每一所述垂直腔面发射激光器阵列包括至少两个垂直腔面发射激光器；其中，所述垂直腔面发射激光器包括本发明提出的激光器芯片可以提高光输出功率。
一种激光器芯片及其制造方法应用

[发明专利]集成高对比光栅的光束整形垂直腔面发射激光器及其模拟方法-CN201910981884.6在审
发明人：邱平平;李明;阚强 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种集成高对比光栅的光束整形垂直腔面发射激光器及其模拟方法，所述光束整形垂直腔面发射激光器由垂直腔面发射激光器和高对比光栅组成，通过调节光栅面积和垂直腔面发射激光器的氧化孔大小获得不同形状输出光束。
垂直腔面发射激光器光栅光束整形高对比光束整形系统光束输出输出光束面积和氧化孔双瓣外部

[发明专利]基于量子点垂直腔面发射激光器的窄线宽集成光源-CN202210578830.7在审
发明人：丁颖;仇伯仓;冯晓强;朱兵兵 -专利权人：南通三彩集成光电科技有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于量子点垂直腔面发射激光器的窄线宽集成光源，包括量子点垂直腔面发射激光器、耦合透镜单元和量子点光放大器；量子点垂直腔面发射激光器贴装在用于翻转跳线的第一热沉基板上；量子点垂直腔面发射激光器与第一热沉基板固定于第二热沉基板上，量子点光放大器贴装于第二热沉基板上；耦合透镜单元设置于量子点垂直腔面发射激光器与量子点光放大器之间，且固定于第二热沉基板上；量子点垂直腔面发射激光器输出的激光通过耦合透镜单元耦合输入量子点光放大器，量子点光放大器对输入的窄线宽激光进行放大本发明实现了量子点垂直腔面发射激光器光源和量子点光放大器的集成，光源的功率和线宽得到优化，适合未来的大规模集成应用。
基于量子垂直发射激光器窄线宽集成光源

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器装置-CN201910946101.0在审
发明人：刘国旭 -专利权人：北京易美新创科技有限公司
申请日： 2019-10-02 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01S5/02253 文献下载
摘要：本发明涉及激光器装置技术领域，提供了一种垂直腔面发射激光器装置，包括基座，基座上设有阶梯型支撑部；阶梯型支撑部上设有透镜接触面，透镜接触面的一侧端部设有透镜限位面，透镜接触面的另一侧端部设有透镜支撑面；透镜支撑面和光学透镜及基座之间形成监测空间，监测空间内设有用于发射激光的垂直腔面发射激光器，监测空间内设有用于监测光学透镜是否脱落的光监测器。垂直腔面发射激光器发出的激光在穿过光学透镜时，会有部分光反射回至光监测器上，光监测器根据反射回的光进行判断光学透镜是否脱落。当监测到光学透镜脱落时，垂直腔面发射激光器停止发射激光，避免垂直腔面发射激光器发出的激光对人眼造成伤害。
一种垂直发射激光器装置

[实用新型]一种垂直腔面发射激光器装置-CN201921659778.8有效
发明人：刘国旭 -专利权人：北京易美新创科技有限公司
申请日： 2019-10-02 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本实用新型涉及激光器装置技术领域，提供了一种垂直腔面发射激光器装置，包括基座，基座上设有阶梯型支撑部；阶梯型支撑部上设有透镜接触面，透镜接触面的一侧端部设有透镜限位面，透镜接触面的另一侧端部设有透镜支撑面；透镜支撑面和光学透镜及基座之间形成监测空间，监测空间内设有用于发射激光的垂直腔面发射激光器，监测空间内设有用于监测光学透镜是否脱落的光监测器。垂直腔面发射激光器发出的激光在穿过光学透镜时，会有部分光反射回至光监测器上，光监测器根据反射回的光进行判断光学透镜是否脱落。当监测到光学透镜脱落时，垂直腔面发射激光器停止发射激光，避免垂直腔面发射激光器发出的激光对人眼造成伤害。
一种垂直发射激光器装置

