[发明专利]碘酸钾单晶的单畴化方法无效

专利信息
申请号: 91109478.4 申请日: 1991-10-10
公开(公告)号: CN1059570A 公开(公告)日: 1992-03-18
发明(设计)人: 王琇;张海龙;李和平;肖定全;焦志峰 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C30B33/04 分类号: C30B33/04;C30B33/02
代理公司: 四川大学专利事务所 代理人: 刘双兰
地址: 610064 *** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明给出了一种碘酸钾单晶的单畴化和去孪晶的方法。将碘酸钾晶体放入极化炉的硅油中,给晶体加热、加电场,或给晶体加热、加电场和加压力,在相变点72℃或212℃附近采用“温度振荡法”来消除晶体的孪晶和多畴结构(温度振荡范围为65℃-85℃或200℃-235℃),从而可获得光学均匀性好,满足光学器件制作要求的单畴碘酸钾晶体。本发明方法简便,易于操作。
搜索关键词: 碘酸 钾单晶 单畴化 方法
【主权项】:
1、碘酸钾单晶的单畴化方法,将碘酸钾样品放入极化炉的硅油中,采用对晶体加热、加电场,或加热、加电场和加压力的方法来去除孪晶和实现单畴化,其特征是:(1)采用了在相变点72℃附近的“温度振荡法”,并沿晶体中占主导地位的固有畴界走向施加电场。(2)采用了在相变点212℃附近的“温度振荡法”,并沿晶体的x方向施加电场和沿y方向施加压力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学,未经四川大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/91109478.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种磷酸氧钛铷晶体的单畴化方法-202310235347.3
  • 王鸿雁;王世武;聂奕;孙莽;张芳 - 青岛海泰光电技术有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-08-25 - C30B33/04
  • 本发明提供一种磷酸氧钛铷晶体的单畴化方法。包括以下步骤:制备磷酸氧钛铷晶体颗粒;采用制备的磷酸氧钛铷晶体颗粒,通过电子束蒸发沉积在待单畴化处理的极化面,形成沉积极化介质层;极化介质层沉积结束后,在其表面镀极化导电层;对沉积极化介质层和极化导电层的磷酸氧钛铷晶体进行极化处理。本发明可以实现简单、高效、单畴化完全的磷酸氧钛铷晶体的单畴化处理。
  • 一种周期极化KTP晶体制备方法-202310300328.4
  • 王东周;宋于坤;桑元华 - 济南量子技术研究院
  • 2023-03-27 - 2023-06-02 - C30B33/04
  • 本发明提出了一种周期极化KTP晶体制备方法,涉及非线性光学晶体制备技术领域,取KTP晶体测试片,在KTP晶体测试片双面制备电极,在KTP晶体测试片的双面电极上施加脉冲高压,测量实时电流和实时电阻率,在需要极化的KTP晶体正面制备周期性电极,计算出需要极化的面积,在KTP晶体正式片的双面电极上施加极化电压;在每个极化脉冲结束后,判断极化是否完成,通过判断实时的电荷量转移量,对离子电流和极化电流进行分离,获得实时的极化反转进度,从而判断极化是否完成。采用本发明的周期极化KTP晶体制备方法,可以准确地控制极化过程,获得高品质的PPKTP晶体。
  • 光学石英晶体的电扩散处理法及所用的夹持器组件-201710745240.8
  • 刘盛浦;易际让;黄玲香;刘盛涨 - 山东博达光电有限公司
  • 2017-08-25 - 2023-05-30 - C30B33/04
  • 本发明公开了一种光学石英晶体的电扩散方法,包括以下步骤:对于待电扩散处理的光学石英晶体的上、下表面均进行光洁度和平行度的处理,再进行清洁处理,然后放入夹持器组件中进行电扩散:先以1500±100V/cm计算施加直流电场强度后打开直流高压电场,然后以每小时40±5℃的速率升温至恒温温度后保温12±1小时,再以每小时40±5℃的速率降温至室温时关断直流高压电场;所述恒温温度为520~570℃。本发明还同时公开了上述夹持器组件。
