“压电薄膜层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2879382个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种自发电智能手环-CN201920179777.7有效
发明人：谢欣岳;罗洋洲;张勇;吴先伟;李志明;王阳阳;孙亮飞 -专利权人：新疆金牛能源物联网科技股份有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：解决现有智能手环续航时间短的问题，该智能手环包含手环本体，所述手环本体上设有至少一组自发电装置(2)，该自发电装置(2)包含由结构外壁构成的发电腔室(20)和转换模块(21)，所述发电腔室(20)内设有至少一层压电薄膜(22)，所述的至少一层压电薄膜(22)呈由外向内的层状结构并在内部形成空腔(26)，压电薄膜(22)层之间以及压电薄膜(22)与发电腔室(20)结构外壁之间设有易形变恢复的绝缘层(23)，在压电薄膜(22)内部形成的空腔(26)中设有若干滚珠(24)，所述滚珠(24)在空腔(26)内呈活动状并可撞击空腔(26)外的压电薄膜(22)层。
压电薄膜手环发电腔空腔智能自发电装置结构外壁手环本体自发电滚珠绝缘层内部形成空腔本实用新型层状结构形变恢复由外向内转换模块续航活动状

[发明专利]一种柔性集成化超声换能器及其制备方法-CN201010204614.3有效
发明人：刘玉荣;姚若河;韦岗 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：一种柔性集成化超声换能器，由有机薄膜晶体管和压电传感器集成而成，具体是依次由基底、防潮隔离层、源漏电极、半导体薄膜层、栅介质层、栅电极层、电信号耦合层、压电薄膜层、电极层和超声耦合层构成。本发明为了便于制备二维柔性超声换能器阵列，采用柔性PET作为基底，PET基底上沉积一层二氧化硅薄膜用于隔离湿汽；用PVDF薄膜作为超声传感器的压电材料具有压电性能好、低声阻抗、与水和有机体具有良好的声阻抗匹配，从而使灵敏度提高、频带变宽；PVDF薄膜的高柔顺性为压电传感器集成提供良好的技术基础。采用有机薄膜晶体管作为内置信号放大，提高增益和信噪比，改善抗干扰能力。
一种柔性集成化超声换能器及其制备方法

[实用新型]一种柔性集成化超声换能器-CN201020231298.4无效
发明人：刘玉荣;姚若河;韦岗 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G10K9/122 文献下载
摘要：一种柔性集成化超声换能器，由有机薄膜晶体管和压电传感器集成而成，具体是依次由基底、防潮隔离层、源漏电极、半导体薄膜层、栅介质层、栅电极层、电信号耦合层、压电薄膜层、电极层和超声耦合层构成。本实用新型为了便于制备二维柔性超声换能器阵列，采用柔性PET作为基底，PET基底上沉积一层二氧化硅薄膜用于隔离湿汽；用PVDF薄膜作为超声传感器的压电材料具有压电性能好、低声阻抗、与水和有机体具有良好的声阻抗匹配，从而使灵敏度提高、频带变宽；PVDF薄膜的高柔顺性为压电传感器集成提供良好的技术基础。采用有机薄膜晶体管作为内置信号放大，提高增益和信噪比，改善抗干扰能力。
一种柔性集成化超声换能器

[实用新型]RF MEMS滤波器-CN201820031280.6有效
发明人：汪泉;张树民;王国浩 -专利权人：杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H03H9/46 文献下载
摘要：本实用新型提出一种RF MEMS滤波器，包括：硅衬底或者压电基板；沉积在所述硅衬底上的压电薄膜；沉积于压电基板或者压电薄膜上的金属电极；填充于金属电极之间的绝缘层，以及沉积于金属电极和绝缘层上的压电层，以此实现声表面波(SAW)滤波；沉积于上述压电层上的温度补偿层。本实用新型使用了双压电层，可以通过压电层材料的搭配以及薄膜晶体取向和厚度控制，调节器件的机电耦合性能；同时相比于传统的单压电层SAW，在获得相同频率器件的过程中可有效降低对光刻的线宽要求。
压电层沉积金属电极绝缘层本实用新型压电薄膜压电基板硅衬底温度补偿层压电层材料薄膜晶体调节器件厚度控制机电耦合频率器件声表面波传统的滤波取向线宽填充搭配

[发明专利]压电薄膜元件-CN97113029.9无效
发明人：武内幸久;木村浩二;高桥正郎 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 1997-05-26 - 公布日： 1998-01-21 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：压电薄膜型元件包括接续地整体设在堆在陶瓷基片(12)上构成的压电工作层,一个单一的平薄膜型下电极(16),一压电层(18)和包括多个交替设置的条形电极(20a,20b)上的电极(20)。第一、二电极及压电层(18)构成第一压电工作装置,而第二电极及压电层(18)构成第二压电工作装置。上述压电工作层上没堆着其它的压电层。这样压电薄膜型元件可充分利用压电工作段的工作性能,作用好,尺寸紧凑及可在低电压下工作。
压电薄膜元件

