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[发明专利]一种核电厂含硼介质热交换器泄漏率的测量方法-CN202111151489.9在审
发明人：顾叶剑;张文兴;庞振华;陈聂斌;甄少宇;朱昌荣 -专利权人：中核核电运行管理有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G01M3/20 文献下载
摘要：本发明属于核电厂化学领域，具体涉及一种核电厂含硼介质热交换器泄漏率的测量方法，包括：判断是否适用；泄漏从含硼测向非含硼测产生，通过ICP‑MS对泄漏后非含硼侧进行微量硼测定。计算泄漏率。本发明的有益效果在于：本发明利用ICP‑MS对硼元素的超低检出限及高灵敏检测性，可以有效、准确、快速判断含硼体系含硼侧相关泄漏情况，并通过泄漏率计算公式计算得到该泄漏率。
一种核电厂介质热交换器泄漏测量方法

[发明专利]非水电解液及含有该非水电解液的二次电池-CN200580029351.4有效
发明人：森川敬元;尾浦孝文;大塚敦;木下信一;古田土稔 -专利权人：松下电器产业株式会社;三菱化学株式会社
申请日： 2005-08-29 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01M10/40 文献下载
摘要：本发明提供一种非水电解液，所述非水电解液含有非水溶剂、溶解于非水溶剂中的溶质及被氢化的三联苯，其中，溶质由含硼的碱金属盐及不含硼的碱金属盐构成。在非水电解液中优选含有被氢化的三联苯0.5质量％～3.5质量％。含硼的碱金属盐使用例如LiBF₄、NaBF₄及KBF₄等。不含硼的碱金属盐使用例如LiPF₆、LiClO₄、LiAsF₆、LiCF₃SO₃、LiN(SO
水电含有二次电池

[发明专利]一种利用双组织结构提升含硼共晶合金塑韧性的方法-CN202110471441.X有效
发明人：张柯;张凤辉 -专利权人：宝鸡文理学院
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C22F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用双组织结构提升含硼共晶合金塑韧性的方法，借助非平衡凝固与后续等温退火热处理一体化调控手段获得双组织结构，实现含硼共晶合金塑韧性提升，具体步骤为，选择含硼二元或三元共晶合金，采用高频电磁感应熔炼炉对合金进行熔炼，利用熔融玻璃净化结合循环过热方法获得过冷合金熔体，通过自然冷却或激冷获得共晶合金非平衡凝固组织；对共晶合金非平衡凝固组织进行后续等温退火热处理，从而获得表层单相再结晶组织层，而内部为非规则两相的双组织结构本发明利用非平衡凝固方法结合后续等温退火热处理，将含硼共晶合金非平衡凝固组织获取和组织后续转变相结合，获得合金双组织结构，实现合金综合力学性能提升，大大丰富和推动了已有的共晶合金组织性能调控方法，可用于调控含硼共晶及类似合金材料的力学性能
一种利用组织结构提升含硼共晶合金韧性方法

[发明专利]含硼的非晶质二氧化硅粉体和其制造方法-CN202180065653.6在审
发明人：村上泰之;元石沙月;小泉寿夫;小森聪;绪方宏宣 -专利权人：堺化学工业株式会社
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供：低温烧结性比以往还优异的含硼的非晶质二氧化硅粉体。本发明为一种含硼的非晶质二氧化硅粉体，其特征在于，其为包含硼原子的非晶质二氧化硅粉体，该含硼的非晶质二氧化硅粉体的由在透射型电子显微镜照片中随机选出的40个颗粒求出的平均粒径为10～100nm，在下述条件下进行烧成时的硼含量的减少率为
非晶质二氧化硅制造方法