  • 一种利用电子辐照减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗的方法-202211505570.7
  • 夏士兴;张丰发;谢文强;周龙;许聪;叶光超;付秋月;马天慧 - 黑龙江工程学院
  • 2022-11-28 - 2023-04-07 - C30B33/04
  • 一种利用电子辐照减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗的方法,它涉及一种减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗的方法。本发明解决现有高浓度掺杂的Fe2+:ZnSe晶体中存在着大量的Fe3+离子成分,导致在激光输入和输出波段形成额外的吸收,特别是近红外区0.5μm~2.6μm会出现较强吸收,影响了激光泵浦源的利用效率,表现为Fe2+:ZnSe晶体光谱的“吸收损耗”和“宽井袋”吸收效应明显的问题。方法:利用电子加速器对高浓度掺杂的Fe2+:ZnSe晶体进行电子辐照,且电子辐照过程中束流值逐步上升。本发明用于利用电子辐照减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗。
  • 微波加热制备复合薄膜的方法、复合薄膜及电子元器件-202111610461.7
  • 韩智勇;胡文;李真宇;张秀全;薛海蛟;刘亚明 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2021-12-27 - 2023-03-28 - C30B33/04
  • 本申请公开微波加热制备复合薄膜的方法、复合薄膜及电子元器件,包括:对单晶晶圆执行离子注入处理,采用的注入离子为极性离子,获得包含余质层、极性注入层和薄膜层三层结构的单晶晶圆注入片;在与所述单晶晶圆预匹配的非同质衬底晶圆的其中一面制作绝缘层得到衬底晶圆;将所述单晶晶圆注入片与所述衬底晶圆的绝缘层键合,得到键合界面含有极性分子的键合体;对所述键合体使用微波发生器执行预设工艺参数的加热处理,直至所述极性注入层与所述薄膜层分离,得到剥离所述余质层后的单晶压电复合薄膜;所述预设工艺参数包括:加热所述键合体至预设温度,并保持预设时长。采用上述制备方法,避免复合薄膜某一层或整体断裂,降低复合薄膜的生产成本。
  • 一种优化碳化硅晶片电阻率的辐照方法-202110867806.0
  • 刘晓星;魏汝省;赵丽霞;张峰;李鹏;范云;靳霄曦;牛玉龙 - 山西烁科晶体有限公司
  • 2021-07-29 - 2022-12-23 - C30B33/04
  • 本发明属于半导体材料加工技术领域,是一种优化碳化硅晶片电阻率的辐照方法;步骤包括:采用电子加速器对晶片进行辐照;先水平辐照晶片的小面区域;之后将晶片顺时针旋转90°,以晶片中轴线为界依次辐照中轴线一侧没有小面区域的区域和中轴线另一侧存在小面区域的区域;同时限定了电子加速器的输出功率、直流高压、电流、电子束流强度,以及辐照长度宽度、电子束出束口与辐照晶片的距离、辐照时间;本发明补偿了浅能级的非故意杂质缺陷,有效提升晶片的电阻率及晶片内与晶片间的电阻均匀性。
  • 一种单晶硅中子辐照装置及方法-202111542340.3
  • 吴瑞;张先萌;罗文广;刘荣;魏甫;王亚军;刘鹏;刘豪;彭芳;郑海川 - 中国核动力研究设计院
  • 2021-12-13 - 2022-10-04 - C30B33/04
  • 本发明公开了一种单晶硅中子辐照装置及方法,辐照系统包括单晶硅装备间、硅水池和堆厅,所述堆厅内布置有堆芯,所述堆芯内设置有单晶硅辐照孔道;还包括单晶硅装取平台、硅水池自动对中吊车、移动车和堆厅自动对中吊车。本发明所述单晶硅装取平台能够实现单晶硅在转运桶和硅桶之间切换,同时硅水池自动对中吊车、移动车和堆厅自动对中吊车能够实现将转运桶或硅桶吊装至指定位置;本发明解决了单晶硅辐照过程中操作人员劳动强度大、受到的辐射剂量大和单晶硅破损率高的难题,该工艺流程中操作人员起到辅助作用,自动化设备按照规划行为进行操作,而且该工艺高效、安全、可靠。
  • 一种小尺寸单晶极化装置-202210642845.5
