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[实用新型]后制程芯片收集装置-CN201220019726.6有效
发明人：曾宇行 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： B07C7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种后制程芯片收集装置，涉及LED制造的装置，特别是涉及后制程的手选装置，用于防止过滤网破损后可能发生的芯片进入真空泵造成破坏的问题。
后制程芯片收集装置

[发明专利]一种延长制程等待时间的后制程方法-CN201811119935.6有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产领域，公开了一种延长制程等待时间的后制程方法，包括：提供晶圆传送盒，多个晶圆放置入晶圆传送盒中，晶圆传送盒设置有出气孔和进气孔；晶圆传送盒由输送设备传输连接至清洁设备，清洁设备内设置有抽气泵和氮气填充装置抽气泵与出气孔连接，用于对晶圆传送盒内部进行抽气，并且氮气填充装置与进气孔连接，用于向盒体的内部填充氮气；打开连通晶圆传送盒的抽气泵对晶圆传送盒的内部进行抽气，以第一次降低晶圆传送盒内气体污染物的浓度；紧接在抽气步骤后，
一种延长等待时间后制程方法

[发明专利]掩膜版制程槽清洗方法-CN201811278788.7在审
发明人：杜武兵;林伟;吕振群 -专利权人：深圳市路维光电股份有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种掩膜版制程槽清洗方法，包括以下步骤：采用硝酸溶液清洗制程槽内壁，使附着于内壁上的沉淀物与硝酸溶液充分反应，清洗完成后清除制程槽内形成的第一清洗废液；采用洗洁精溶液清洗制程槽内壁，充分溶解内壁上的反应残留物，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第二清洗废液；采用水清洗制程槽内壁，并在清洗完成后清除制程槽内形成的第三清洗废液。本发明实施例通过采用先硝酸溶液清洗，后洗洁精溶液清洗的方法，能彻底清洗掩膜版制程槽，操作简便，清洗成本低，极大程度的避免在用于生产掩膜版时掩膜版上形成黑缺陷，减少修正缺陷的压力，提高产品良率，延长制程槽的使用时间
制程清洗掩膜版清洗废液硝酸溶液槽内壁洗洁精溶液内壁反应残留物产品良率黑缺陷水清洗附着溶解修正节约生产

[发明专利]控制程序自动生成系统-CN201580083036.3有效
发明人：上治芳文 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：控制程序自动生成系统包括：基于储存在框图数据存储部中的框图生成工厂设备的控制程序，并将生成的该控制程序储存于执行代码存储部的控制程序生成装置；从与PIO装置相连接的工厂设备接收过程信号的控制装置；以及连接控制程序生成装置与控制装置的网络控制程序生成装置通过网络发出储存于执行代码存储部的控制程序，控制装置通过网络接收控制程序后将其储存于存储器，并且执行该控制程序，将该控制程序的运算结果通过网络发出，控制程序生成装置通过网络从控制装置接收控制程序的运算结果后
控制程序自动生成系统

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201910504944.5有效
发明人：郗宁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括图形层和位于图形层上的待移除层；在真空状态下移除待移除层，包括：对半导体衬底执行第一控温制程；对执行第一控温制程后的半导体衬底执行第二控温制程；对执行第二控温制程后的衬底执行冷却制程；其中，移除待移除层包括采用还原性气体氛围。该方法可抑制升温时衬底易被氧化，以及制程后高温衬底与大气接触易被再次氧化的问题，同时相比于普通灰化制程，具有较强的残留物移除能力。
半导体器件制备方法

[发明专利]液晶面板产品制程的派送方法、系统及生产装置-CN202011433358.5有效
发明人：邱平;何军 -专利权人：格创东智（深圳）科技有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶面板产品制程的派送方法、系统及生产装置，其中，派送方法包括：接收到制程机台的派送产品请求后，实时获取所述制程机台的当前制程模式对应的制程标识信息；查找所述制程机台切换到所述当前制程模式时预先设置的制程标识信息；实时获取的制程标识信息与预先设置的制程标识信息一致时，向所述制程机台派送与预先设置的制程标识信息对应的产品。
液晶面板产品派送方法系统生产装置

[发明专利]半导体制程机台及其半导体制程-CN201310267838.2在审
发明人：林武郎;郑煌玉;王陈右;陈世敏;范釗傑;高诚志;刘又瑋 -专利权人：技鼎股份有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体制程机台，包括制程腔体、第一门板、冷却腔体及第二门板。制程腔体具有第一出入口。冷却腔体与制程腔体相邻，冷却腔体具有第二出入口。第一门板配置于制程腔体与冷却腔体之间，适于开启或关闭第一出入口，当第一出入口为开启状态时，制程腔体与冷却腔体相连通。第二门板用以开启或关闭第二出入口。本发明另提出一种使用上述机台的半导体制程。与现有在加热制程后仍将半导体基材留置于制程腔体内进行降温的做法相较之下，使用本发明的半导体制程机台可有效提升半导体基材在加热制程后的降温速度，进而提升整体制程效率。
半导体机台及其

[发明专利]一种制程设备的控制方法及装置-CN201911231282.5有效
发明人：周利锋 -专利权人：苏州华星光电技术有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种制程设备的控制方法及装置，该方法包括：获取所述制程组件的预设制程数据，其中所述预设制程数据包括多个预设制程参数；获取所述测量组件的测量数据；所述测量数据包括多个测量参数；所述测量参数与所述预设制程参数对应；根据所述测量数据在所述预设制程数据中选取满足设定条件的预设制程参数作为目标制程参数；根据目标制程参数对所述制程组件的初始制程参数进行调整，以使调整后的制程参数满足预设参数条件。本发明的制程设备的控制方法及装置，能够提高产品良率。
一种设备控制方法装置

