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[发明专利]能够控制锭界面形状的单晶生长系统和方法-CN201580071803.9在审
发明人：方仁植 -专利权人： LG矽得荣株式会社
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种在用丘克拉斯基方法生长单晶锭时控制生长界面形状的方法，该控制生长界面形状的方法包括在将单晶生长过程的控制条件设定为使锭的界面成为目标形状之后开始生长单晶锭；通过设置在单晶锭的上部的负荷传感器测量在预定时间内生长的锭的重量来获得测量值；通过单晶锭的直径以及在预定时间内生长的单晶锭的高度来获得单晶锭重量的理论值，其中，单晶锭的直径通过设置在加工腔室外部的直径测量照相机在预定时间内测量；通过获得所述测量值和所述理论值之间的差异来预测生长中的单晶锭的生长界面形状；以及，通过比较单晶锭的预测界面形状和单晶锭的目标界面形状来改变在单晶锭生长期间的工艺条件。因此，由于在单晶锭的生长过程期间可以预测生长中的锭的界面形状，所以通过控制工艺条件，硅锭可以生长为目标界面形状。
能够控制界面形状生长系统方法

[实用新型]一种可调控高纯铜单晶取向的组合式引杆装置-CN202220562676.X有效
发明人：任玉平;田文斌;秦高梧 -专利权人：东北大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B22D11/14 文献下载
摘要：一种可调控高纯铜单晶取向的组合式引杆装置，包括单晶引锭头、联结头及牵引杆；单晶引锭头底端与联结头顶端相连接，单晶引锭头与联结头采用可拆卸式连接结构；联结头底端与牵引杆顶端相连接，联结头与牵引杆采用可拆卸式连接结构；单晶引锭头与液态金属铜接触面的法向作为单晶取向，通过调整单晶引锭头与液态金属铜接触面的法向方向对单晶取向进行调控。本实用新型用于替代传统单体式常规引锭杆，通过单晶引锭头实现对高纯铜单晶取向的调控；引杆装置整体采用组合式结构，具有结构简单及方便拆卸的特点，每次制造特定单晶取向的单晶铜杆前，只需更换具有对应单晶取向的单晶引锭头即可，引杆装置其他部件可重复使用，节约了单晶铜杆的生产成本。
一种调控高纯铜单晶取向组合式装置

[发明专利]晶片生成装置-CN201810658962.4在审
发明人：饭塚健太吕;大宫直树;森俊;北野元己;平田和也;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供晶片生成装置，能够从单晶SiC锭自动地生成SiC晶片。该晶片生成装置从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片生成装置包含：锭磨削组件；激光照射组件，其将对于单晶SiC锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离组件，其将SiC晶片从单晶SiC锭的剥离层剥离；以及搬送组件，其在锭磨削组件、激光照射组件以及晶片剥离组件之间对单晶SiC锭进行搬送。
单晶SiC 生成装置晶片激光照射晶片剥离磨削组件剥离层照射激光光线激光光线聚光点上表面透过性自动地波长剥离

[发明专利]单晶锭的制造方法和单晶晶片的制造方法-CN202011188769.2在审
发明人：森山隼;阿部淳;丹野雅行;桑原由则 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供能够以良好的成品率制造结晶性优异的单晶锭的单晶锭的制造方法、和能够制造器件特性优异的晶片的单晶晶片的制造方法。本发明的单晶锭的制造方法包括：准备第一单晶锭的步骤；从第一单晶锭切出评价用基板102和晶种用锭103，在晶种用锭上形成投影面104的步骤；对评价用基板102测定局部音速，在评价用基板上的测定的音速的测定值为规定范围内的位置配置正常点105的步骤；在投影面上配置正常点105的映射107的步骤；从晶种用锭切出包含通过正常点105的映射107且与晶体生长轴平行的直线的晶体片109的步骤；和将晶体片109用作晶种制作第二单晶锭的步骤。本发明的单晶晶片的制造方法包括将通过本发明的单晶锭的制造方法制造的第二单晶锭切片制作单晶晶片的步骤。
单晶锭制造方法晶片