  • 夏钰坤;夏文英 - 江西匀晶光电技术有限公司
  • 2022-06-08 - 2022-09-09 - C30B33/04
  • 一种小尺寸单晶极化装置,包括极化炉,极化炉内置坩埚,坩埚放置于坩埚托上,坩埚内裝盛有晶粉,单晶、电极立放悬置于坩埚内并被晶粉掩埋;还包括:收集池,位于极化炉下方;轴筒,设置于坩埚底部,其上设有外出料口,外壁上设置接触极化炉底的定位耳;出料筒,同轴设置于轴筒内部,一端向下贯穿坩埚托和极化炉后悬置于收集池上方,其上设有内出料口;转杆,固定连接于轴筒外露于极化炉的一端。本发明通过立放单晶的方式进行极化,提高了极化质量,同时本发明通过夹持组件一并夹持取放电极和单晶,对于单晶和电极的安装十分便捷,达到立放的目的,结合坩埚底部的晶粉泄放结构,有利于晶粉的回收和夹持组件的取放,特别适合小尺寸单晶的极化使用。
  • 一种大尺寸单晶立放极化装置及极化方法-202210591854.6
  • 夏宗仁;夏文英 - 江西匀晶光电技术有限公司
  • 2022-05-27 - 2022-08-30 - C30B33/04
  • 一种大尺寸晶体立放极化装置,包括:极化炉,其上设置可开启的炉门;坩埚,承载在可移动的坩埚托架上,内部悬置有待极化的晶体和电极,电极对称分布于晶体两侧,坩埚内裝盛有完全埋没晶体和电极的晶粉,电极在通电后于两电极之间产生电场,待极化晶体处于此电场内;晶体吊装组件,用于吊装取放晶体;电极吊装组件,用于吊装取放电极;吊装系统,连接控制晶体吊装组件或电极吊装组件。本发明通过立放晶体的方式对大尺寸晶体进行极化,提高了晶体的极化质量,同时分别通过与坩埚形状适配的晶体夹持组件、电极夹持组件吊装取放晶体、电极,达到立放的目的,还于坩埚底部设置控制晶粉排出的结构,特别适合用于大尺寸晶体的极化工艺。
  • 一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法-202210593140.9
  • 何小玲;赵炜迪;宋旭东;张昌龙;吴文渊;王金亮;周海涛;左艳彬 - 桂林百锐光电技术有限公司
  • 2022-05-27 - 2022-08-02 - C30B33/04
  • 本发明公开了一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法,包括以下步骤:(1)在磷酸钛氧钾晶体基材的‑Z面和+Z面分别制作第一电极和第二电极;(2)通过外加脉冲电压的方式对上述已经制作电极的磷酸钛氧钾晶体进行周期极化,并根据第一电极的尺寸设置电极线组的极化参数;(3)测试已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体畴壁横向展宽的实际宽度;(4)将已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体放入烘箱,并根据测试所得畴壁横向展宽的实际宽度设置烘箱的恒温温度以及时间。该方法通过高温退火使铁电畴在反转过程中的横向扩展回退,畴壁宽度接近理论值,从而实现对磷酸钛氧钾晶体反转畴的有效调控,提高晶片的转换效率,具有较好的应用前景。
  • 单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法-201980039589.7
  • 竹野博 - 信越半导体株式会社
  • 2019-05-13 - 2022-07-26 - C30B33/04
  • 本发明提供一种单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法,其中进行准备单晶硅基板的准备工序、粒子束照射工序及粒子束照射工序后的热处理工序,所述控制方法的特征在于,在进行准备工序之前,具有预先对试验用单晶硅基板照射粒子束后进行热处理并测定产生的缺陷密度的测定工序、以及取得所测定的缺陷密度与氮浓度的相关关系的相关关系取得工序,并基于已取得的相关关系,以使热处理工序后的单晶硅基板中的缺陷密度成为目标值的方式调节准备的单晶硅基板的氮浓度。由此提供一种在利用粒子束照射与热处理控制缺陷密度的器件的制造工序中,能够减小起因于单晶硅基板的缺陷密度的偏差,以高精度控制缺陷密度的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法。