[发明专利]半导体制程装置-CN201310234165.0在审
发明人：林武郎;郑煌玉;郭明伦;刘又瑋;陈世敏;黄文泰 -专利权人：技鼎股份有限公司
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体制程装置，适用于进行光电半导体之快速升降温制程。半导体制程装置包括制程腔体及至少一个加热源。制程腔体包括散热底板及环状金属侧壁，环状金属侧壁配置于散热底板上且与散热底板直接接触。而加热源配置于制程腔体内。本发明的半导体制程装置仅于制程腔体上方设置加热源，以对制程腔体内部的物体进行单向加热。而且，制程腔体是直接与导热率佳的散热底板接触，因此在完成加热制程后，可加速制程腔体内的物体降温速度，以缩短降温时间。
半导体装置

[发明专利]半导体制程及其制程设备与控制装置-CN201610289162.0在审
发明人：魏莹璐;雷鸣;林生元;黄泰维;陈晓葳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制程及其制程设备与控制装置。其中半导体制程包括对第一晶圆进行第一制程步骤；在完成所述第一制程步骤后，依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第一不可校正误差信息；以及，依据所述第一不可校正误差信息来调整所述第一制程步骤的制程参数。本发明更提出适用此半导体制程的制程设备与控制装置。本发明有助于减少制程步骤后续产生的不可校正误差，实时反馈制程误差，实现半导体制程的在线实时监测，有效提高制程良率。
半导体及其设备控制装置

[发明专利]半导体制程及其制程设备与控制装置-CN202110205689.1有效
发明人：魏莹璐;雷鸣;林生元;黃泰维;陈晓葳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制程及其制程设备与控制装置。其中半导体制程包括：对第一晶圆进行第一制程步骤；在完成所述第一制程步骤后，依据所述第一晶圆的实际表面形貌信息获取第一不可校正误差信息；以及，依据所述第一不可校正误差信息来调整所述第一制程步骤的制程参数。本发明还提出适用此半导体制程的制程设备与控制装置。本发明有助于减少制程步骤后续产生的不可校正误差，实时反馈制程误差，实现半导体制程的在线实时监测，有效提高制程良率。
半导体及其设备控制装置

[发明专利]控制程序管理装置、信息处理装置及控制程序处理方法-CN201410366334.0在审
发明人：川本淳一;小野将英 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明为控制程序管理装置、信息处理装置及控制程序处理方法。控制程序管理装置具备：存储部，存储能够由控制设备的控制器执行的控制程序；发送部，对信息处理装置发送控制程序；更新部，向信息处理装置发送控制程序后更新权限以使其他信息处理装置不能编辑发送的控制程序；保持部，发送控制程序后，基于从信息处理装置发送的信息，保持用于识别信息处理装置和发送的控制程序的固有信息。发送部对由固有信息识别出的信息处理装置询问是否正在编辑由该固有信息识别出的控制程序。保持部在根据询问结果判定为没在编辑控制程序时将固有信息删除。更新部在根据询问结果判定为没在编辑控制程序时将权限解除，以使其他信息处理装置能够编辑该控制程序。
控制程序管理装置信息处理处理方法

[发明专利]积层制造方法-CN202110704017.5在审
发明人：陈红章;罗裕龙;杨浩青;郑芳田 -专利权人：郑芳田
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B22F10/28 文献下载
摘要：此方法包含在粉层上进行激光粉床熔融(L‑PBF)制程。然后，获得L‑PBF制程后的粉层的第一表面粗糙度，以产生第一表面轮廓。使用吸收度及一组重熔制程参数数据来进行热传模拟。通过第一表面轮廓及低通滤波器，来获得激光重熔后的粉层的第二表面轮廓。然后，重复调整此组重熔制程参数的数值，以进行热传模拟，直至自第二表面轮廓所预测的第二表面粗糙度值小于或等于表面粗糙度阈值，借以获得重熔制程参数的最佳数值，以进行重熔制程来减少L‑PBF制程后的粉层的表面粗糙度
制造方法

[发明专利]批次制程的虚拟量测方法与系统-CN201010262348.X无效
发明人：潘天红;陈山;李正明 -专利权人：江苏大学
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明批次制程的虚拟量测方法与系统，包括对一批待加工晶圆执行一制程后输出加工后的晶圆的制程机台，制程机台输出分别与制程控制系统和错误侦测与分类系统相接，靠近制程控制系统的输出部分设有量测机台，制程控制系统本发明采用先进的制程控制、以工业统计方法对晶圆及时分析和处理，找到影响制程变化的关键变量，以滚动时间窗口及时捕获系统发生的工况变化，平移与漂移对建模的不利影响，提高模型的鲁棒性，减少晶圆处理的周期时间，改善制程工具的运作，减少量测工具的负担以及晶圆的成本，所建立的推理模型适用于制程的故障诊断。
批次虚拟方法系统

[发明专利]金属栅CMP后的制程监控方法-CN201110150043.4有效
发明人：杨涛;赵超;李俊峰;闫江;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种金属栅CMP后的制程监控方法，包括以下步骤：在晶圆表面形成金属栅结构以及测试结构；确定金属栅材料厚度量测目标及误差范围；对金属栅结构以及测试结构中的金属进行CMP；以及使用XRR设备测量测试结构中金属栅材料的厚度
金属 cmp 监控方法

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