专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]测量单层或多层样品的层的层和声速的方法和测量装置-CN201880064992.0有效
  • 斯文·埃伯特 - 弗莱克森柔性工业计量有限公司
  • 2018-10-04 - 2022-02-25 - G01B17/02
  • 本发明涉及对无法达到其内侧或下侧的管道、容器或者板(以下称为样品)的壁的测量。除此之外,本发明还涉及这些样品的涂层或者衬里的层的测量。公开了借助于以一发一收和脉冲回波配置方式的超声波发射器和超声波接收器的专门测量装置以及用于在不预知样品中的声速的情况下确定壁的相关方法。本发明的目的在于,不依赖于对样品(例如管壁、容器壁或者板)的声速的认知,测量样品的壁。另一目的在于,在不预知其声速的情况下,测量多层系统(例如具有涂层或衬里的管壁)的单个层。该方法和测量装置使得能够不依赖于对样品(例如管壁、容器壁或板)的声速的认知,测量壁。这使得管道的壁和内径的测量不确定度得以降低,并且由此使得外夹式超声波流量计的测量不确定度得以降低。
  • 测量单层多层样品声速方法装置
  • [发明专利]一种二次谐波测量方法及测量仪器-CN202110139360.X在审
  • 李博;赵泓达;王磊;王然;张紫辰;张昆鹏;滕瑞;刘海南;赵发展 - 中国科学院微电子研究所
  • 2021-02-01 - 2022-08-02 - G01N21/63
  • 本申请公开一种二次谐波测量方法及测量仪器,方法包括:获取第一光信号,所述第一光信号通过滤掉经过待测样品反射回来的反射基波光信号获得;获取第二光信号,所述第二光信号包括经过所述待测样品反射回来的反射基波光信号;根据所述第二光信号,提取膜信息光信号,所述膜信息光信号包括带有所述待测样品对应位置处的膜信息的光信号;将所述第一光信号去除掉所述膜信息光信号,得到所述待测样品对应位置处的缺陷二次谐波信号;对所述缺陷二次谐波信号进行缺陷参数提取,得到所述待测样品对应位置处的缺陷参数。能够解决膜的波动会影响二次谐波,从而影响二次谐波对于样品缺陷的表征,降低缺陷参数提取的精度的问题。
  • 一种二次谐波测量方法测量仪器
  • [发明专利]测定装置及膜测定方法-CN202180091886.3在审
  • 大塚贤一;井口和也;中村共则 - 浜松光子学株式会社
  • 2021-11-04 - 2023-09-19 - G01B11/06
  • 本发明的膜测定装置是测定制造工序中的样品的膜的厚度的膜测定装置,具备:透镜,其将在制造工序中产生且在样品的一面反射的光(等离子体光)聚光;倾斜分色镜,其在规定的波长域透过率及反射率根据波长而变化,并且将由透镜聚光的光通过透过及反射来进行分离;区域传感器,其对通过倾斜分色镜而分离的光进行拍摄;以及控制装置,其基于来自拍摄了光的区域传感器的信号而推定样品的膜,求出样品的一面的膜分布,在样品反射的光包含:倾斜分色镜的规定的波长域中包含的波长的光
  • 测定装置方法
  • [实用新型]用于地质勘探的土质样品储存装置-CN202020182749.3有效
  • 翟黎明;李争;权军明 - 翟黎明
  • 2020-02-19 - 2020-09-25 - B62B3/10
  • 提供一种用于地质勘探的土质样品储存装置,包括箱体,箱体内腔底部通过隔板分隔成多个小格,每个小格中设有减震垫,减震垫上设有与土质样品瓶底部适配的凹槽,箱体内腔中部设有对土质样品瓶中部进行限位的限位架,箱体上部设有箱盖,土质样品瓶上部盖有瓶盖,箱盖上对应每个土质样品瓶的位置而设有单瓶进出口,单瓶进出口通过单瓶进出盖盖合,单瓶进出盖上设有将箱体内对应的土质样品瓶的瓶盖压住的旋动压紧装置。本实用新型通过下部减震垫、中部限位环以及上部旋动压紧装置进行限位,有效防止土质样品瓶晃动碰撞,通过单瓶进出盖的设置,使箱体中每个土质样品瓶的放置以及进出独立设置,相互不影响,保证每个土质样品瓶的储存稳定可靠
  • 用于地质勘探土质样品储存装置
  • [发明专利]一种中间涂层最小膜的确定方法-CN202310522556.6在审
  • 陈林;熊芬;王冉冉;兰维;吴俊雄 - 东风汽车集团股份有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-08-29 - G01N21/31
  • 本申请公开了一种中间涂层最小膜的确定方法,涉及涂层厚度确定技术领域,其包括:制作具有不同中间涂层膜的油漆漆膜样品,分别测量每个油漆漆膜样品于预设波段的紫外可见光的透过率;获取设定波长的透过率、以及各波长区间的平均透过率;分别获取每个油漆漆膜样品下,设定波长的透过率与各平均透过率的平均值,构建中间涂层膜模型,并获取模型参数;根据设定波长的透过率最大限制、各波长区间的透过率最大限制、以及模型参数,分别获取设定波长、以及各波长区间对应的最小膜,并以各最小膜中的最大值与安全系数的乘积,作为中间涂层的最小膜。本申请,不仅最小膜的确定过程简单,极大地减少了确定时间,节约确定成本。
  • 一种中间涂层最小确定方法
  • [发明专利]一种检测并消除热处理硅晶圆应力缺陷的方法-CN202310945124.6在审
  • 吴泓明;钟佑生;黄郁璿;孙楠;冯晨萁 - 郑州合晶硅材料有限公司
  • 2023-07-31 - 2023-10-03 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种检测并消除热处理硅晶圆应力缺陷的方法,包括以下步骤:S1.取测试样品,模拟硅晶圆生产热处理工艺参数进行热处理,使样品表面生长氧化层,选取监测点对样品不同位置氧化层膜进行监测,同时对样品是否发生应力缺陷进行监测;S2.调节热处理工艺参数,使样品边缘和pinmark位置产生应力缺陷,分别将样品边缘和pinmark位置产生应力缺陷时的监测点膜差值作为上限值和下限值;S3.采用步骤S1的热处理工艺参数对硅晶圆产品进行热处理生产时,选取同样的监测点对膜进行监测,当监测点膜差值不在上限值和下限值之间时,及时调节热处理工艺参数,避免应力缺陷产生,提高了热处理硅晶圆良率。
  • 一种检测消除热处理硅晶圆应力缺陷方法
  • [发明专利]短脉冲激光超声精确测方法及装置-CN02100479.X无效
  • 潘新宇;龚旗煌;陈徐宗 - 北京大学
  • 2002-02-05 - 2004-02-04 - G01B17/02
  • 本发明公开了一种短脉冲激光超声精确测方法及装置,测方法是利用超快的短脉冲激光束在待测样品前表面激发声波,声波传到后表面时,引起样品后表面发生形变,另一束从样品后表面反射的探测光会由于这次形变而发生第一次偏转;声脉冲到达后表面后又从后表面向前表面反射,再从前表面反射回后表面,完成一个反射周期,这时探测光就会探测到时间上有一定延迟的第二次偏转;两次偏转的时间差乘以声波在样品中的传播速度,再除以二就是样品的厚度实现测方法的测装置由光源、分光系统、聚焦系统和接收系统组成。用本发明的方法和装置可以对非常薄的单层样品的厚度,以及厚度的差值进行测量。
  • 脉冲激光超声精确方法装置

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