“原位生长”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果398794个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法-CN201310504623.8有效
发明人：裴兵兵;朱云洲;黄政仁;姚秀敏;袁明 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C04B35/524 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）浆料制备：将聚碳硅烷、催化剂、和溶剂混合球磨制得浆料，其中所述催化剂为铁、镍、和/或二茂铁；（2）真空高压浸渍纤维预制体放于空气中6小时以上进行交联固化制得预成型体；以及（4）高温裂解：将所述预成型体在保护气氛下以2～10℃/分钟的升温速率升温至1000～1300℃保温1～4小时，以在所述聚碳硅烷热解过程中在金属催化剂作用下原位生长SiC纳米线，从而制得所述原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料。
原位生长 sic 纳米增强复合材料及其制备方法

[发明专利]一种矿物掺合料表面原位生长水化硅酸钙的方法-CN201810226554.1有效
发明人：潘钢华;周飞飞;陆小军;朱祥;蒙海宁 -专利权人：东南大学;江苏镇江建筑科学研究院集团股份有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C01B33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种矿物掺合料表面原位生长水化硅酸钙的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）碱侵蚀：配制硅源的水溶液，并将矿物掺合料加入至水溶液中搅拌一段时间，得到矿物掺合料浆体；（2）化学共沉淀反应：向步骤（1）中的矿物掺合料浆体中滴加钙源，搅拌一段时间后抽滤、洗涤、干燥，即得矿物掺合料表面原位生长水化硅酸钙。且该方法制得的矿物掺合料表面原位生长水化硅酸钙能够显著提高水泥基材料的早期强度，并极好的改善水泥基材料的后期性能。同时，还可提高矿物掺合料的掺入量，实现矿物掺合料的大掺量化应用。
一种矿物掺合表面原位生长水化硅酸方法

[发明专利]一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO₂传感器-CN201710897155.3有效
发明人：沈岩柏;赵思凯;李停停;李国栋;魏德洲;高淑玲;韩聪 -专利权人：东北大学
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：发明涉及一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO₂传感器及其制备方法，属于一维金属氧化物半导体材料的气体传感器技术领域。一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO₂传感器，所述传感器由电极元件及均匀原位生长在电极元件表面的NiO薄膜组成，其中，所述NiO薄膜由NiO晶体颗粒构成，所述NiO晶体颗粒为面心立方相晶体结构
一种基于电极表面原位生长 nio 纳米薄膜 no2 传感器

[发明专利]原位组装一维纳米材料的方法和装置-CN201710019657.6有效
发明人：朱振兴;魏飞;白云祥 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种原位组装一维纳米材料的方法和装置，包括：将推送一维纳米材料的生长基底设置于基板或舟上，所述基板或舟连接于内部磁石，并且整体设置于管式加热炉的反应器内部；电机通过传动机构带动悬挂有外部磁石的滑轨在反应器的外部进行直线移动，利用外部磁石与内部磁石之间的磁力作用来控制所述基板或舟的移动速度；通过改变所述一维纳米材料在生长阶段时外部磁石的移动速度或调整所述生长基底初始设置的方式来实现所述一维纳米材料的缠绕、拉断或不同形状一维纳米材料的原位组装采用上述方法及装置可实现一维纳米材料的一步法原位组装，避免了因后期操纵引起的材料损伤，并可推广用于其他一维材料结构组装设计。
原位组装纳米材料方法装置

[发明专利]一种碳纤维表面原位生长聚合物粒子制备高性能复合材料的方法-CN201910723305.8有效
发明人：任明伟;刘莲英;王正;刘慧敏;高克玮;范广宏;陈蕴博 -专利权人：北京化工大学;北京机科国创轻量化科学研究院有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C08J5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纤维表面原位生长聚合物粒子制备高性能复合材料的方法。该方法是通过在室温下，在CF表面原位化学键接、生长聚合物粒子，对CF表面进行改性，从而提高CF与基材界面粘合力，提高复合材料性能。本发明中CF表面原位生长的粒子以化学键与CF相连，不易脱落；CF表面改性过程简单、快速且条件温和；不使用强酸或强氧化剂处理CF表面，对CF本身表面没有损伤；CF表面长出的粒子组成、尺寸、形貌、表面粗糙度和官能基团可调
一种碳纤维表面原位生长聚合物粒子制备性能复合材料方法

