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[发明专利]一种太赫兹波段的发光二极管-CN201711382272.2在审
发明人：刘江涛 -专利权人：贵州民族大学
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种太赫兹波段的发光二极管，包括：双层石墨烯、太赫兹透明电极以及外加磁场，其中，太赫兹透明电极贴合于双层石墨烯一侧表面。在外加磁场的作用下，双层石墨烯中形成均匀分布的朗道能级、电子从较高朗道能级依次向下跃迁时，辐射频率接近的THz波段的光子以此发出THz波段的光，得到THz光源，其电子利用率高，辐射强度大、功耗较小，且结构简单
双层石墨能级发光二极管太赫兹波段透明电极外加磁场辐射频率光子功耗贴合跃迁光源辐射

[实用新型]一种电热烧烤炉-CN201820635857.4有效
发明人：黎永源 -专利权人：黎永源
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： A47J37/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电热烧烤炉，包括双层支架、放置于双层支架上层的煎烤盘、放置于下层的手柄盘；所述双层支架下层设有底盘，所述底盘上设有与手柄盘配合的凹槽；所述双层支架上装有位于煎烤盘下方的电热管，所述电热管通过装于双层支架上的电源开关连接；所述电热管的两端套接有电极，所述电极呈梅花状多点弹性接触结构；本烧烤炉采用上下两层的结构，可同时进行食物的烤制，提高食物烤制的灵活性，同时将电极连接通过采用梅花状多点弹性接触的结构，解决了因导电局部出现接触不良而导致整根陶瓷管不能工作的问题
双层支架电热管电热烧烤炉煎烤盘梅花状烧烤炉手柄盘电极底盘下层弹性接触结构本实用新型弹性接触电极连接电源开关接触不良平稳运行上下两层食物烤制故障率陶瓷管导电烤制套接上层配合

[发明专利]一种双层沟道结构的突触晶体管-CN202010040658.0在审
发明人：霍文星 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层沟道结构的突触晶体管，包括衬底，所述衬底上设置有通过栅绝缘层与源电极、漏电极相隔开的栅电极，所述源电极和漏电极在同层间隔设置；所述栅绝缘层与源电极、漏电极之间设置有低电阻率沟道层和高电阻率沟道层；所述低电阻率沟道层位于栅绝缘层与高电阻率沟道层之间，所述低电阻率沟道层的厚度为3nm‑10nm；所述高电阻率沟道层位于低电阻率沟道层与源电极、漏电极之间，所述高电阻率沟道层的厚度为40nm‑100nm本发明旨在提供一种通过在晶体管内设置高低电阻的双层沟道结构，使晶体管的转移特性曲线中制造出存储窗口，实现仿生突触信号。
一种双层沟道结构突触晶体管

[发明专利]液晶显示器件及其制造方法-CN200510107921.9有效
发明人：安炳喆 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：一种具有增加的孔径比以及简化的制造工序的LCD器件的水平电场施加型薄膜晶体管基板。该器件包括具有双层结构的栅线，所述双层结构包括透明第一导电层和不透明第二导电层；与栅线交叉以限定像素区域的数据线；连接到栅线和数据线的薄膜晶体管；具有第一导电层和第二导电层并基本上平行于栅线的公共线；在像素区域中从公共线的第一导电层延伸出的公共电极；以及连接到薄膜晶体管的像素电极，以与公共电极一起在像素区域中形成水平电场。
液晶显示器件及其制造方法

