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[实用新型]一种调整与按压功能分开的双层脑电干电极头戴-CN202022235479.0有效
发明人：裴为华;查爱华;吴晓婷;章祥 -专利权人：江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： A61B5/256 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种调整与按压功能分开的双层脑电干电极头戴，包括脑电干电极、内层头带、外层头带、信号放大器、导线，所述内层头带的内侧设有若干个脑电干电极，所述脑电干电极为Ag/AgCL烧结干电极、纯银干电极或复合干电极的任意一种电极，所述内层头带的外侧设有可拆分连接的外层头带，该种调整与按压功能分开的双层脑电干电极头戴，双层头带内层弹性形变范围大，松紧裕度大，在预安放时方便佩戴者调整电极的位置、朝向以及去除头发的干扰，安放电极的需要的调整时间少外层头带主要用于对电极施加垂直方向的压力，因此能够达到更低的平均接触阻抗。这种双层配合的结构调整方便、平均阻抗低，能更好地满足快捷安放干电极的应用需求。
一种调整按压功能分开双层脑电干电极

[发明专利]一种非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管-CN201911034668.7有效
发明人：王萌;王昌锋;田明;孙亚宾;石艳玲;李小进;廖端泉;曹永峰 -专利权人：华东师范大学;上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管，包括垂直堆叠的纳米片沟道，包裹在沟道外的双层栅极氧化物，设于沟道两端的源和漏，设于源与栅极之间的双层侧墙，设于漏与栅极之间的栅极氧化物漏端延长区及双层侧墙本发明特征是漏与栅极之间设双层侧墙，在双层侧墙下方设栅极氧化物漏端延长区，源与栅极之间仅设双层侧墙，从而构成非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管。本发明与现有对称型技术相比，漏双层侧墙底部的栅极氧化物漏端延长区降低了器件寄生电容，源双层侧墙保证了栅电极对沟道中电荷的耦合，从而保证开态电流足够大。
一种对称结构纳米片环栅场效应晶体管

[发明专利]一种过程控制的大面积双层二维材料转移的装置及其方法-CN202110425969.3在审
发明人：刘开辉;刘灿;李泽晖;乔瑞喜 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种过程控制的大面积双层二维材料转移装置及其方法，该装置包括金属箔‑双层二维材料‑金属箔样品、胶水或胶带、电极夹、对电极、参比电极、电化学工作站、两个电极片、恒电位仪、电解液、以及电解槽；其中两个电极片水平或竖直放置在电解槽内本发明装置实用性强、结构简单、成本低，能够获得大面积双层二维材料样品，相比于转移法获得的双层二维材料样品具有更洁净的表面，相比于化学气相沉积法获得的双层二维材料样品具有更可控的尺寸和转角。
一种过程控制大面积双层二维材料转移装置及其方法

[发明专利]包含具有绝缘双层的电极的人工肌肉驱动器-CN202110795458.0在审
发明人： M·P·罗威;M·琼斯;S·S·潘瓦尔 -专利权人：丰田自动车工程及制造北美公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： B25J19/00 文献下载
摘要：本发明涉及包含具有绝缘双层的电极的人工肌肉驱动器。人工肌肉驱动器，其包括壳体、容纳在壳体内的电介质流体和位于壳体中的电极对。电极对包括第一电极和第二电极。第一电极和第二电极各自包括金属膜。第一电极包括以面对第二电极的取向设置在第一电极的金属膜上的绝缘双层。另外，绝缘双层包括在金属膜上设置的丙烯酸和/或丙烯酸酯系聚合物层和在丙烯酸和/或丙烯酸酯系聚合物层上设置的双向拉伸聚丙烯(BOPP)层。
包含具有绝缘双层电极人工肌肉驱动器

[实用新型]一种用于双层输油管连接的连接弯头-CN201820117949.3有效
发明人：赵雷 -专利权人：靖江市伊莱文管道有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： F16L43/00 文献下载
摘要：本实用新型设计一种用于双层输油管连接的连接弯头，属于输油管件技术领域，所述连接弯头为弯曲的连接管，连接管的管壁由外到内依次为强度层、防渗层,连接管轴向方向包括两端的管口部和中间的管身部，管身部口径小于管口部，管壁外侧设有电极，电极连接位于管壁内侧的电阻丝，电阻丝分别位于管口部和管身部两端的管壁内侧；管身部中间段内侧设有导静电层，两端的管壁的强度层中分别设有观察孔，观察孔中设有观察柱，观察柱伸入到防渗层中。本实用新型适用于双层输油管的转弯对接，带有通电自融焊接功能，内外管可一次性焊接成功，并设有观察柱对焊接过程进行指示，结构简单实用。
管壁管身部双层输油管连接弯头观察柱管口部连接管本实用新型电阻丝防渗层观察孔强度层一次性焊接导静电层电极连接焊接过程轴向方向内外管中间段电极输油管伸入转弯焊接口径通电成功