[发明专利]基于Cu(BDC)MOF多级结构的复合固态电解质膜及其制备方法-CN202010885911.2有效
发明人：余建明;鲁振达;王超;李世恒 -专利权人：南京大学;南京新纳材料科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：该复合固态电解质膜包括表面原位生长有连续的Cu(BDC)二维纳米片的无纺布，Cu(BDC)中开放的铜金属活性位点吸附自由锂离子。其制备方法为：配制对苯二甲酸配体溶液和醋酸铜溶液；将无纺布用对苯二甲酸配体溶液浸润后滴加醋酸铜溶液，原位生长得到连续的Cu(BDC)MOF；高温激活；滴加聚合物/锂盐凝胶、制得复合固态电解质膜。本发明以无纺布为载体，通过原位生长的方式构建连续的Cu(BDC)三维网络，利用激活后的开放的金属活性位点吸附阴离子、进而增加锂离子的浓度；三维连续网络为锂离子传导提供了路径，所得固态电解质膜具备高锂离子电导
基于 cu bdc mof 多级结构复合固态电解质膜及其制备方法

[发明专利]一种自支撑过渡金属硫化物薄膜电催化电极及其制备方法-CN201910847025.8有效
发明人：朱宏伟;王敏;张礼 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C25B11/075 文献下载
摘要：该电极包含活性材料和金属基底，所述活性材料为过渡金属硫化物薄膜，金属基底为过渡金属箔片，活性材料原位生长在金属基底上。本发明还公开了所述自支撑过渡金属硫化物薄膜电催化电极的制备方法，为表面辅助的化学气相传输法：将过渡金属箔片和硫粉真空密封在石英管中进行一步反应，在金属箔片表面原位生长过渡金属硫化物薄膜。该方法具有以下技术效果：过渡金属箔片不仅提供金属源，也是薄膜形核长大的基底，原位生长确保二者紧密结合；真空下反应，薄膜均匀纯净、结晶性好。
一种支撑过渡金属硫化物薄膜电催化电极及其制备方法

[发明专利]一种CNTs@TC4复合粉末的快速原位制备方法-CN202110853935.4有效
发明人：陈俊锋;卢锐涵;孙君伟;梁庆津;池海涛 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种CNTs@TC4复合粉末的快速原位制备方法，通过电泳沉积技术在TC4粉末表面附着纳米铁颗粒，结合等离子增强化学气相沉积技术在TC4粉末表面原位生长碳纳米管；首先对TC4粉末进行去油去脂预处理，接着以去离子水为溶剂配制硝酸铁溶液，将去油脂后的TC4粉末平铺在作为阴极的铝片上放入盛有电解质溶液的容器中进行电沉积从而制备得到用于在TC4粉末表面生长碳纳米管的催化剂前驱体，最后用等离子增强化学气相沉积法进行碳纳米管的原位生长
一种 cnts tc4 复合粉末快速原位制备方法

[发明专利]一种通过原位生长ZIFs纳米颗粒制备全热交换膜的方法及所制备的膜-CN202110262882.9有效
发明人：薛立新;李士洋;苌现;张秀敏 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过原位生长ZIFs纳米颗粒制备全热交换膜的方法及所制备的膜，以去离子水为溶剂，加聚乙烯醇为交联剂配制基础铸膜液，并将其均分为两份；取咪唑类配体与六水合硝酸锌分别溶于上述两份溶液中并命名为A与B；将聚乙烯醇与咪唑类配体、六水合硝酸锌、去离子水混合成铸膜液；将A溶液与B溶液通过溶剂法使其在铸膜液中反应，原位生长ZIFs纳米颗粒，制得含有ZIFs纳米颗粒的铸膜液；将所得的将铸膜液经过超声、静置脱泡后本发明通过原位生长可以有效的减少纳米颗粒的团聚现象，均匀的分散在功能层中，制备的膜具有较高的阻气透湿性能和全热交换性能，同时具有优异的稳定性。
一种通过原位生长 zifs 纳米颗粒制备热交换方法

[发明专利]一种改性碳刷电极及其制备方法-CN202010521169.7有效
发明人：邱峥辉;蔺存国;郑纪勇;赵婷 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二五研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01M4/96 文献下载
摘要：本发明属于微生物燃料电池技术领域，涉及一种改性碳刷电极及其制备方法，改性碳刷电极包括阳极和阴极，制备的工艺过程为：先对碳刷进行酸处理，在碳刷表面引入含氧官能团，利用水热合成的方法，在碳刷表面原位生长上铁氧化物纳米颗粒，再将表面生长有铁氧化物的碳刷浸入含有导电聚合物单体的乙醇混合溶液中，依次加入去离子水或含有纳米碳材料的溶液和盐酸，碳刷表面的铁氧化物与酸反应后，生成Fe3+，诱发碳纤维附近的导电聚合物单体发生原位聚合反应，形成导电聚合物薄膜或含有纳米碳材料的导电聚合物薄膜，得到改性碳刷阳极；进一步将改性碳刷阳极在惰性气氛下煅烧后，得到原位生长氮掺杂或者铁‑氮掺杂的氧还原反应催化剂碳刷阴极
一种改性碳刷电极及其制备方法