[发明专利]用于生长硅单晶锭的方法和装置-CN202210059988.3有效
发明人：黄铉淍;金尚熹;朴勍兑 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：实施例提供了一种生长硅单晶锭的方法，该方法包括使用提拉法生长晶体取向为(111)的硅单晶锭，测量硅单晶锭的直径，计算硅单晶锭的刻面的长度，基于计算出的刻面长度计算籽晶的旋转速度的校正公式和硅单晶锭的提拉速度的校正公式，并基于计算的结果校正籽晶的旋转速度和硅单晶锭的提拉速度。
用于生长硅单晶锭方法装置

[发明专利]制造单晶锭的方法、单晶锭和由该单晶锭制造的晶片-CN201280016690.9无效
发明人：金尚熹;黄晸河;崔荣圭;沈福哲 -专利权人： LG矽得荣株式会社
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供制造单晶锭的方法，以及单晶锭和由该单晶锭制造的晶片。根据实施方式制造单晶锭的方法包括：在腔室内的坩埚中形成硅熔融物；在所述硅熔融物上制备晶种；以及由所述硅熔融物生长单晶锭；并且将所述腔室的压力控制在90托至500托的范围内。
制造单晶锭方法晶片

[发明专利]铸造单晶硅锭及其制备方法-CN202010615816.0在审
发明人：陈红荣;胡动力;张华利;宋亚飞 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铸造单晶硅锭及其制备方法。铸造单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：在坩埚的底部铺设单晶籽晶，形成单晶籽晶层；在单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条，单晶条与相邻的单晶籽晶相互拼接，其中，单晶条的缺陷比值大于相邻单晶籽晶的缺陷比值；在单晶籽晶层与至少一根单晶条上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。上述铸造单晶硅锭的制备方法，在单晶的生长过程中，单晶条内的缺陷处易吸附杂质，从而降低边角硅块的杂质含量和边角硅块缺陷的产生几率。缺陷比值较大的区域可释放硅锭边部的生长应力，减少了缺陷的产生和增值。此外，本发明还涉及一种由上述制备方法制备得到的铸造单晶硅锭。
铸造单晶硅及其制备方法

[发明专利]拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片-CN201910562644.2在审
发明人：张婉婉;文英熙;柳清超 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片，其中，拉晶炉用于制造单晶硅锭，包括：炉体，所述炉体内包括主炉室和与所述主炉室相连通的副炉室，所述副炉室上设有用于通入惰性气的进气口；冷却装置，所述冷却装置设置在所述炉体内，用于在拉制单晶硅锭时，对所述单晶硅锭冷却；挡板，所述挡板固定设置在所述副炉室内，并与所述进气口相对设置，用于对从所述进气口通入的惰性气体进行分流，以使得惰性气体流向所述单晶硅锭的外周面并结合所述冷却装置对所述单晶硅棒进行冷却本发明实施例的拉晶炉能够快速的对单晶硅锭降温，提高单晶硅锭的质量。
单晶硅锭拉晶炉进气口冷却装置挡板惰性气体副炉室主炉室硅片制备冷却体内单晶硅棒固定设置相对设置拉制惰性气外周面副炉炉体室内分流制造

[发明专利]铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法-CN202010758499.8有效
发明人：周声浪;张华利;胡动力;原帅;游达;周洁 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法。铸造单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：在容器的底部铺设回收单晶籽晶，形成单晶籽晶层；回收单晶籽晶自远离容器底部向靠近容器底部的方向为第一方向，第一方向与回收单晶籽晶的原晶体生长方向相同；在单晶籽晶层上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。上述铸造单晶硅锭的制备方法，在长晶过程中改变了回收单晶籽晶中缺陷的生长方向，利用回收单晶籽晶中已有缺陷引导后续缺陷向与之前相反的方向扩展，实现了使用回收单晶籽晶生长的铸锭单晶硅锭的缺陷不再继续沿原方向扩展增殖，反而逐渐收窄甚至消失，提高了铸造单晶硅锭的良率。
铸造单晶硅及其制备方法