[发明专利]一种基于多次键合工艺的薄膜体声波谐振器的制备方法-CN202210447543.2在审
发明人：董树荣;轩伟鹏;刘刚;丁睿;金浩;高峰;骆季奎 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多次键合工艺的薄膜体声波谐振器的制备方法，包括采用第一次晶圆键合方法制备第一压电薄膜结构，去除第一衬底，并在压电薄膜层表面沉积第二电极，在第二电极表面沉积牺牲层得到第二压电薄膜结构；对第二压电薄膜结构采用第二次晶圆键合方法得到第三压电薄膜结构；减薄第二衬底，在减薄的第二衬底上开窗口至保护层表面得到第一窗口，通过第二窗口在第一电极上沉积金属pad层，通过第三窗口在第二电极上沉积金属pad层，将腐蚀液加入第四窗口腐蚀牺牲层形成空腔，得到最终薄膜体声波谐振器。该方法能够避免制备过程中压电薄膜的崩裂，提升产品良率以及性能。
一种基于多次工艺薄膜声波谐振器制备方法

[发明专利]一种复合压电基体及其制备方法-CN202110963337.2在审
发明人：吴剑波;尹志军;叶志霖;倪荣萍;张虞;李胜雨;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本申请提供一种复合压电基体及其制备方法，所述复合压电基体包括釉料层(1)以及压电薄膜层(2)，所述方法选用主要成分为二氧化硅的釉料充当复合压电基体的基底，通过涂覆与压电薄膜层(2)熔接为一体，所述方法最高工艺温度不超过550℃，对键合面表面粗糙度要求低，并且，所述釉料对压电薄膜层(2)无损伤，所述复合压电基体还可以包括基底层(3)，所述釉料则作为粘结剂，将所述基底层(3)与所述压电薄膜层(2)粘结于一体形成所述复合压电基体，所述釉料对所述基底层(3)也无损伤，所用熔接设备成本低，能够提高生产效率，降低生产材料成本，准接层与压电晶体层的晶格常数无需接近。
一种复合压电基体及其制备方法

[发明专利]声表面波滤波器与封装方法-CN202110266848.9在审
发明人：陈景 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种声表面波滤波器与封装方法，该声表面波滤波器包括晶圆、电极层、密封墙体、塑封结构及盖板；其中，晶圆包括以晶圆键合方式结合的衬底层与压电薄膜层，电极层设置于压电薄膜层的顶面；塑封结构包覆于衬底层的底面以及衬底层与压电薄膜层的侧面，密封墙体的底面同时覆盖于塑封结构的第一表面与压电薄膜层的部分顶面，从而能够有效增加密封墙体的宽度，提升声表面波滤波器的可靠性；密封墙体在压电薄膜层与盖板之间包围形成密封空腔，盖板包括第一材料层与第二材料层，采用的材料分别与衬底层与压电薄膜层采用的材料相同，从而能够缩小盖板与晶圆的温度膨胀系数差异，有效的增强声表面波滤波器的温度稳定性。
表面波滤波器封装方法

[发明专利]复合式薄膜风光电池及其制作方法-CN201210362890.1有效
发明人：刘静;代丹 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合式薄膜风光电池，包括：两块薄膜太阳能电池和压电薄膜，所述两块薄膜太阳能电池分别位于所述压电薄膜的上、下表面，所述压电薄膜的厚度范围是9～90μm，该压电薄膜的材料为：偏聚氟乙烯、氮化铝、氧化锌、硫化镉或压电陶瓷；其制作方法为：在压电薄膜上、下表面依序制作包括：金属背电极、光吸收层、过滤层、窗口层、减反射层和金属栅电极层。本发明提供的复合式薄膜风光电池及其制作方法，可部分缓解当前的能源危机，可以同时把低能量密度、低品位的太阳能和风能利用起来；提高了土地资源的利用率；提高了取之不尽、用之不绝的新型能源的利用率；绿色低碳环保
复合薄膜风光电池及其制作方法

[实用新型]超声波生物识别装置和电子设备-CN201721165980.6有效
发明人：郭宏伟 -专利权人：南昌欧菲生物识别技术有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：该超声波生物识别装置包括薄膜晶体管、压电层、导电层、防护层和声匹配层。压电层层叠在薄膜晶体管上；导电层设置在薄膜晶体管和压电层上，并与薄膜晶体管共同配合收容压电层；防护层层叠在导电层上，防护层为亚克力胶层，且防护层的厚度不超过1微米；声匹配层层叠在防护层上。该超声波生物识别装置能够避免导电层的氧化腐蚀和刮伤问题。
超声波生物识别装置电子设备

