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[发明专利]一种压电传感器、其制作方法及触觉反馈装置-CN202180001322.6在审
发明人：陈右儒 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N30/30 文献下载
摘要：本公开提供了一种压电传感器、其制作方法及触觉反馈装置，其中，所述压电传感器包括：衬底基板，以及依次背离所述衬底基板设置的第一电极层、压电薄膜层、绝缘层和第二电极层，其中，所述绝缘层与所述压电薄膜层的至少部分接触用于避免压电传感器短路，提高产品良率。
一种压电传感器制作方法触觉反馈装置

[发明专利]使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件及其制造方法-CN03812317.7无效
发明人：秋山守人;上野直广;立山博;砂川佳敬;梅内芳浩;地主启一郎 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：一种使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件及其制造方法。本发明的目的在于，提供一种在玻璃基板等廉价的基板上不介入密接层而直接由W层形成下部电极，由此形成没有隆起或裂纹或剥离、而且构成c轴超高取向的氮化铝薄膜的高性能的压电元件。本发明的使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件具有在基板上顺序形成下部电极、压电体薄膜、上部电极的叠层结构，并且没有隆起、裂纹或剥离，其特征在于，下部电极由W的(111)面与基板面平行的取向性W层形成，而且压电体薄膜由摇摆曲线半价宽度(RCFWHM)为小于等于2.5°的c轴取向氮化铝薄膜形成。
使用超高取向氮化薄膜压电元件及其制造方法

[发明专利]一种压电-摩擦电叠层结构的触觉传感器及其制备方法-CN202110823151.7在审
发明人：于军胜;吴梦鸽;张大勇;李嘉文 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种压电‑摩擦电叠层结构的触觉传感器，从下至上依次包括衬底、电极、压电活性层和摩擦电活性层，压电活性层为锆钛酸铅薄膜，摩擦电活性层为聚二甲基硅氧烷薄膜，锆钛酸铅薄膜和聚二甲基硅氧烷薄膜均为多孔蓬松状；本发明通过多孔蓬松的锆钛酸铅薄膜和多孔蓬松的聚二甲基硅氧烷薄膜分别作为压电活性层和摩擦电活性层，在相同压力下，多孔结构能更有效传递压力，实现更强的电输出功率以及更有效重建触觉信息；通过银纳米线的几何结构的图案化设计以及蓬松多孔的锆钛酸铅薄膜和聚二甲基硅氧烷薄膜
一种压电摩擦电叠层结构触觉传感器及其制备方法

[发明专利]一种基于压电薄膜的硅波导声光调制器件-CN202210470997.1在审
发明人：孙军强;黄楚坤 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02F1/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于压电薄膜的硅波导声光调制器件，属于集成光学技术领域，该器件自下至上依次包括硅衬底(1)、埋氧层(2)、硅波导层(3)、缓冲层(4)、压电薄膜(5)和叉指换能器(6)。叉指换能器(6)在外加电信号的驱动下，使压电薄膜(5)内部形成周期性的电场并通过压电效应激励起声场，最终在硅波导层(3)的总线波导中实现不同光场模式与声场的相互作用，并通过非对称定向耦合器实现对不同光场模式的复用或解复用本发明通过电驱动压电薄膜在非压电的硅波导中实现单边带声光调制，能够独立调控声场和光场，而且缓冲层(4)的引入解决了硅波导中光传输损耗较大和压电薄膜的晶体生长质量劣化的问题。
一种基于压电薄膜波导声光调制器件

[发明专利]一种声子晶体及薄膜压电声波传感器-CN201910420968.2有效
发明人：周连群;李传宇;唐玉国;李敬 -专利权人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G10K9/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜压电声波传感器，包括：层叠设置的衬底层、地电极层和压电层，压电层远离地电极层的一侧设置有至少一个换能器；换能器的两侧分别设置有至少形成于压电层的声子晶体，薄膜压电声波传感器的谐振频率位于声子晶体的带隙内上述的薄膜压电声波传感器，将声子晶体至少设置于压电层上，使压电层机械振动的稳定性提高，对声波反射率提高，声波传输的能量损耗降低，传感器品质因数提升。本发明公开了一种声子晶体，包括基体和形成于基体上的散射体，基体由至少两层介质层层叠形成，任意一层介质层的材料与其他介质层不同。上述声子晶体能有效减少声波能量损耗，应用于薄膜压电声波传感器中能够有效提高传感器的品质因数。
一种晶体薄膜压电声波传感器