[发明专利]超高选择性的掺杂非晶碳可剥除硬掩模的开发与集成-CN201180045061.4无效
发明人： M·J·西蒙斯;S·拉蒂;K·D·李;D·帕德希;金秉宪;C·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明的实施例大体上关于集成电路的制造，并且尤其关于含硼非晶碳层在半导体基板上的沉积。在一实施例中，提供一种在处理腔室中处理基板的方法。此方法包含：在处理空间中提供基板；使含碳氢化合物气体混合物流动到处理空间内；通过从RF源施加功率来产生含碳氢化合物气体混合物的等离子体；使含硼气体混合物流动到处理空间内；及在等离子体的存在下，在基板上沉积含硼非晶碳膜，其中含硼非晶碳膜含有原子百分比为约30至约60的硼。
超高选择性掺杂非晶碳可剥除硬掩模开发集成

[发明专利]使用非接触印刷法在半导体衬底中形成硼掺杂区域用的含硼墨和制造这种含硼墨的方法-CN200980157574.7无效
发明人： R.Y-K.梁;D-L.周;W.范 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C09D11/00 文献下载
摘要：提供使用非接触印刷法在半导体衬底中形成硼掺杂区域用的含硼墨和制造这种含硼墨的方法。含硼墨包含来自含硼材料的硼或含硼材料的硼和产生大约1.5至大约6的含硼墨铺展系数的铺展最小化添加剂。该含硼墨具有大约1.5至大约50厘泊的粘度并在沉积在半导体衬底上时提供大约10至大约100欧姆/方块的退火后薄层电阻、大约0.1至大约1μm的退火后掺杂深度和大约1x1019至1x1020原子/cm3的硼浓度
使用接触印刷半导体衬底形成掺杂区域含硼墨制造这种方法

[发明专利]非水电解液二次电池-CN200780004428.1有效
发明人：森川敬元;上田敦史;尾浦孝文;木下信一;古田土稔;佐藤秀治;松本一志 -专利权人：松下电器产业株式会社;三菱化学株式会社
申请日： 2007-02-23 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01M10/40 文献下载
摘要：一种非水电解液二次电池，其中，非水电解液含有非水溶剂、溶解于所述非水溶剂中的溶质、被氢化的三联苯，溶质含有含硼的碱金属盐及不含硼的碱金属盐，负极含有由不同取向性的碳复合物(A)构成的负极活性物质，碳复合物
水电二次电池

[发明专利]非晶薄膜形成方法-CN202010704396.3在审
发明人：申承祐;柳次英;郑愚德;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;权赫龙;金基镐 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及形成非晶薄膜的方法。根据本发明的一实施例，形成非晶薄膜的方法包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；在上述种子层供给包括含硼气体的第一源气体而形成掺杂有硼的第一非晶薄膜的工序；以及在上述第一非晶薄膜供给包括含硼气体的第二源气体而形成掺杂有硼的第二非晶薄膜的工序
薄膜形成方法

[发明专利]非晶薄膜形成方法-CN201680023468.X有效
发明人：申承祐;柳次英;郑愚德;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;权赫龙;金基镐 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及形成非晶薄膜的方法。根据本发明的一实施例，形成非晶薄膜的方法包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；在上述种子层供给包括含硼气体的第一源气体而形成掺杂有硼的第一非晶薄膜的工序；以及在上述第一非晶薄膜供给包括含硼气体的第二源气体而形成掺杂有硼的第二非晶薄膜的工序
薄膜形成方法

[发明专利]太阳能电池的制作方法-CN201810089762.1在审
发明人：何川 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：对N型硅衬底进行双面制绒；在该N型硅衬底正面形成氧化层；在该氧化层上形成非晶硅或多晶硅；对该非晶硅或多晶硅进行选择性含硼元素注入，以在非晶硅或多晶硅的预定区域形成含硼元素掺杂；热处理该N型硅衬底，经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成P型多晶硅，未经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成本征多晶硅；对该N型硅衬底的正面进行碱刻蚀以去除至少部分该本征多晶硅，并保留P型多晶硅。
多晶硅非晶硅硼元素衬底本征多晶硅太阳能电池掺杂的氧化层太阳能电池效率图案化多晶硅层热处理衬底正面刻蚀工艺少子复合吸光效应选择性碱预定区域减小刻蚀制绒去除制作离子掺杂保留