[发明专利]具有双层间隙壁的晶体管及其形成方法-CN201711146633.3有效
发明人：王家麟;江品宏;熊昌铂;吕佳纹;李年中;李文芳;王智充 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种具有双层间隙壁的晶体管及其形成方法。该具有双层间隙壁的晶体管，包含有一栅极、一第一双层间隙壁以及一第二内层间隙壁。栅极设置于一基底上，其中栅极包含一栅极介电层以及一栅极电极，以及栅极介电层自栅极电极突出并覆盖基底。第一双层间隙壁设置于栅极侧边的栅极介电层上，其中第一双层间隙壁包含一第一内层间隙壁以及一第一外层间隙壁。第二内层间隙壁设置于第一双层间隙壁侧边的栅极介电层上，其中第二内层间隙壁具有一L型剖面结构。
具有双层间隙晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110035145.5在审
发明人：郑安皓;郭舫廷;陈彦羽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明针对用于制造具有金属电极的MiM电容器结构的方法，金属电极具有富氮金属氮化物层。该方法包括在设置在衬底上的第一互连层上沉积第一电极双层，其中第一电极双层包括具有不同氮浓度的第一层和第二层。该方法还包括在第一电极双层上沉积介电层，以及在第一互连层上沉积第二电极双层，其中第二电极包括具有不同氮浓度的第三层和第四层。该方法还包括图案化第一电极双层、介电层和第二电极双层以在第一互连层上形成电容器结构。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]双面板型有机电致发光装置及其制造方法-CN200610087048.6有效
发明人：俞忠根;安泰濬;朴钟贤 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：第一电极置于第一基板上，并且具有双层、相反L形图案的分隔体置于第一电极上。具有第一厚度的有机发光层置于子像素区域的第一电极上。第二电极置于有机发光层上。阵列元件层置于第二基板上，阵列元件层包括薄膜晶体管。连接图案电连接第二电极和薄膜晶体管。
双面板有机电致发光装置及其制造方法

[实用新型]一种石英砂生产用多炉体交互熔炼炉-CN201922309983.8有效
发明人：韦文余 -专利权人：沭阳县晶盛石英制品有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： F27B21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石英砂生产用多炉体交互熔炼炉，包括外炉体，所述外炉体底部内侧与内炉体外侧下部固定连接；外炉体顶部和内炉体上部均固定盖合有顶盖，顶盖底部中间位置固定连接有石墨电极，石墨电极置于内炉体内腔中间位置本实用新型通过在外炉体和内炉体之间的环形空腔中套有双层簧型铝管，双层簧型铝管的首尾端口分别与冷却液进管和冷却液出管固定连接，冷却液进管和冷却液出管与外部的冷水循环泵连通设置，从而进入冷水经过双层簧型铝管对内炉体进行散热
一种石英砂生产用多炉体交互熔炼炉

[发明专利]双层石墨烯管及其制备方法和应用-CN202010052972.0有效
发明人：李金来;刘东海;张勃;郝胐;卢云峰;莫润伟;李凡;谭欣怡;陶然;徐金晖 -专利权人：新奥石墨烯技术有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了双层石墨烯及其制备方法和应用，双层石墨烯管包括外层管和内层管，内层管掺杂氮元素，外层管和内层管之间的距离为5～20纳米。该结构的双层石墨烯管具有优异的导电特性和力学性质以及丰富的孔隙结构，由于内层管为氮掺杂石墨烯管状，使得内层管显示为亲水性质，而未掺杂的外层管显示为疏水性质，从而可以将非碳活性物质负载在该双层石墨烯管的内部，将该复合物作为锂电池负极材料时，其中的双层石墨烯管为非碳活性物质在充放电过程中的体积膨胀提供有效的缓冲空间，即有效抑制负极材料中非碳活性物质在充放电过程中的体积膨胀问题，同时保证电极反应过程中快速的离子和电子传导通道
双层石墨及其制备方法应用

[发明专利]驻极体电声转换装置的封装结构-CN201210060582.3无效
发明人：许富隆;刘宗翰;王俊仁 -专利权人：台湾驻极体电子股份有限公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H04R19/01 文献下载
摘要：本发明公开一种驻极体电声转换装置的封装结构，其包括第一电极网；双层驻极体振膜，与该第一电极网对向设置，其中该双层驻极体振膜之间夹置一金属镀层，形成叠层驻极体振膜结构；第一隔离结构，设置于该第一电极网与该双层驻极体振膜之间；第二电极网，与该双层驻极体振膜对向设置；第二隔离结构，设置于该双层驻极体振膜与该第二电极网之间；以及第一与第二外框架，将该第一电极网、该第一隔离结构、该双层驻极体振膜、该第二隔离结构、该第二电极网夹置于其间
驻极体电声转换装置封装结构