[发明专利]弹性波装置-CN201980042056.4在审
发明人：大门克也;奥永洋梦;小柳卓哉 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：谐振部(12、13)各自包含：压电薄膜(20)；IDT电极(40)，配置在压电薄膜(20)上；和支承层(30)，配置为在俯视弹性波装置(100)的情况下包围压电薄膜(20)的周围。支承层(30)具有与压电薄膜(20)不同的线膨胀系数。谐振部(12)的压电薄膜和谐振部(13)的压电薄膜被处于谐振部(12)与谐振部(13)之间的支承层(30)分割。
弹性装置

[发明专利]一种带有内嵌式薄膜电路的柔性1-3型压电复合材料及其制备方法-CN202210920843.8在审
发明人：秦雷;郝少华;仲超;王丽坤 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10N30/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有内嵌式薄膜电路的柔性1‑3型压电复合材料及其制备方法。该柔性1‑3型压电复合材料包括柔性1‑3型压电复合层、正极电极层、负极电极层、正极内嵌式薄膜电路层和负极内嵌式薄膜电路层；柔性1‑3型压电复合层包括周期性排列的压电小柱材料与柔性聚合物材料；正极电极层和负极电极层分别覆盖于周期性排列的压电小柱材料的两侧；正极内嵌式薄膜电路和负极内嵌式薄膜电路分别覆盖于正电极层、负电极层两侧；内嵌式薄膜电路包括周期性排列的节点结构和周期性排列的弯曲连接结构，周期性排列的弯曲连接结构内嵌于所述柔性聚合物材料中。本发明解决了现有柔性压电材料不能任意弯曲并且不能用作大功率发射换能器的问题。
一种带有内嵌式薄膜电路柔性压电复合材料及其制备方法

[发明专利]一种基于纳米压电材料的集成化柔性触觉传感器及其制备方法-CN201811184757.5在审
发明人：刘玉荣;向银雪;姚若河;耿魁伟;韦岗 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米压电材料的集成化柔性触觉传感器，由柔性基底、有机半导体薄膜层、源/漏电极、栅介质层、栅电极层、纳米压电薄膜层和上电极层构成；所述有机半导体薄膜层、源/漏电极、栅介质层、栅电极层构成有机半导体薄膜晶体管；所述纳米压电薄膜层为四脚针状氧化锌纳米结构压电薄膜层。
柔性触觉传感器压电薄膜层集成化有机半导体薄膜层纳米压电材料源/漏电极栅电极层栅介质层制备有机半导体薄膜大面积阵列抗干扰能力针状氧化锌仿生机器高分辨率高灵敏度纳米结构柔性基底电极层晶体管高信四脚皮肤应用

[发明专利]柔性基底的压电能量采集器及制备方法-CN201110279022.2无效
发明人：杨斌;唐刚;刘景全;杨春生;李以贵 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机电系统技术领域的柔性基底的压电能量采集器及制备方法，该采集器包括：硅固定基座、聚对二甲苯基压电薄膜层和质量块，所述聚对二甲苯基压电薄膜层一端固定在硅固定基座上，另一端悬空并与质量块固定连接聚对二甲苯基压电薄膜层由聚对二甲苯层及附于聚对二甲苯层上的压电薄膜层，压电薄膜层表面覆盖电极层。与现有的硅基MEMS压电能量采集器相比，其能有效提高器件的尖端位移，进而提高器件的输出特性，具有转换效率高等特点。该器件不但结构简单，制作容易，体积减小，并且它可运行于低频环境中，可有效地克服MEMS压电能量采集器输出功率较低的问题。
柔性基底压电能量采集制备方法

[发明专利]低温晶化的BZT-BCT压电薄膜的制备方法-CN201410154935.5无效
发明人：迟庆国;张昌海;陈阳;刘刚;崔洋;何霞霞;王语柠 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：低温晶化的BZT-BCT压电薄膜的制备方法，它涉及一种Ba系压电薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有Ba系压电薄膜材料晶化温度过高，不利于节能和与大面积Si集成使用的技术问题，本方法如下：制备溶液F，溶胶E；制备溶胶D；制备钛酸铅镧钙溶胶；制备锆钛酸钡钙溶胶；在基底上制备种子层薄膜，在种子层薄膜上旋转涂覆锆钛酸钡钙溶胶，热分解，晶化处理，即得。本发明的BZT-BC压电薄膜在700℃晶化处理下生成钙钛矿结构，表现出较为优良压电性能。通过PLCT种子层的引入，在500℃的低温晶化下的BZT-BCT压电薄膜也生成了钙钛矿结构，表现出同样的优良的压电性能。本发明属于压电薄膜的制备领域。
低温 bzt bct 压电薄膜制备方法