专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2778626个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]存储器以及存储器读取电路-CN202010746263.2在审
  • 何世坤;杨晓蕾;哀立波;熊保玉 - 浙江驰拓科技有限公司
  • 2020-07-29 - 2022-02-18 - G11C11/16
  • 该存储器包括存储单元和参考电阻,存储单元包括磁存储隧道结,磁存储隧道结包含沿垂直于第一平面的方向顺序层叠的第一自由、第一隧穿和第一参考,第一自由和第一参考的磁化方向均垂直于第一平面;参考电阻包括参考磁性遂道结,参考磁性遂道结包括沿垂直于第一平面的方向顺序层叠的第二自由、第二隧穿和第二参考,第二自由的磁化方向平行于第一平面,第二参考的磁化方向垂直于第一平面。上述参考电阻中自由易磁化方向始终在第一平面内,参考磁化方向始终垂直于第一平面,参考磁性遂道结的稳定状态对应同一电阻状态,从而不会存在参考磁性遂道结在读取过程中被改变状态的情况。
  • 存储器以及读取电路
  • [发明专利]磁阻元件和磁性存储器-CN200710085788.0无效
  • 吉川将寿;甲斐正;永濑俊彦;岸达也;与田博明 - 株式会社东芝
  • 2007-03-16 - 2007-12-26 - G11C11/16
  • 一种磁阻元件,包括:第一磁性参考(11),具有固定的磁化方向;磁性自由(13),可以通过提供自旋极化电子改变其磁化方向;第二磁性参考(15),具有固定的磁化方向;第一中间层(12),提供在第一磁性参考与磁性自由之间;以及,第二中间层(14),提供在磁性自由与第二磁性参考之间。磁性自由(13)与第一磁性参考(11)具有与平面内方向垂直或平行的易磁化方向。第一磁性参考(11)与第二磁性参考(15)具有相互垂直的易磁化方向。
  • 磁阻元件磁性存储器
  • [发明专利]磁阻式传感器及其制造方法-CN202111482989.0在审
  • 赖志煌;李佳璋;颜俞申 - 赖志煌
  • 2021-12-07 - 2023-06-09 - G01R35/00
  • 所述方法包括:形成环形的初始参考,其中初始参考包括反铁磁与铁磁;对初始参考进行热处理,其中在热处理的升温期间铁磁产生沿涡形路径定向的磁化方向,且其中在热处理的降温期间反铁磁与铁磁的介面处产生沿涡形路径定向的交换偏压;将初始参考图案化为彼此分离的多个参考,其中多个参考分别为扇环状,且多个参考沿着所述涡形路径排列;形成多个间隔层以及多个自由,以形成多个磁阻元件;以及对多个磁阻元件进行绕线。
  • 磁阻传感器及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件的形成方法-CN201610887748.7有效
  • 王卉;曹子贵;陈宏;徐涛 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2016-10-11 - 2019-03-19 - H01L27/11517
  • 一种半导体器件的形成方法,包括:在闪存区、参考单元区以及逻辑区的衬底上形成隧穿介质,隧穿介质还位于闪存栅以及源极栅上;在隧穿介质上形成字线;在闪存区的字线上以及参考单元区的部分字线上形成第一光刻胶;以第一光刻胶为掩膜,刻蚀去除位于所述逻辑区的字线,且还刻蚀去除参考单元区露出的字线参考单元区剩余的字线用于形成参考单元栅;在形成参考单元栅之后,在逻辑区衬底上形成逻辑栅;在逻辑栅以及参考单元栅上形成第二光刻胶;在形成所述第二光刻胶之后,刻蚀所述闪存区的字线,在所述闪存区衬底上形成字线。本发明改善了参考单元器件的参考单元栅形貌,从而提高了形成的半导体器件的电学性能。
  • 半导体器件形成方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top