[发明专利]水平电场施加型薄膜晶体管基板及其制造方法-CN200510132210.7有效
发明人：安炳喆 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种LCD器件包括：基板上的栅线和与栅线相交以限定像素区域的数据线；包括源极和漏极的薄膜晶体管；平行于栅线的公共线；从公共线延伸的公共电极和从漏极延伸的像素电极，其中栅线和公共线具有至少双层导电层的第一导电层组，并且公共电极通过公共线的至少一层透明导电层的延伸形成；栅线、源极和漏极具有至少双层导电层的第二导电层组，并且像素电极通过漏极的至少一层透明导电层的延伸形成。
水平电场施加薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置-CN202210490509.3在审
发明人：陈学彬 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置。所述钙钛矿发光二极管器件，包括第一电极层、第二电极层，以及设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间的钙钛矿发光层；所述第一电极层与所述钙钛矿发光层之间设置有空穴功能层；其中，所述空穴功能层包括第一电极修饰层和第二电极修饰层；所述第二电极修饰层位于所述第一电极层与所述第一电极修饰层。本申请的钙钛矿发光二极管器件可以通过双层的注入结构提升碳电极注入性，实现钙钛矿发光二极管高效发光。
钙钛矿发光二极管器件及其制备方法显示装置

[发明专利]一种双层膜修饰的锑金属pH电极制备方法-CN201210022471.3有效
发明人：李萍萍;盛庆元;张西良;赵丽娟;胡永光;刘志刚 -专利权人：江苏大学
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G01N27/333 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层膜修饰的锑金属pH电极制备方法，将一根铜导线的两端均裸露后同轴空套入毛细玻璃管中，铜导线首端与毛细玻璃管首端端口平齐且裸露长度有2～4mm；将熔融的锑金属吸入毛细玻璃管首端中，吸入高度有5～7mm；用浓度为20%氢氟酸溶解毛细玻璃管首端部分，使锑金属露出2～4mm；将露出的锑电极垂直插进熔融的过氧化钠中，在表面形成三氧化锑薄膜；用锑电极蘸取浓度为5～10%的全氟磺酸树脂溶液，在三氧化锑薄膜表面形成氢离子选择性半透镀膜；将聚四氟乙烯乳液从毛细玻璃管末端注入毛细玻璃管和铜导线之间的空隙，凝固后制得双层膜修饰的锑金属pH电极；电性能优异，有较高的机械强度和韧性。
一种双层修饰金属 ph 电极制备方法

[实用新型]一种气相可控型多晶硅还原炉-CN201720344309.1有效
发明人：程佳彪;张华芹 -专利权人：上海韵申新能源科技有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相可控型多晶硅还原炉，包括底盘和炉体，炉体连接在底盘上且在炉体与底盘之间限定出反应器内腔，所述反应器内腔中设有多个电极，所述电极按规律布置在所述底盘上，所述底盘下设有双层进气系统和排气系统，所述炉体顶部设有预热系统，所述底盘上设有多个进气喷嘴，所述双层进气系统包含双层进气环管和与双层进气环管相连的多个进气管，所述进气管分别与喷嘴一一对应连接，所述底盘上设有多个出气口，所述排气系统包括出气盘管和与出气盘管相连的多个出气管
一种可控多晶还原

[实用新型]双石英玻璃结构UV灯-CN202223554147.4有效
发明人：殷尧平 -专利权人：常州玉宇电光器件有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01J61/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双石英玻璃结构UV灯，包括内层石英玻璃管、两个UV灯电极和外层石英玻璃管，所述UV灯电极安装在所述内层石英玻璃管内；所述外层石英玻璃管套在所述内层石英玻璃管外。本实用新型采用双层石英玻璃管结构，以延长其使用寿命。
石英玻璃结构 uv