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[发明专利]碘酸钾晶体的去孪去畴方法-CN91106528.8无效
发明人：尹鑫;吕孟凯 -专利权人：山东大学
申请日： 1991-08-31 - 公布日： 1994-02-16 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明为KIO3晶体的去孪去畴方法，属于晶体的后处理技术领域。KIO3晶体为非线性光学材料，可制作效应较高的光学器件，因其电畴和孪晶较复杂，目前尚无去孪去畴的方法，从而限制了该晶体的应用，本发明方法可使KIO3晶体去孪去畴，为该晶体制作成器件并加以应用提供了优良的材料
碘酸晶体去孪去畴方法

[发明专利]碘酸钾单晶的单畴化方法-CN91109478.4无效
发明人：王琇;张海龙;李和平;肖定全;焦志峰 -专利权人：四川大学
申请日： 1991-10-10 - 公布日： 1992-03-18 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明给出了一种碘酸钾单晶的单畴化和去孪晶的方法。将碘酸钾晶体放入极化炉的硅油中，给晶体加热、加电场，或给晶体加热、加电场和加压力，在相变点72℃或212℃附近采用“温度振荡法”来消除晶体的孪晶和多畴结构(温度振荡范围为65℃-85℃或200℃-235℃)，从而可获得光学均匀性好，满足光学器件制作要求的单畴碘酸钾晶体。
碘酸钾单晶单畴化方法

[发明专利]一种去孪晶界的联合腐蚀法-CN202110522145.8在审
发明人：程炜;傅昱童;杨浩笛 -专利权人：攀钢集团江油长城特殊钢有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种高温合金去孪晶界的联合腐蚀法，包括以下步骤：将硫酸高锰酸钾水溶液加热至不沸状态，将合金试样的待腐蚀面与加热后的硫酸高锰酸钾水溶液接触进行热蚀，再清洗热蚀后的腐蚀面；将得到的合金试样置于酸液中电解本申请提供的去孪晶界的联合腐蚀法可用于各类高温合金、不锈钢等钢种的金相分析试验中，直接避免了晶粒内孪晶界的析出，防止了孪晶界干扰误差，减少返工率，提高了效率，该腐蚀方法通用性大，重现性好，操作简便易行，
一种去孪晶界联合腐蚀

[发明专利]实现CDMA的路径搜寻-CN02827030.4无效
发明人： R·里发特;Z·格雷恩非尔德;H·普里莫 -专利权人：模拟设备股份有限公司
申请日： 2002-12-06 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H04B1/707 文献下载
摘要：通过对每一相对延迟使接收畴元或编码畴元移位，在副相关长度上对多个相对延迟进行去扩展操作。将对相对延迟的去扩展操作的结果加到对在前的副相关长度进行的相同延迟的先前去扩展操作结果上。
实现 cdma 路径搜寻

[发明专利]一种非中心对称晶体的晶畴空间分布及晶格取向的确定方法-CN202010644337.1有效
发明人：邢晖;唐国雄;许祝安 -专利权人：上海交通大学;浙江大学
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明涉及晶体孪晶结构表征领域，是一种非中心对称晶体的晶畴空间分布及晶格取向的确定方法。Sub>O7晶体为测试体系，利用偏振光反射原理，以线性偏振光垂直入射晶体表面，由于非中心对称晶体介电常数张量的各向异性，在晶体表面形成反射光的衬度分布，以此对晶畴分布进行成像同时，成对的解理面所对应的半无限晶体的能带结构的差异导致了各个不等价解理面的颜色差异，由此可以通过晶畴颜色直接判定晶畴对应的晶格取向。本方法提供了对非中心对称晶体的孪晶空间分布的成像，并直接确定晶格取向，相对于传统晶畴的表征方法极大地提高了效率，可类比应用至其它非中心对称晶体中。
一种中心对称晶体空间分布晶格取向确定方法

[发明专利]一种含超高密度孪晶的密排六方金属材料的制备方法-CN202211516964.2在审
发明人：韩卫忠;林希衡 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C22F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种含超高密度孪晶的密排六方金属材料的制备方法，包括以下步骤：1)选取具有密排六方结构的金属块体，对所述金属块体进行热处理，以获得具有粗大晶粒结构的金属块体；2)将具有粗大晶粒结构的金属块体进行液氮温度双向轧制变形；3)将液氮温度双向轧制变形后的金属块体进行去应力退火处理，得到含超高密度孪晶的密排六方金属材料，该方法制备得到的金属材料具有超密度孪晶，强韧化效果较为明显。
一种超高密度密排六方金属材料制备方法

[发明专利]一种力热耦合消除NiMnGa单晶中孪晶的方法-CN201811381088.0在审
发明人：蒋成保;任莉;王敬民 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种力热耦合消除NiMnGa单晶中孪晶的方法，包括将NiMnGa单晶加热到150℃～200℃并保温5min～15min，然后在保持温度不变的情况下沿NiMnGa单晶的[100]方向施加单轴拉力，以在拉力作用下，在降温相变过程中消除NiMnGa合金T型结构马氏体单晶中的孪晶。本发明还公开了一种利用上述方法制备的NiMnGa去孪晶组织。本发明能有效消除合金中的孪晶，实现单变体组织，使材料具备各向异性，从而获得可回复的应力诱发和磁场诱发的大变形量。
单晶孪晶力热耦合合金大变形量工艺过程拉力作用相变过程应力诱发单变体马氏体单轴下沿制备磁场加热保温回复诱发施加