[发明专利]一种单晶硅籽晶重复利用的方法、铸造单晶硅片及其制备方法-CN201910076657.9在审
发明人：尹翠哲;王小兵 -专利权人：尹翠哲;王小兵
申请日： 2019-01-26 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅籽晶重复利用的方法，用于制备铸造单晶硅片，包括以下步骤：(1)将单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部；在籽晶层上方设置熔融硅料，熔融硅料继承单晶硅籽晶的晶向结构生长，制得铸造单晶硅锭；(2)将步骤（1）得到的铸造单晶硅锭进行开方得到小方锭，在每个小方锭的底部区域切割得到尾料籽晶；(3)将步骤(2)得到的尾料籽晶与其他尾料籽晶或者新单晶硅籽晶互相拼接铺设在坩埚底部，按照步骤(1)的方法制得铸造单晶硅锭(4)将步骤（3）所述铸造单晶硅锭依次经过切片和清洗得到所述铸造单晶硅片。本发明提供的方法使单晶硅籽晶能够完全或部分重复利用，大大降低了铸造单晶的籽晶成本。
一种单晶硅籽晶重复利用方法铸造及其制备

[发明专利]晶片的生成方法和晶片生成装置-CN201811351293.2在审
发明人：平田和也;山本凉兵 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该晶片的生成方法从六方晶单晶锭生成晶片，其中，包含如下的工序：平坦化工序，对六方晶单晶锭的上表面进行平坦化；制造履历形成工序，从已平坦化的六方晶单晶锭的上表面将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于要生成的晶片的不形成器件的区域的内部而对六方晶单晶锭照射激光光线，形成制造履历；以及剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离已平坦化的六方晶单晶锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，形成剥离层。
晶片单晶锭六方晶平坦化上表面履历照射激光光线激光光线生成装置形成工序剥离层聚光点透过性波长制造残留

[实用新型]单晶硅取锭运锭车-CN200820031913.X有效
发明人：吴伟忠;毛和璜;程宜红 -专利权人：常州有则科技有限公司
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型是提供一种在单晶硅拉制炉前安全便捷承接从单晶硅拉制炉的高位取出单晶硅硅锭，放置6－7小时后，待单晶硅硅锭冷却后，运送到下一道工序进行再加工的单晶硅取锭运锭车。单晶硅取锭运锭车由车身、车把和车轮组成。单晶硅取锭运锭车运锭时，长撑脚着地时，车身和左、右车梁与地面成15°－20°；单晶硅取锭运锭车取锭时，短撑脚着地时，车身和车斗均与地面垂直。
单晶硅取锭运锭车

[发明专利]铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶、铸造单晶硅-CN202011205548.1有效
发明人：雷琦;何新根;李小平;李建敏;何亮;邹贵付;甘胜泉;程小娟 -专利权人：新余赛维铸晶技术有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶和铸造单晶硅。铸造单晶硅用籽晶的制备方法的步骤为：利用定向凝固方法制备铸造单晶硅锭；将所述铸造单晶硅锭切割成原始籽晶；对所述原始籽晶进行热处理，得到所述籽晶，所述热处理的温度不高于1200℃。通过对铸造单晶硅锭切割的原始籽晶进行热处理，可有效降低原始籽晶的晶体微缺陷，从而得到铸造单晶硅用籽晶，而采用该籽晶得到的铸造单晶硅锭的与采用单晶晶棒切割作为籽晶的铸造单晶硅锭制备成的电池片的效率相当。
铸造单晶硅籽晶制备方法

[发明专利]单晶硅基板的制造方法-CN202210975661.0在审
发明人：伊贺勇人;田畑晋;平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：本发明提供单晶硅基板的制造方法，生产率高。在单晶硅锭的内部形成了剥离层之后，以该剥离层为起点而从单晶硅锭分离单晶硅基板。由此，与使用线切割机从单晶硅锭制造单晶硅基板的情况相比，能够提高单晶硅基板的生产率。
单晶硅制造方法

[发明专利]一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法-CN202310103535.0在审
发明人：吴忠亮;赵德刚;吕进;胡开朋 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本申请涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法。一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法，其包括如下操作步骤：S1、在单晶锭待衍射晶面的背面绘制平面直角坐标系；S2、对待衍射晶面进行衍射定向，计算取向偏离的第一分量α；S3、将单晶锭顺时针旋转90°再对待衍射晶面进行衍射定向，计算取向偏离的第二分量β；S4、利用第一分量α和第二份量β计算取向偏离角γ和迹线角δ；S5、在单晶锭背面的平面直角坐标系中绘出迹线，将单晶锭上表面研磨平整。采用本申请用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法的修整时间在4.0‑4.1h，大幅度缩短修整单晶锭取向偏离的加工周期，减少晶体材料损耗。
一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离方法

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