[发明专利]一种非水电解液添加剂及其制备方法和应用-CN202210110540.X在审
发明人：岳敏;耿瑞丽;杜建委;大浦靖 -专利权人：深圳市研一新材料有限责任公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：本发明提供了一种非水电解液添加剂及其制备方法和应用，所述非水电解液添加剂为含硼磺酰亚胺锂盐添加剂，所述含硼磺酰亚胺锂盐添加剂含有LiFSI和LiBOB的部分结构，能够有效提高电池的导离子性能、成膜性能、
一种水电添加剂及其制备方法应用

[发明专利]利用至少两种硼烷还原剂进行无电镀敷-CN201510307017.6有效
发明人：阿图尔·柯利奇;普拉文·纳拉;宾晓明;李南海;王亚新;帕特里克.利特尔;玛丽娜·波利扬斯基亚 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C23C18/34 文献下载
摘要：第一含硼烷还原剂被提供到溶剂中。第二含硼烷还原剂被提供给溶剂，其中第一含硼烷还原剂的沉积速率为第二含硼烷还原剂的沉积速率的至少五倍，并且其中所述溶液不含非硼烷还原剂。
利用至少两种硼烷还原剂进行电镀

[发明专利]含硼的二氧化硅分散体和其制造方法-CN202180064399.8在审
发明人：村上泰之;元石沙月;小泉寿夫;小森聪;绪方宏宣 -专利权人：堺化学工业株式会社
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明提供：在比以往还高浓度下分散稳定性优异、且硼与二氧化硅的结合性高的含硼的二氧化硅分散体。本发明为一种含硼的二氧化硅分散体，其特征在于，含有：包含硼原子的非晶质二氧化硅颗粒和分散介质，该含硼的非晶质二氧化硅颗粒的由在透射型电子显微镜照片中随机选出的40个颗粒求出的平均粒径为10～100nm，该含硼的二氧化硅分散体的固体成分浓度为5～30质量％，将该含硼的二氧化硅分散体静置1000小时时的颗粒的沉降率为4％以下，以下述方法超滤该含硼的二氧化硅分散体并干燥时的以氧化物换算计的SiO含硼的二氧化硅分散体的体积的6倍量的纯水并水洗。
二氧化硅散体制造方法

[发明专利]一种含黏土硼矿石的改性方法-CN202211420420.6在审
发明人：李洪岭;张宁红;曹闽生;任红伟 -专利权人：青海利亚达化工有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C01B35/12 文献下载
摘要：本发明涉及含硼矿石开发利用技术领域，提供了含黏土硼矿石的改性方法。本发明对含黏土硼矿石进行改性，能够改变矿石结构，得到松散的矿石粉体，同时还能脱除原矿内的有机色素。进一步的，本发明针对含硼矿石的种类，采用对应的工艺方法进行处理，当含硼矿石为硼砂矿时，采用脱水干燥和煅烧的方法进行改性，且当硼砂矿中B2O3当含硼矿石为非硼砂矿时，可省略脱水干燥的步骤，直接通过煅烧进行改性，并且当非硼砂矿中B2O3≤8wt％时，先进行旋液富集本发明适用于杂质为粘土、伴生有碳酸盐性质、渣液不易分离的高、中、低品位各类含硼矿石，且操作简便，提高了硼资源的利用率，社会效益和经济效益良好。
一种黏土矿石改性方法

[发明专利]二次电池、电池组、电动车辆、电动工具和电子设备-CN201510032809.7有效
发明人：津田辽平;武志一正;洼田忠彦 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：一种二次电池，包括：正极、负极以及非水电解液。该非水电解液包括硼化合物。该硼化合物包括六个以上硼(B)原子并且包括由式(1)表示的八价的含硼氢的结构和由式(2)表示的十二价的含硼碳的结构中的至少一个：
二次电池电池组电动车辆电动工具电子设备

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