“单层石墨片”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1743311个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有规则埃级孔的石墨烯膜-CN201280071545.0有效
发明人： S·A·米勒;G·L·迪尔克森 -专利权人：英派尔科技开发有限公司
申请日： 2012-01-26 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： G01N33/487 文献下载
摘要：本发明主要描述了关于穿孔石墨烯单层及含有穿孔石墨烯单层的膜的技术方案。本发明的示例性膜可以包括下述石墨烯单层，所述石墨烯单层具有多个不连续孔，所述多个不连续孔化学穿孔于石墨烯单层中。该孔径的特征在于石墨烯单层中的一个或多个碳空位缺陷。石墨烯单层各处可以具有基本均一的孔径。在一些实例中，膜可以包括可渗透性基板，所述基板与石墨烯单层接触并且可以支持石墨烯单层。与气体分离用常规聚合膜相比，这种穿孔石墨烯单层和包含这种穿孔石墨烯单层的膜可以表现出改进的性质，例如更高的选择性或更高的气体透过率等。
具有规则埃级孔石墨

[发明专利]还原氧化石墨烯负载单层及少层二硫化钼纳米片的方法-CN201710778503.5在审
发明人：田志坚;郑安达;王冬娥;姜玉霞;李佳鹤;李敏;章冠群 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种还原氧化石墨烯负载单层及少层二硫化钼纳米片的方法。该方法以水为溶剂，与氧化石墨烯、可溶性的钼前驱物和谷胱甘肽混合在160‑230℃一步水热合成制备还原氧化石墨烯负载单层及少层二硫化钼纳米片。本发明工艺易于实现；且制得的材料中二硫化钼纳米片的尺寸小，分散性好，平均堆叠层数为1‑4层。所得材料加氢、产氢、电化学传感、二次电池等方面具有应用前景。
二硫化钼纳米片还原氧化石墨烯单层少层一步水热合成氧化石墨烯电化学二次电池分散性好谷胱甘肽钼前驱物堆叠层溶剂产氢传感加氢制备应用

[发明专利]一种简单无毒制备单层石墨烯的方法-CN200910050318.X无效
发明人：曹傲能;刘振;叶张梅;吴明红;刘元方 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种简单无毒制备单层石墨烯的方法，属无机材料化学领域。本发明的工艺过程如下：采用一定量的天然石墨粉，在强烈氧化条件下将其氧化得到氧化石墨，将所得氧化石墨分散在去离子水后，在超声机中超声处理一段时间，使氧化石墨剥落成单层的氧化石墨片，然后将其分散在二甲亚砜溶液中，将该混合物溶液转移到反应釜中，并在150～200℃下反应10～16小时，经过滤后，得到墨色产物即为单层石墨烯。
一种简单无毒制备单层石墨方法

[发明专利]含氮石墨烯结构体和荧光体分散液-CN201180062591.X有效
发明人：手塚裕之;冈本一夫 -专利权人：株式会社丰田中央研究所
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯结构体，其包含：具有单层或多层石墨烯纳米片的石墨烯结构体；和引入到所述石墨烯结构体中的氮。所述含氮石墨烯结构体优选具有上述石墨烯结构体，所述石墨烯结构体具有片部和末端六元环，所述片部包含单层或多层石墨烯纳米片并在该片的端部含有扶手椅型端面部，所述末端六元环以仅共有一边的方式与所述扶手椅型端面部结合；以及含氮官能团，所述含氮官能团结合到选自下述(a)和(b)中的任一个或多个碳原子上：(a)构成所述末端六元环的碳原子中未与所述扶手椅型端面部结合的碳原子；以及(b)构成所述片部的碳原子(包含与所述末端六元环共有的边上的碳原子荧光体分散液为这种含氮石墨烯结构体在溶剂中的分散液。
石墨结构荧光分散

[发明专利]用于锂硫电池正极材料的还原氧化石墨烯负载ReS2的制备方法-CN201811183918.9在审
发明人：刘华雄;师春生;赵乃勤;刘恩佐;何春年;何芳 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于锂硫电池正极材料的还原氧化石墨烯负载ReS₂的制备方法，包括下列步骤：1)利用单层氧化石墨烯粉末制备氧化石墨烯分散液；制备还原氧化石墨烯负载ReS₂纳米片：按高铼酸铵和硫脲与单层氧化石墨烯粉末为(0.3‑0.7)：(0.8‑1.2)：1的质量比称取高铼酸铵和硫脲，加入氧化石墨烯分散液中，得到均匀的混合溶液，将混合液移至反应釜中，加热到150‑240℃，反应10‑24h，制得反应产物；对还原氧化石墨烯负载ReS₂纳米片煅烧，提高材料结晶性，得到最终产物rGO/ReS₂。
还原氧化石墨烯制备单层氧化石墨烯锂硫电池正极氧化石墨烯高铼酸铵纳米片硫脲材料结晶分散液中粉末制备混合溶液混合液移最终产物反应釜分散液质量比称取煅烧加热