[发明专利]花球状镍铝水滑石/二氧化钛原位生长在片状二碳化三钛复合光催化剂的制备方法及应用-CN202110157416.4有效
发明人：梁倩;赵爽;李忠玉 -专利权人：常州大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01J23/755 文献下载
摘要：本发明涉及一种花球状镍铝水滑石/二氧化钛原位生长在片状二碳化三钛复合光催化剂的制备方法及应用，包括步骤：本发明制备花球状镍铝水滑石/二氧化钛原位生长在片状二碳化三钛(NiAl‑LDH/TiO原位生长在片状二碳化三钛(NiAl‑LDH/TiO2/TNS)复合光催化剂具有化学性质稳定
球状镍铝水滑石氧化原位生长片状碳化复合光催化剂制备方法应用

[发明专利]基于原位生长MIS结构的P-GaN高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202110658288.1有效
发明人：赵胜雷;赵杜钧;张进成;吴银河;刘爽;宋秀峰;李仲扬;朱丹;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原位生长MIS结构的P‑GaN高电子迁移率晶体管，包括衬底，衬底上从下至上依次设置有成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层的上部设置有源极、漏极和P‑GaN层，P‑GaN层的上部设置有原位生长的介质层本发明还提供了上述晶体管的制备方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，淀积成核层；S2、淀积缓冲层和沟道层；S3、淀积势垒层；S4、淀积P‑GaN层；S5、在P‑GaN层上原位生长一层介质层；S6、刻蚀P‑GaN
基于原位生长 mis 结构 gan 电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]基于原位生长MIS结构的垂直GaN肖特基二极管及其制备方法-CN202110658267.X有效
发明人：赵胜雷;赵杜钧;张进成;宋秀峰;吴银河;刘爽;李仲扬;朱丹;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原位生长MIS结构的垂直GaN肖特基二极管，包括衬底，其特征在于，所述衬底的底部设置有阴极，所述衬底的顶部从下至上依次设置有n+层和漂移区，漂移区顶部设置有原位生长的介质层，介质层的顶部设置有阳极本发明还提供了上述二极管的制备方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，对衬底进行预处理和热处理，在衬底上淀积n+层；S2、在n+层上，淀积厚度为1‑10μm的漂移区；S3、在GaN漂移区上，直接原位生长一层介质层
基于原位生长 mis 结构垂直 gan 肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]羊水多功能原位培养瓶-CN201820405532.7有效
发明人：陆碧玉;蒙毅军 -专利权人：柳州市妇幼保健院
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种羊水多功能原位培养瓶，包括细胞培养瓶瓶体和向一侧倾斜的瓶口，瓶口上设置有旋钮式瓶盖，瓶口下方的细胞培养瓶瓶体的内壁上设置有玻片凹槽，玻片凹槽内存放有玻片，玻片凹槽上设置有用于防止玻片脱出玻片凹槽的挡片本实用新型是一种可以用于羊水原位和消化法相结合的多功能培养瓶，该培养瓶中玻片处于最低位，利于细胞生长，对加样的要求不高，待羊水细胞生长到可以收获时，将玻片取出，进行原位收获；培养瓶内可加入培养液，让羊水细胞继续生长
玻片细胞培养瓶瓶口羊水培养瓶瓶体本实用新型羊水细胞原位培养收获培养液旋钮式瓶盖瓶盖消化密封结构瓶体内壁细胞生长一端设置生长上端面脱出挡片低位加样卡扣内壁尾端取出

[发明专利]原位外延生长宽光谱响应的Sb2-CN202310426964.1在审
发明人：张高科;朱小宁;李源 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及原位外延生长宽光谱响应的Sb2S3/BiO2‑x复合光催化剂的制备方法，通过水浴加热法制备硫化锑；将硫化锑、铋源和氢氧化钠混合，通过水热反应得到原位外延生长宽光谱响应的Sb2S3/BiO<一种原位外延生长宽光谱响应的Sb2S3/BiO2‑x复合光催化剂由所述制备方法制得一种原位外延生长宽光谱响应的Sb2S3/BiO2‑x复合光催化剂在可见光和近红外光下降解有机污染物方面的应用
原位外延生长光谱响应 sb base sub