  • 铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件-202111195202.2
  • 张国权;钱月照;张子晴;许京军 - 南开大学
  • 2021-10-13 - 2022-06-14 - C30B33/04
  • 本发明涉及铁电畴制备技术领域,具体而言,涉及一种铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件。铌酸锂晶体畴结构的制备方法包括以下步骤:用施加了电压的导电探针扫描铌酸锂晶体表面形成畴结构,其中导电探针在铌酸锂晶体表面形成的电场强度大于等于铌酸锂晶体发生极化反转的阈值电场强度,铌酸锂晶体为非极性的X切向或非极性的Y切向的晶体。本发明提供的制备方法对样品结构无要求,无需底电极,且能够制备出任意图案且完整的畴结构。本发明还提供了一种包括上述制备方法制得的铌酸锂晶体畴结构的光电器件。
  • 铌酸锂薄膜超晶格的制备方法-202011060218.8
  • 尹志军;崔国新;叶志霖;许志城 - 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
  • 2020-09-30 - 2022-03-08 - C30B33/04
  • 本申请提供一种铌酸锂薄膜超晶格的制备方法,包括:1)制备套刻标记;2)根据套刻标记,在x切的铌酸锂薄膜表面制备周期性叉指电极结构;3)在光刻好的叉指电极结构上镀金属电极;4)去除光刻胶,得到周期性叉指电极;5)在一侧叉指电极上接入电极正极,另一侧叉指电极接地,施加电场,使得叉指电极之间畴翻转,去除电极,得到第一周期性畴翻转结构;6)将套刻标记向右平移一个周期的距离,重复步骤2)~5),得到第二周期性畴翻转结构;7)重复执行步骤6),直至得到的所有畴翻转结构之间的间距相等,完成制备。采用前述的方案,采用多次套刻,多次电场极化,在x切的铌酸锂薄膜表面制备周期性的电极,制备出畴壁与z轴垂直的畴结构。
  • 一种紧凑型超高温加热台及高温加热设备-202110990364.9
  • 李浩;丁丁;魏伟;龚忠苗 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2021-08-26 - 2021-12-17 - C30B33/04
  • 本发明公开了一种紧凑型超高温加热台及设备,该超高温加热台包括安装法兰、两根支撑杆和样品台,每根支撑杆的一端连接样品台,另一端固定在安装法兰上;样品台内置加热源,以对样品台上的样品加热;每根支撑杆的内部中空而形成冷却液通道,样品台内开设有同时连通两个冷却液通道的空腔,两根支撑杆的伸出安装法兰的端部分别为冷却液的进口和出口。本发明的支撑杆兼做水冷管,利用其将样品台固定在安装法兰上的同时,还提供冷却液的传输通道,使得超高温的样品台可以安装在尺寸更小的法兰基座上,有利于提高结构的紧凑性。与此同时,本发明还采用电子束反射聚焦结构,提高了加热效率,实现达到2000K高温指标的同时满足CF35等小尺寸法兰安装的要求。
  • 一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺-202110575308.9
  • 马立强;闫志祥;张世平;马丹阳 - 焦作晶锐光电有限公司
  • 2021-05-26 - 2021-08-24 - C30B33/04
  • 本发明属于晶体加工技术领域的一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺,包括在硅碳棒退火炉中放置直径及高度均大于铌酸锂晶棒30mm的99氧化炉坩埚,将铌酸锂晶棒放置在99氧化铝坩埚中部,在铌酸锂晶棒上、下端均覆盖8~11mm厚多晶料块体层,在上下多晶料块体层上覆盖极性相反的第一电极片和第二电极片,使硅碳棒退火炉的炉温升至1150~1200℃并保温12个小时,保温过程中以铌酸锂晶棒的光轴方向按2mA/cm2施加电流;开始降温并停止施加电流,使硅碳棒退火炉的炉温降至室温。本发明工艺简单,生产成本低,可使铌酸锂晶体的单畴化完成度由60%提高至100%;同时避免了金属离子的侵入和晶体共融问题,晶体光电特性较好。