[发明专利]基底转移垂直腔面发射激光器及其制造方法-CN202010059560.X在审
发明人：沈志强 -专利权人：浙江博升光电科技有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请公开了一种基底转移垂直腔面发射激光器及其制造方法，所述的基底转移垂直腔面发射激光器的结构包括：导电散热基板；金属黏贴层；垂直腔面发射器薄膜芯片。所述导电散热基板的第一面通过金属黏贴层粘接垂直腔面发生激光器薄膜芯片，所述导电散热基板的第二面及所述垂直腔面发生激光器薄膜芯片背离所述导电散热基板的一侧分别设置有连接电极，所述第一面与所述第二面为所述导电散热基板相背的两面导电散热基板为导热性能优异的材料，利于垂直腔面发生激光器薄膜芯片散热。因此，本发明显著提高了垂直腔面发生激光器薄膜芯片的发光效率。
基底转移垂直发射激光器及其制造方法

[发明专利]微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法-CN200610112935.4无效
发明人：高建霞;宋国峰;甘巧强;陈良惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-09-13 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一普通垂直腔面发射激光器，该激光器包括，N面电极、出光腔面、出光孔、P面电极；步骤2：在普通垂直腔面发射激光器的出光腔面上制备增透膜；步骤3：利用聚焦离子束刻蚀技术刻蚀掉P面电极上的增透膜；步骤4：在出光腔面上的增透膜上和P面电极上制备金属膜；步骤5：在出光孔上刻蚀出亚波长尺寸的微小孔，完成微小孔垂直腔面发射激光器的制作。
微小垂直发射激光器制备方法

[发明专利]微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构-CN201210171262.5无效
发明人：张祥伟;宁永强;秦莉;刘云;王立军 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构，属于半导体光电子学技术领域，为提高现有高功率垂直腔面发射激光器光束的相干度，本发明提供微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构，包括多个微透镜集成垂直腔面发射激光器，所述每个微透镜集成垂直腔面发射激光器由上至下为n面电极、衬底、缓冲层、n型DBR层、有源区、氧化限制层、p型DBR层、欧姆接触层和金属栅格电极；所述衬底上面腐蚀成微透镜；在所述有源区向下至金属栅格电极两侧设置钝化层本发明是阵列单元之间相干耦合输出的高功率垂直腔面发射激光器阵列，具有良好的光束相干性，在激光探测、激光雷达成像、激光加工、激光操控、激光武器等应用领域具有潜在的价值。
透镜集成垂直发射激光器相干控制阵列结构

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法-CN202110388186.2有效
发明人：李豫东;陈加伟;玛丽娅·黑尼;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-04-10 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量垂直腔面发射激光器的光功率随电流变化关系，对垂直腔面发射激光器荧光模式和激光模式区域的数据通过线性拟合获得阈值电流，此外，还需测量垂直腔面发射激光器的光谱，进一步，利用阈值电流和工作波长获得外量子效率随注入电流的变化规律本发明有以下优点：考虑了注入电流使得波长发生红移这一因素，计算结果精确度更高；能够方便测量封装或未封装的垂直腔面发射激光器外量子效率，可用于分析芯片结构和封装结构对垂直腔面发射激光器外量子效率的影响。
一种垂直发射激光器量子效率测试方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制作方法-CN201910724237.7在审
发明人：刘安金;杨礴 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，该垂直腔面发射激光器包括衬底，缓冲层，下DBR，有源层，电流限制孔径，电流扩散层，非掺杂悬浮型HCG层，n侧电极和p侧电极。本发明减小了垂直腔面发射激光器的材料外延难度，提高了材料生长的普适性，同时降低了自由载流子吸收，提高了器件输出效率，还具有偏振选择和单模输出特性，且能扩展成可调谐垂直腔面发射激光器。本发明的垂直腔面发射激光器可应用于光通讯、光互连、光学传感、医疗成像等领域。
垂直腔面发射激光器可调谐垂直腔面发射激光器电流扩散层自由载流子材料生长材料外延电流限制光学传感偏振选择输出特性输出效率医疗成像非掺杂光互连光通讯缓冲层普适性悬浮型衬底单模减小源层制作吸收应用