[实用新型]一种基于提升单管钠硫电池性能的储能装置-CN202121095237.4有效
发明人：秦磊;秦义恒 -专利权人：秦磊;秦义恒
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本实用新型的一种基于提升单管钠硫电池性能的储能装置，包括密封设置的管状金属外壳，金属外壳内设置陶瓷管，陶瓷管与金属外壳的内壁之间充填液体钠，阳电极棒插入陶瓷管内，陶瓷管内充填液体硫，陶瓷管的底部设置用于承托陶瓷管的底托；其中，所述阳电极棒上包裹碳毡网，同时陶瓷管内壁上也设置碳毡网，形成双层碳毡结构。本实用新型在原有技术的基础上实现双层“碳毡”结构，采用硫与“石墨烯”材料混合应用，以及石墨烯材料在钠硫电池中的应用，具体优点如下：1)导热传递快捷，缩短了预“热”时间，降低能耗，“热”管理系统得到了改善
一种基于提升单管钠硫电池性能装置

[实用新型]医用液温器-CN201220348003.0有效
发明人：王海波 -专利权人：王海波
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： A61M5/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种医疗器械中的医用液温器，具有加热容器，在加热容器中置有加热棒且加热棒一端与电极连接，电极固定在加热容器的端盖上，其特征是：加热容器具有用于夹持输液管的外部散热U型槽，同时装有用于定位输液管的压管架药物输液管被压管架紧扣于散热槽低部从而对液体加热；双层保温壳可起保温作用。
医用液温器

[发明专利]产生大体积大气压等离子体的三电极放电装置-CN201210071551.8无效
发明人：李雪辰;常媛媛;董丽芳 -专利权人：河北大学
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种产生大体积大气压等离子体的三电极装置，包括有同轴介质管、接地平板水电极、钨针电极和低温等离子体发生电源；同轴介质管为带轴向中心内腔且截面呈U形的双层管状密闭容器体，在密闭容器体的侧壁上开有灌注工作气体用的进气口；钨针电极从同轴介质管的封口端穿入同轴介质管的中心内腔中，其前端位于同轴介质管中心内腔的敞口端处，其后端与低温等离子体发生电源的输出电极电连接；接地平板水电极位于同轴介质管敞口端的外侧，并与低温等离子体发生电源的接地电极电连接
产生体积大气压等离子体电极放电装置

[发明专利]高调谐埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜电容器-CN201410298882.4无效
发明人：李玲霞;董和磊;于仕辉;金雨馨;许丹 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01G4/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高调谐埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜电容器，首先在清洗好的基底上采用溶胶-凝胶法沉积BMN薄膜，再在BMN薄膜上采用光刻技术结合磁控溅射工艺制备插指电极，再在制备有插指电极的BMN薄膜上沉积BST薄膜，制得埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜；再将该双层薄膜在于50-750℃退火，并通过刻蚀法将插指电极引脚露出，制得BMN/BST双层薄膜电容器。本发明通过BST与BMN薄膜复合从而降低了薄膜介电损耗，提升了薄膜的综合性能，采用埋入式插指电极结构，提高了器件的调谐率。
调谐埋入式插指电极 bmn bst 双层薄膜电容器