  • 一种He离子束加工单晶硅的损伤轮廓确定方法-201910601871.1
  • 幸研;邵天洋;陈乾潢;柴青 - 东南大学
  • 2019-07-05 - 2021-08-24 - C30B33/04
  • 本发明公开了一种He离子束加工单晶硅的损伤轮廓确定方法,该方法包括:(1)建立He离子束加工单晶硅的损伤轮廓函数;(2)确定标定实验工艺参数;(3)进行标定实验;(4)通过遗传算法,建立损伤轮廓函数系数与工艺参数的关系模型;(5)建立He离子束加工单晶硅损伤轮廓模型;(6)预测目标加工损伤轮廓。本发明建立了He离子束加工单晶硅的轮廓函数,并基于少量的He离子束加工单晶硅的实验数据,建立了一个损伤轮廓模型,通过该模型可以实现对目标的加工损伤轮廓的预测,具有成本低、效率高的优点,同时具有普适性。
  • 一种CVD钻石辐照的水冷容器装置-201911001817.X
  • 蒋荣方;刘宏明;王骏;赵芬霞 - 湖州中芯半导体科技有限公司
  • 2019-10-21 - 2021-05-07 - C30B33/04
  • 本发明公开了一种CVD钻石辐照的水冷容器装置,包括横梁、水冷降温装置和水循环装置,所述横梁贯穿设于水冷降温装置侧面,所述水循环装置设于水冷降温装置两相对侧壁上,所述水冷降温装置包括水冷降温件、入水口、出水口、内部托架、内槽和外槽,所述水冷降温件为中空腔体设置,所述内部托架设于水冷降温件内,所述外槽设于水冷降温件和内部托架之间的空隙,所述内槽设于内部托架内部,所述入水口和出水口分别设于水冷降温装置的两相对侧面,所述水循环装置通过入水口设于水冷降温件侧壁。本发明属于珠宝优化技术领域,具体是指一种可以放置辐照改色过程中CVD钻石碳化的CVD钻石辐照的水冷容器装置。
  • 一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法-202110043756.4
  • 毛开礼;魏汝省;赵丽霞;戴鑫;李天;乔亮;范云;李斌;靳霄曦 - 山西烁科晶体有限公司
  • 2021-01-13 - 2021-05-07 - C30B33/04
  • 本发明提出一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法,属于单晶硅生产加工技术领域;具体是采用高能粒子辐照碳化硅晶片,在碳化硅晶片引入点缺陷,以补偿碳化硅晶片浅能级缺陷;所述碳化硅晶片中的Al杂质浓度<1E15cm‑3,B、N两种浅杂质浓度分别<5E16cm‑3,采用高能粒子辐照剂量为0.3‑25MeV;辐照时间为0.1‑6h;本发明克服了在不使用深能级金属掺杂剂情况下实现半绝缘SiC晶圆片内和片间电阻率分布均匀的实际困难,不仅可以有效提升射频器件性能,同时可以提升产品一致性。
  • 基于PFM的铌酸锂纳米畴加工及成像方法-201810350423.4
  • 刘晓燕;吕思宜;贾碧 - 重庆科技学院;深圳先进技术研究院
  • 2018-04-18 - 2020-11-27 - C30B33/04
  • 本发明公开了一种基于PFM的铌酸锂纳米畴加工及成像方法,首先利用施加第一交流电压的导电探针扫描铌酸锂薄膜表面;其次利用施加第一直流电压的导电探针对扫描后的所述铌酸锂薄膜进行纳米畴加工;最后在施加第二交流电压的导电探针对畴加工后的铌酸锂薄膜进行纳米畴结构成像的同时,向所述铌酸锂薄膜表面施加第二直流电压。本发明的效果是,在铌酸锂纳米畴加工前对其施以交流电,能提高铌酸锂纳米畴的形成概率,从而提高铌酸锂纳米铁电存储器的容量;在铌酸锂纳米畴成像的同时施以直流电,能显著提升铌酸锂纳米畴结构成像分辨率,以验证是否反转形成了铌酸锂纳米畴,以及确定纳米畴的大小。
  • 一种控制铁电晶体电畴的方法和装置-202010535777.3
  • 叶红军 - 西京学院
  • 2020-06-12 - 2020-09-11 - C30B33/04
  • 本发明涉及铁电材料的制备技术领域,具体为一种控制铁电晶体电畴的方法和装置;包括激光发生器、高精密线性电流电压源、系统保护电路和有机玻璃夹具,所述有机玻璃夹具的中部设置有电解腔液和石英窗,有机玻璃夹具夹紧铁电晶体样品,所述高精密线性电流电压源的一极插入有机玻璃夹具的注液通道内,使用本方法极化的多畴化铁电晶体样品,铁电晶体尺寸减小,电畴密度提高,铁电晶体压电效应同晶体内部电畴结构密切相关,具有良好的压电热稳定性,铁电晶体尺寸效应削弱了本征压电效应随温度升高而升高的趋势。因此,在宽温度范围内压电常数保持不变,不随外界温度变化而变化。