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器快速老化方法及装置-CN202010406606.0有效
发明人：高逸群;许聪基;向宇;岳光礼 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器快速老化方法，对晶圆上的各垂直腔面发射激光器分别进行单次大电流脉冲老化与光老化相组合的组合老化；所述单次大电流脉冲老化具体为：对垂直腔面发射激光器施加脉冲宽度不大于0.5ms，电流大小为Ith+Is的电流脉冲，Ith为所述垂直腔面发射激光器的阈值电流，Is的取值范围为45mA～60 mA；所述光老化具体为：对垂直腔面发射激光器施加5‑12小时的光老化驱动电流，所述光老化驱动电流为所述垂直腔面发射激光器的发光功率本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器快速老化装置。本发明在确保能提前发现各类型缺陷芯片，从而降低用户使用风险的同时，还可大幅降低老化成本。
一种垂直发射激光器快速老化方法装置

[实用新型]带有垂直腔面发射激光器的红点瞄准系统及全息瞄准系统-CN202121192539.3有效
发明人：朱兵兵;康庆;陈小毛 -专利权人：三序光学科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： F41G1/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有垂直腔面发射激光器的红点瞄准系统，包括若干垂直腔面发射激光器、分划板和析光镜；分划板上具有供光线通过的图案区；若干垂直腔面发射激光器按照所述图案区的形状进行排布，并设置在分划板的前方；若干垂直腔面发射激光器排布所形成的图案与图案区的形状相匹配；析光镜位于分划板的斜上方，且析光镜的凹面面对所述分划板，析光镜的凹面上镀有一层或多层吸光膜。本实用新型还涉及一种带有垂直腔面发射激光器的全息瞄准系统。本发明的带有垂直腔面发射激光器的红点瞄准系统及全息瞄准系统，垂直腔面发射激光器排列与分划板的透过区域，大部分的光线透过分划板的透过区域，被后面的光学系统利用，光效高。
带有垂直发射激光器瞄准系统全息

[发明专利]多层多区垂直腔面发射激光器装置-CN202010106042.9有效
发明人：沈志强 -专利权人：浙江博升光电科技有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本申请公开了一种多层多区垂直腔面发射激光器装置，包括垂直腔面发射激光器层，所述垂直腔面发射激光器层包括至少两个区域，每一区域至少具有一个垂直腔面发射激光器；所述垂直腔面发射激光器层上设置有至少两层第一电极层，相邻所示第一电极层之间设置有绝缘层，所述绝缘层将所述至少两层第一电极层分隔为与所述区域数量一致的连接电极，所述连接电极与所述区域一一对应；每一所述区域内，所述垂直腔面发射激光器的第一电极与该区域对应的连接电极电连接该方案减小了
多层垂直发射激光器装置

[发明专利]垂直腔面发射激光器及电子设备-CN202310664239.8有效
发明人：周德来;肖岩 -专利权人：深圳市柠檬光子科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请涉及一种垂直腔面发射激光器及电子设备。垂直腔面发射激光器包括依次层叠设置的N型导电反射层、有源层和P型导电反射层，所述垂直腔面发射激光器设有空槽，在由所述P型导电反射层指向所述N型导电反射层的方向上，所述空槽至少贯穿所述P型导电反射层；所述垂直腔面发射激光器还包括输电电极上述垂直腔面发射激光器，有利于提升单个垂直腔面发射激光器的发光功率和空间利用效率，也能够提升发光的均匀性。
垂直发射激光器电子设备