[发明专利]一种可拉伸透明电极及其制备方法-CN202210560704.9在审
发明人：赖文勇;高斯雅;程涛;陈鹏飞;汪锋;杨轩立;李朗;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种可拉伸透明电极及其制备方法。该可拉伸透明电极包括弹性基底及多层布局柔性透明导电薄膜；所述多层布局柔性透明导电薄膜为经表面修饰过的双层导电聚合物薄膜，以及在表面修饰的层面上沉积一层导电金属网络，所述表面修饰为在双层导电聚合物薄膜表面旋涂疏水材料层该可拉伸透明电极的制备方法，其步骤包括：在基底上旋涂双层导电聚合物；化学修饰双层导电聚合物；在双层导电聚合物上印刷导电金属网络；转印双层导电聚合物/导电金属网络到弹性基底上，得到可拉伸透明电极。采用本发明所提供的方法制备的可拉伸透明电极不仅具有优异的光电性能，还具有出色的拉伸性能，在柔性可拉伸电子器件领域具有广阔的应用前景。
一种拉伸透明电极及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件-CN201080053541.0有效
发明人： H.F.博尔纳 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用较少努力生产的有机电致发光器件（1），包括：衬底（2）；处于所述衬底（2）之上的衬底电极（3）；具有处于所述衬底电极（3）之上的至少一个有机发光层的电致发光叠层（4）；至少覆盖所述电致发光叠层（4）的反电极（5）；以及防短路层（6），其覆盖所述反电极（5），从而建立反电极（5）和防短路层（6）的双层（DL）；以及电绝缘层，其至少部分地处于所述防短路层之上，其中，通过所述防短路层（5）在所述双层（DL）中引发拉应力（TS），所述拉应力适于在沉积所述电绝缘层（8）之后卷起（10）所述双层（DL），所述电绝缘层（8）与其中所述双层（DL）被布置在所述电致发光叠层（4）之上的区域中至少引入到所述双层（DL）的切口相邻，所述切口适于将所述反电极（5）与所述衬底电极（3）电断开，其中，所述电绝缘层（8）至少部分地覆盖具有所引入的切口（7）的所述双层的区域以部分地分解所述电致发光叠层（4），从而削弱所述双层到与所述切口相邻的电致发光叠层的附着，以卷起所述切口附近的双层。
有机电致发光器件

[发明专利]背板结构、微型发光二极管显示面板及其制备方法-CN202110298338.X在审
发明人：宫奎;刘天真;董必良;段献学;张志海 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种背板结构、微型发光二极管显示面板及其制备方法，该背板结构包括层叠的第一电极层和第二电极层，其中第一电极层的熔点大于第二电极层的熔点，通过控制预定位置的开关器件导通，使螺纹电极结构中流过第一电流并产生磁场，磁场产生的磁力可吸附对应的带有磁性电极的微型发光二极管晶粒；在微型发光二极管晶粒全部转移到背板结构上后，使螺纹电极结构中流过第二电流，第二电流流经双层电极时产生的热量电极连接结构熔化，从而完成与微型发光二极管晶粒的键合；整个过程无需额外增加产生磁场的结构，通过一次转移即可实现微型发光二极管全彩化，且基于该背板结构可直接与微型发光二极管晶粒键合，提升巨量转移和键合效率。
背板结构微型发光二极管显示面板及其制备方法

[发明专利]液晶显示器件及其制造方法-CN200510124698.9有效
发明人：李志瑙;郭喜荣;李昌斌 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2005-11-09 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：依据本发明的液晶显示器件包括：基板上的选通线；数据线，其间具有栅绝缘薄膜地与所述选通线交叉用以限定像素区；薄膜晶体管，与所述选通线和数据线相连；半导体图案，沿所述数据线交叠；双层钝化膜，覆盖所述数据线和所述薄膜晶体管，其中所述钝化膜的各层具有不同的刻蚀率；以及像素电极，形成在穿透了所述双层钝化膜的上钝化膜的像素孔中，并与通过漏接触孔露出的薄膜晶体管的漏极相连接、所述像素电极形成为以围绕所述像素孔的所述上钝化膜的侧表面为边界
液晶显示器件及其制造方法

[发明专利]多层电极构造体、用其的电池、双层电容器及这些的制法-CN02103291.2无效
发明人：佐藤贵哉;清水达夫 -专利权人：日清纺绩株式会社;伊藤忠商事株式会社
申请日： 2002-02-08 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：一种粘附性良好,电阻低的多层电极构造体、电池和电气双层电容器,是接连集电材料配置的第1电极层和第1电极层上配置的第2电极层为不同物质组成或不同配合比形成的多层电极构造体,使用该多层电极构造体的电池以及电气双层电容器
多层电极构造电池双层电容器这些制法

[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法-CN201980069777.4在审
发明人：石崎守 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：在形成于绝缘基板上的薄膜晶体管阵列中，具有具备薄膜晶体管、像素电极、电容器电极在内的多个像素，所述多个像素在多根列布线与多根行布线交叉的位置呈矩阵状配置，多根列布线以沿列方向延伸的方式配置，多根行布线以沿与列布线正交的行方向延伸的方式配置，像素电极由下层的电极即下像素电极与上层的电极即上像素电极这双层导电层构成，在下像素电极与上像素电极之间夹着中间绝缘膜，上像素电极经由中间绝缘膜的开口部与下像素电极连接，通过电容器电极与下像素电极的重叠而构成静电电容，列布线配置于在层叠方向上不与电容器电极以及下像素电极重叠但与上像素电极重叠的位置。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

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