[发明专利]生长单层石墨烯的工艺方法-CN202110622642.5在审
发明人：马瑜;沈晗睿 -专利权人：上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，具体涉及一种生长单层石墨烯的工艺方法，其包括以下步骤：步骤1，将铜箔固定在阴极并置于酸性电解液中，在工作电极和对电极之间施加电压V0，对铜箔进行处理，持续时间t0；步骤2，将步骤1得到的铜箔依次置于去离子水和酒精中清洗，并用氮气吹干铜箔；步骤3，将步骤2得到的铜箔置在两层石墨片之间，采用化学气相沉积法，在铜箔两侧生长单层石墨烯；本发明的工艺方法，其制备的单层石墨烯纯净度高。
生长单层石墨工艺方法

[发明专利]纳米颗粒三维石墨烯复合材料、其制造方法及应用-CN201810336263.8有效
发明人：郝奕舟;陈剑豪;王天戌 -专利权人：广州墨羲科技有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01G11/32 文献下载
摘要：一种纳米颗粒三维石墨烯复合材料，包括纳米颗粒基底，所述纳米颗粒基底上原位生长的三维石墨烯、依附于所述三维石墨烯上的多个纳米颗粒和/或纳米线活性物质和/或至少一层纳米薄膜。所述三维石墨烯具有多孔结构，平均孔道直径为10nm‑50nm，所述三维石墨烯包括无规则地聚集在一起的若干片多层石墨烯和/或单层石墨烯，在所述若干片多层石墨烯和/或单层石墨烯中，每一片多层石墨烯的碳原子层数为该纳米颗粒三维石墨烯复合材料将纳米线(一维)、石墨烯材料(三维)与纳米颗粒(零维)和或/纳米薄膜(二维)材料结合在一起，实现了由零维到三维的纳米材料复合，充分结合了上述各种尺寸纳米材料的优点，而同时又避免了各材料的缺点
纳米颗粒三维石墨复合材料制造方法应用

[发明专利]一种太阳能背板用阻水涂层及其制备方法-CN202111565720.9有效
发明人：陈蕊;何炫辰;夏修旸;刘源;石健;陈洪野 -专利权人：苏州赛伍应用技术股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C09D129/04 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能背板用阻水涂层及其制备方法，所述太阳能背板用阻水涂层的制备原料包括单层氧化石墨烯和聚乙烯醇的组合；采用单层氧化石墨烯搭配聚乙烯醇作为制备原料，利用单层氧化石墨烯的片层结构及其表面较多羧基可与聚乙烯醇中含有的羟基进行反应的优势，从而使单层氧化石墨烯在形成的涂层中具有更好的分散效果；再对所述涂层进行醚化处理，使得涂层中羟基之间形成氢键可以相互作用，有效降低了涂层的水溶性，同时使得涂层的交联网络更加完善，进而得到了具有优异阻隔性能以及耐高温高湿性能的阻水涂层
一种太阳能背板用阻水涂层及其制备方法

[发明专利]一种以石墨烯纳米凝胶作为粘接层粘接双层石墨片的方法-CN201811507359.2在审
发明人：郭志军;王雷;黄国伟;涂建军;吴荻;宋晓晖 -专利权人：苏州鸿凌达电子科技有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C09J5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以石墨烯纳米凝胶作为粘接层粘接双层石墨片的方法，以石墨烯室温固化的导热纳米凝胶作为粘接层，以涂胶机将导热纳米凝胶定量点涂在单层的石墨片上，然后，与另一层的石墨片贴合，形成双层石墨片产品。本发明方法制作的双层石墨片产品的导热性能得到了提高；通过采用石墨烯室温固化的导热纳米凝胶作为粘接层，使粘接层的导热系数得到提高，从而可以让产品整体的导热性能得到提升。
纳米凝胶粘接层双层石墨石墨烯导热导热性能室温固化石墨片粘接导热系数涂胶机单层点涂贴合制作