[发明专利]一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN201410097731.2有效
发明人：张睿;钟慧;成英楠;石玉;焦向全;杨杰;赵宝林;何泽涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法，包括衬底、空气腔、底电极层、压电层与顶电极层。该谐振器使用石墨烯作为器件的电极层，在该器件结构中无需使用支撑层，石墨烯底电极层与衬底的凹槽形成空气腔。底电极层上设置压电层，压电层上设置顶电极层。同时，使用本发明所述牺牲层制备工艺，能克服传统工艺中对高精度化学机械抛光设备的依赖，缩短研磨时间，快速得到平整的牺牲层表面。该新型压电薄膜体声波谐振器结构新颖，能够制备出高Q值，高机电耦合系数的压电薄膜体声波谐振器，可用于后续射频通信系统中滤波器、双工器以及多工器的制作，也可与不同的敏感薄膜相结合制作各种高性能传感器。
一种压电薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种激光剥离方式制备单晶薄膜体声波谐振器的方法-CN202111003699.3有效
发明人：董树荣;轩伟鹏;刘刚;金浩;骆季奎;刘舒婷 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种激光剥离方式制备单晶薄膜体声波谐振器的方法，该方法通过离子注入的方式，仅对单晶压电薄膜生长衬底进行处理或者对已经沉积单晶压电薄膜层后的单晶压电薄膜生长衬底进行处理，从而使单晶压电薄膜生长衬底表面形成缺陷层，然后再通过退火工艺，使所述缺陷层表面形成衬底修复层；最后在器件制备过程中，通过激光辐照，使所述缺陷层分解，从而实现衬底与器件的分离。本发明的方法可以解决单晶FBAR制备过程中衬底机械减薄带来的单晶薄膜损伤而严重影响器件性能的问题，且能够回收利用衬底，降低制备成本。
一种激光剥离方式制备薄膜声波谐振器方法

[发明专利]一种PVDF压电薄膜冲击监测传感器-CN201710845678.3在审
发明人：齐宝欣;阎石;李宜人;毕加亮 -专利权人：沈阳建筑大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种PVDF压电薄膜冲击监测传感器，包括PVDF压电薄膜、正电极层、负电极层、上保护层和下保护层；PVDF压电薄膜上下表面分别覆盖正电极层和负电极层；采用双面压力焊接将正极导线和负极导线与正电极层和负电极层连接；正电极层和负电极层上覆盖有绝缘层；下保护层表面设有凹槽，将覆盖有正电极层、负电极层和绝缘层的PVDF压电薄膜放置在下保护层的凹槽内；上保护层通过环氧树脂胶与下保护层粘接在一起，形成空腔体，对PVDF压电薄膜密封保护
一种 pvdf 压电薄膜冲击监测传感器

[实用新型]一种PVDF压电薄膜冲击监测传感器-CN201721198995.2有效
发明人：齐宝欣;阎石;李宜人;毕加亮 -专利权人：沈阳建筑大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种PVDF压电薄膜冲击监测传感器，包括PVDF压电薄膜、正电极层、负电极层、上保护层和下保护层；PVDF压电薄膜上下表面分别覆盖正电极层和负电极层；采用双面压力焊接将正极导线和负极导线与正电极层和负电极层连接；正电极层和负电极层上覆盖有绝缘层；下保护层表面设有凹槽，将覆盖有正电极层、负电极层和绝缘层的PVDF压电薄膜放置在下保护层的凹槽内；上保护层通过环氧树脂胶与下保护层粘接在一起，形成空腔体，对PVDF压电薄膜密封保护
一种 pvdf 压电薄膜冲击监测传感器

[发明专利]一种调节光学谐振腔谐振频率的装置-CN201910547574.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：金华伏安光电科技有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种调节光学谐振腔谐振频率的装置，包括光学谐振腔，所述光学谐振腔的上方设置有第一电极层，所述第一电极层的上方设置有压电薄膜层，所述有压电薄膜层上方设置有第二电极层；该调节光学谐振腔谐振频率的装置，通过在光学谐振腔的上方设置能够加载电压的压电薄膜层，从而形成一个薄膜体声波谐振器，通过给薄膜体声波谐振器加载电压使得薄膜体声波谐振器的逆压电效应所产生的声波改变光学谐振腔的折射率，从而改变光学谐振腔的有效折射率和共振波长
光学谐振腔薄膜体声波谐振器压电薄膜层谐振频率第一电极加载电压逆压电效应有效折射率第二电极共振波长光波产生声波折射率波长共振