  • 晶片的生成方法-201610079751.6
  • 平田和也;西野曜子;高桥邦充 - 株式会社迪思科
  • 2016-02-04 - 2020-09-01 - C30B33/04
  • 提供晶片的生成方法,从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有:分离起点形成步骤,将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片厚度的深度,并且使聚光点与锭相对地移动而对锭的正面照射激光束,形成与正面平行的改质层和从改质层沿着c面伸长的裂痕而形成分离起点;晶片剥离步骤,将形成有分离起点并且在上表面配设有保护部件的六方晶单晶锭浸渍在水中并且赋予超声波振动,而将板状物从六方晶单晶锭剥离。
  • 利用光响应行为制备异质结构材料的方法及其应用-201910288571.2
  • 李治洲;廖良生;王雪东 - 苏州大学
  • 2019-04-11 - 2020-06-05 - C30B33/04
  • 本发明公开了一种利用光响应行为制备异质结构材料的方法,包括:将材料部分地曝光于光辐射下,使得被辐射的部分与辐射光发生光响应行为,从而未被辐射的部分与被辐射的部分产生性质差异,形成异质结构材料。本发明还公开了所述的方法在制备有机单晶异质结构的光波导器件中的应用。本发明的利用光响应行为制备异质结构材料的方法,可以在不加入其他材料的情况下,直接对材料进行改性,从而制备异质结构晶体。
  • 退火炉设备-201920026363.0
  • 李文;龙占勇;沈晓琪;秦天;周凡;李涛 - 无锡奥特维科技股份有限公司
  • 2019-01-07 - 2020-01-10 - C30B33/04
  • 本申请揭示了一种退火炉设备,属于电池片退火技术领域。该本申请提供的退火炉设备可以实现对电池片的退火处理,且退火过程中温度可控,具体包括电池片输送装置、加热设备、保温设备和冷却设备,其中:电池片输送装置穿过加热设备、保温设备和冷却设备,加热设备对电池片输送装置上的电池片进行加热处理,保温设备对电池片输送装置上的电池片进行保温处理,冷却设备对电池片输送装置上的电池片进行冷却处理。本申请通过将加热装置、保温装置和冷却装置结合,实现对电池片输送装置上电池片的退火处理,提高电池片的使用寿命。
  • 半导体衬底生产系统和相关方法-201910465801.8
  • M·J·塞登 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2019-05-31 - 2019-12-10 - C30B33/04
  • 本发明涉及半导体衬底生产系统和相关方法。本发明公开了一种将晶圆与包括半导体材料的晶锭分离的方法,所述方法的实施方式可以包括:在包括半导体材料的晶锭中产生损伤层。所述晶锭可以具有第一端和第二端。所述方法可以包括冷却所述晶锭的所述第一端和加热所述晶锭的所述第二端。热梯度可以形成在所述冷却的第一端和所述加热的第二端之间。所述热梯度可以帮助碳化硅晶圆在所述损伤层处与所述晶锭分离。
  • 灯箱装置、保温装置及退火炉设备-201920026335.9
  • 李文;龙占勇;沈晓琪;秦天;周凡;李涛 - 无锡奥特维科技股份有限公司
  • 2019-01-07 - 2019-11-26 - C30B33/04
  • 本申请揭示了一种灯箱装置、保温装置及退火炉设备,属于电池片退火技术领域。该灯箱装置包括灯箱和散热板,灯箱内安装有至少一个LED灯管和至少一个加热灯管,散热板位于灯箱的一侧,散热板内开设有通孔,通孔内供空气和/或水流输送,以对灯箱的温度进行散热。本申请在进行保温时,通过设置加热灯管实现加热,通过在灯箱一侧安装散热板实现对灯箱处的散热,进而实现保温功效,同时加热和散热,加散热维持平衡,提高保温效果。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top