[实用新型]一种具有散热功能的光伏建筑一体化屋顶发电结构-CN202222714555.5有效
发明人：李林华;朱佳晨;李源 -专利权人：丰德信电力发展股份有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H02S40/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有散热功能的光伏建筑一体化屋顶发电结构，太阳能光伏板的底部粘接固定有单层悬浮石墨烯导热片，单层悬浮石墨烯导热片的正下方设置有散热鳍片，散热鳍片通过多组导热柱与散热鳍片的底部连接，单层悬浮石墨烯导热片和散热鳍片之间固定有环绕导热柱的蛇形换热管
一种具有散热功能建筑一体化屋顶发电结构

[发明专利]离子束直写二维半导体器件的方法-CN202010157534.0有效
发明人：谭杨;刘燕然;陈峰 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束直写二维半导体器件的方法，步骤一、将表面清洗后的硅片作为衬底；步骤二、在硅片表面制作一对相间隔的金电极；步骤三、在金电极上方设置一单层石墨烯，单层石墨烯覆盖整个硅片表面区域；步骤四、在单层石墨烯上方设置一单层过渡金属双卤代金属TMDCs；步骤五、通过低能量离子束对部分单层TMDCs表面进行轰击，使轰击区域的单层TMDCs表面产生缺陷，有缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行空位掺杂，使得对应置处的单层石墨烯呈现P态，无缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行电子掺杂，使得对应位置处的单层石墨烯呈现N态，最终形成PN结。提出了一种利用离子辐照技术直接在TMDCs/石墨烯异质结构上绘制任意二极管的方法。
离子束二维半导体器件方法

[发明专利]百微米级氧化石墨烯及其制备方法-CN201610989221.5在审
发明人：巩峰;秦金刚;吴孟强;冯婷婷;刘文龙;廖家轩;李肖辉;汪东霞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C01B32/198 文献下载
摘要：本发明提供一种百微米级氧化石墨烯及其制备方法，筛选出粒径200um‑600um范围内的天然鳞片石墨，先对其进行预氧化得到可膨胀石墨，然后加热得到膨胀石墨，再对膨胀石墨进行氧化插层处理，抽滤洗涤，筛选出粒径在200um以上的氧化石墨，进行超声剥离，冷冻真空干燥得到百微米级的氧化石墨烯粉末；本发明得到氧化石墨烯片径在60‑120um范围内的氧化石墨烯占50％以上，单层氧化石墨烯占30％，2‑5层的占40％，5‑10层的占在20％，10层以上的占10％，该方法制备的氧化石墨烯层数少片径大，应用能够满足更高要求，且方法简单适用于高效率批量化生产，消耗能量少，周期短，效率高，单层氧化石墨烯表面杂质少。
微米氧化石墨及其制备方法

[发明专利]一种制备单层2H相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法-CN201610698719.6有效
发明人：常焜;李苞;汤宏伟;上官恩波;李熠辉;常照荣 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01M4/583 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备单层2H相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法，具体过程为：以硫代钨酸铵和锂盐化合物为原料，通过简单的温度控制可以合成为插锂的2H相硫化钨块体，插锂的2H相硫化钨块体可以在水中水解自行剥离成2H相单层WS2纳米片，再与氧化石墨烯自组装形成单层2H相二硫化钨/石墨烯复合材料。
一种制备单层硫化石墨复合材料方法

[发明专利]一种制备单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法-CN201610698718.1有效
发明人：常焜;汤宏伟;李苞;上官恩波;李熠辉;常照荣 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法，具体过程为以硫代钨酸铵和锂盐化合物为原料，通过简单的温度控制可以合成为插锂的1T相硫化钨块体，插锂的1T相硫化钨块体可以在水中水解自行剥离成1T相单层WS2纳米片，再与氧化石墨烯自组装形成单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料。
一种制备单层硫化石墨复合材料方法

[发明专利]一种制备单层1T相二硫化钼/石墨烯复合材料的方法-CN201610699081.8有效
发明人：常焜;李苞;汤宏伟;上官恩波;李熠辉;常照荣 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备单层1T相二硫化钼/石墨烯复合材料的方法，具体过程为以硫代钼酸铵和锂盐化合物为原料，通过简单的温度控制可以合成为插锂的1T相硫化钼块体，插锂的1T相硫化钼块体可以在水中水解自行剥离成单层1T相MoS2纳米片，再与氧化石墨烯自组装形成单层1T相二硫化钼/石墨烯复合材料。
一种制备单层二硫化钼石墨复合材料方法