[实用新型]FBAR滤波器-CN201921406463.2有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本实用新型提供一种FBAR滤波器，FBAR滤波器包括：键合衬底，键合衬底一侧设置有与第一键合层键合连接的第二键合层，支撑层设置在第一键合层远离第二键合层的一侧；第一电极，第一电极设置在支撑层远离第一键合层的一侧，支撑层空腔贯穿支撑层、第二键合层且两端分别接触第一电极、键合衬底；压电薄膜，压电薄膜设置在第一电极远离支撑层一侧，电极上引结构贯穿压电薄膜与第一电极连接，顶电极设置在压电薄膜远离第一电极一侧，与电极上引结构部分连接；第一通孔，第一通孔贯穿键合衬底与支撑层空腔连接。本实用新型无需设置牺牲层，保留了压电薄膜的完整性，并且这种在键合衬底上开孔的结构设计，结构稳定，不易塌陷，可以很好的改善压电薄膜的品质。
fbar 滤波器

[发明专利]一种薄膜体声波器件-CN95119782.7无效
发明人：和高修三;三须幸一郎;永塚勉;木村友则;龟山俊平;前田智佐子;山田朗;本多俊久 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1995-11-24 - 公布日： 1996-09-25 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：在本发明的实施例中，体声波器件包含一个其上带有介电物质层的半导体衬底，介电物质层上有一个接地导体层，接地导体层上有一个压电陶瓷薄膜，而压电陶瓷薄膜上有一个导电电极图形。压电陶瓷薄膜的厚度为接地导体层厚度的10倍以上，且沿平行于压电陶瓷薄膜表面的方向传播的声波的波数同压电陶瓷薄膜厚度的乘积小于2。
一种薄膜声波器件

[发明专利]叠层型压电陶瓷电极结构及其制造工艺-CN202110985265.1在审
发明人：于传文;吴迪 -专利权人：黑龙江迪米电陶科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明公开了叠层型压电陶瓷电极结构及其制造工艺，叠层型压电陶瓷电极结构，包括内部压电结构、包裹内部压电结构的外部保护结构；内部压电结构包括压电陶瓷材料薄膜、正极银钯层以及负极银钯层，正极银钯层和负极银钯层呈交替分布，正极银钯层和负极银钯层之间的中间介质为压电陶瓷材料薄膜；正极银钯层和负极银钯层的分布方向相反；外部保护结构包括上绝缘层、下绝缘层以及中间绝缘层。
叠层型压电陶瓷电极结构及其制造工艺

[发明专利]压电薄膜及其制造方法、角速度传感器、利用角速度传感器进行的角速度的测定方法、压电发电元件及使用压电发电元件的发电方法-CN200980110747.X有效
发明人：张替贵圣;足立秀明;藤井映志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-10-02 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：本发明提供一种压电薄膜及其制造方法，该压电薄膜包含不含铅的强介电材料，变现出与PZT同等水平的高的压电性能。本发明的压电薄膜具有依次叠层有具有(100)的面方位的金属电极膜、(Bi，Na)TiO3膜和具有(001)的面方位的(Bi，Na，Ba)TiO3膜的叠层结构。本发明的压电薄膜能够应用于广泛的领域和用途，例如，能够利用本发明的压电薄膜形成传感灵敏度出色的本发明的角速度传感器以及发电特性出色的压电发电元件。
压电薄膜及其制造方法角速度传感器利用进行测定发电元件使用

[发明专利]一种多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜及其制备方法-CN202010603087.7有效
发明人：欧欣;李忠旭;黄凯;赵晓蒙;李文琴;鄢有泉;陈阳 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜及其制备方法，属于半导体制造技术领域。本发明的多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜，从下至上依次包括硅衬底、绝缘层、顶层硅层、顶层二氧化硅层和压电单晶薄膜，多层膜结构衬底由绝缘体上硅衬底进行热氧化处理得到，压电单晶薄膜由压电单晶衬底依次通过离子注入本发明的多层膜结构衬底各层薄膜致密，厚度一致性优良，厚度可控；压电单晶薄膜厚度可控，且厚度一致性优良；利用本发明的多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜制备的声表面滤波器件具有机电耦合系数高，带宽大的优点，同时器件一致性较好
一种多层膜结构衬底压电薄膜及其制备方法