[发明专利]一种面内呈60°夹角的镍铜（111）孪晶薄膜及其制备方法-CN201911165270.7在审
发明人：张学富;吴天如;王浩敏;于庆凯;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及材料合成技术领域，具体是一种面内呈60°夹角的镍铜(111)孪晶薄膜及其制备方法，所述方法包括：S1、在蓝宝石基片的晶面Al2O3:Sub>(0001)上沉积金属薄膜，得到依附在所述蓝宝石基片上的前躯镍铜薄膜；S2、将所述前躯镍铜薄膜放置在加热炉内，在氩气和氢气的混合气氛中进行退火处理，得到具有面外方向是(111)择优取向的镍铜孪晶薄膜，所述镍铜孪晶薄膜面内晶畴间呈60°夹角。本发明制备出的镍铜孪晶薄膜具有较强的催化性能，能够极大提高石墨烯的生长速度，降低批量化制备石墨烯单晶晶圆的成本。
一种面内呈 60 夹角 111 薄膜及其制备方法

[发明专利]取向性电磁钢板的制造方法-CN202180051593.2在审
发明人：山口广;今村猛;大村健;市原义悠 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C21D8/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种控制磁畴结构来降低铁损的取向性电磁钢板的制造方法中，即使在实施了去应力退火的情况下，也能够保持铁损降低效果，并且在磁畴控制处理后磁通密度不会降低的方法。
向性电磁钢板制造方法

[发明专利]一种高镍层状氧化物微区结构调控与制备方法-CN202111423407.1在审
发明人：王琳;尉海军;朱宝福;王银钟 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：从一次晶粒的尺寸、生长方向与体相微区晶畴结构调控角度，设计调控材料的结构，制备出一次晶粒沿着(001)方向择优取向生长、尺寸80‑nm组成的二次球形团聚体，并且材料体相以层状晶畴结构为主，同时还包括孪晶界面以及由于Li+/Ni2+混排导致生成的岩盐相晶畴结构。
一种层状氧化物结构调控制备方法

[发明专利]低铁损、高磁通密度取向电工钢板-CN201080054268.3有效
发明人：权五烈;车相润;韩赞熙;金在宽 -专利权人： POSCO公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C21D8/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种取向电工钢板，是一种在表面形成有多个线状槽并经过磁畴细化处理的取向电工钢板，其中，将从钢板表面到底部的槽深度为H，且从钢板表面的深度为槽深度的4/5以上的底面的水平长度为W时，所述槽深度和底面的水平长度满足关系并且，将磁畴细化处理的铁损改善效果极大化至约10-20％的同时，防止去应力退火后的磁通密度变差，从而可制造磁性极优秀的取向电工钢板。
低铁损高磁通密度取向电工钢板

[发明专利]一种多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点生成方法-CN202111667742.6有效
发明人：汉晶;孟洲;郭福;马立民;晋学轮;曹恒;吕伊铭;贾强;周炜;籍晓亮 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B23K1/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点生成方法，包括：对预制的多系焊球进行处理，得到备用焊球；对PCB板进行焊前预处理，得到备用PCB板；对备用焊球进行第一次焊接处理，使备用焊球与备用PCB板上的铜结合，得到凸焊点；对凸焊点进行去锡操作，得到IMC焊盘；对IMC焊盘和备用焊球进行第二次焊接处理，得到IMC凸焊点；对IMC凸焊点进行第三次焊接处理，得到多晶结构焊点。本申请通过形成多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点，降低焊点内部Sn取向不利的现象，延长焊点可靠性和使用寿命。本申请方法工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控。
一种多双孪晶组细小晶粒构成多晶结构生成方法

[发明专利]Mn－Fe基系反铁磁磁形状记忆合金-CN03116163.4无效
发明人：张骥华;陈树川;陈世朴;鲁萍 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-04-03 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： C22C22/00 文献下载
摘要：本发明Mn－Fe基系反铁磁磁形状记忆合金非属铁磁性，该合金可在反铁磁状态，在存在fct马氏体孪晶界，或不存在fct马氏体孪晶而存在反铁磁畴界的情况下都可获得磁形状记忆效应，按现测量结果显示，在多晶状态，在1T磁场下，最大已获得～0.1％的磁诱发负应变；如以穿过孪晶界的切应变γo＝(a/c)(1－C2/a2)估算，对应c/a＝0.96，切应变在单晶状态它的理论值亦可达到4％，与Ni2MnGa和Ni－Co
mn fe 基系反铁磁磁形状记忆合金

[发明专利]一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法-CN201010141341.2无效
发明人：马瑾;孔令沂;栾彩娜 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：该薄膜是具有单晶结构的外延材料，且薄膜内无孪晶和畴结构，薄膜的载流子迁移率高于61.2cm2V-1s-1。
一种掺杂氧化锆衬底制备立方结构氧化铟单晶薄膜方法

[发明专利]外延生长方法、外延结构及光电器件-CN202110351699.6在审
发明人：魏铁石;李雪飞;吴渊渊;陆书龙;杨文献;张雪 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明在初始形核阶段采用低温生长，能够有效抑制界面的起伏，获得光滑平整的界面，提高外延薄膜的结晶质量；能够抑制异质生长阶段的反相畴，减少孪晶、堆垛层错，降低位错密度。
外延生长方法结构光电器件

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